晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
KSB772YSTSSTU	-	询价	7871	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	KSB77			1W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,880															30V	3A					1μA（ICBO）	国民党	500mV@200mA，2A	160@1A，2V	80兆赫
MMBT3904TT1G	0.1800	询价	23	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	MMBT3904			300毫W	SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															40V	200毫安					-	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
NTLGF3501NT1G	-	询价	6688	onsemi	FETKY™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	NTLGF35		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (3x3)	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	2.8A（塔）	2.5V、4.5V	90毫欧@3.4A，4.5V	2V@250μA	10nC@4.5V	±12V	275pF@10V	-	1.14W（塔）
2SK3703-1E	-	询价	5309	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3703		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3SG	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	30A（塔）	4V、10V	26毫欧@15A，10V	-	40nC@10V	±20V	1780pF@20V	-	2W（Ta）、25W（Tc）
MUN5141T1G	0.0271	询价	5695	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	MUN5141			202毫W	SC-70-3 (SOT323)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	250mV@300μA，10mA	160@5mA，10V		100欧姆
BC33725BU	0.3400	询价	7	onsemi	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC337			625毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2166-BC33725BU-488	EAR99	8541.21.0075	10,000															45V	800毫安					100纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
BC327-16ZL1G	-	询价	9919	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BC327			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															45V	800毫安					100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	260兆赫
NST3904DP6T5G	0.3900	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-963	NST3904			350毫W	SOT-963	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000															40V	200毫安					-	2 NPN（双）	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	200兆赫
MSD601-RT1G	0.2100	询价	20	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MSD601			200毫W	SC-59	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					100纳安	NPN	500毫伏@10毫安，100毫安	210@2mA，10V	-
NDS355AN_G	-	询价	3542	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NDS355		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	1.7A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@1.9A，10V	2V@250μA	5nC@5V	±20V	195pF@15V	-	500毫W（塔）
ISL9V3040D3S	-	询价	1877年	onsemi	生态SPARK®	管子	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	ISL9	逻辑		150W	TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800			300V、1kΩ、5V											-	430伏	21A	1.6V@4V，6A	-	17nC	-/4.8μs
NVBG015N065SC1	49.9400	询价	5356	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA			MOSFET（金属O化物）		D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		650伏	145A（温度）	15V、18V	18毫欧@75A，18V	4.3V@25mA	283nC@18V	+22V、-8V	4689pF@325V	-	500W（温度）
NTMFS5C646NLT3G	1.1506	询价	1804	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	20A（Ta）、93A（Tc）	4.5V、10V	4.7毫欧@50A，10V	2V@250μA	10V时为33.7nC	±20V	2164pF@25V	-	3.7W（Ta）、79W（Tc）
KSC2518R	-	询价	4658	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	KSC2518			40W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,200															400V	4A					10μA（ICBO）	NPN	1V@300mA，1.5A	20@300mA，5V	-
KSE803STU	-	询价	3945	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	KSE80			40W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,920															80V	4A					100微安	NPN-达林顿	2.8V@40mA，2A	750@2A，3V	-
DTC144WET1G	-	询价	2013年	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码144			200毫W	SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	250mV@5mA、10mA	80@5mA，10V		47欧姆	22欧姆
2SC5706-H	-	询价	6112	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SC5706			800毫W	TP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500															50V	5A					1μA（ICBO）	NPN	240mV@100mA，2A	200@500mA，2V	400兆赫
DTA114TXV3T1G	-	询价	5850	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-89、SOT-490	DTA114			200毫W	SC-89-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、10mA	160@5mA，10V		10欧姆
BD13716S	0.5800	询价	1	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD137			1.25W	TO-126-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000															60V	1.5A					100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	-
MMBT5550LT1	-	询价	3941	onsemi	*	切带 (CT)	过时的				MMBT5550					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MPSA12G	-	询价	6809	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPSA12			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000															20V						100nA（ICBO）	NPN-达林顿	1V@10μA，10mA	20000@10mA，5V	-
BC214LC_J35Z	-	询价	8880	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC214			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															30V	500毫安					15nA（ICBO）	国民党	600毫伏@5毫安、100毫安	140@2mA，5V	200兆赫
HUF75829D3ST	-	询价	7660	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		150伏	18A（温度）	10V	110毫欧@18A，10V	4V@250μA	70nC@20V	±20V	1080pF@25V	-	110W（温度）
BCW33LT1G	0.2200	询价	22号	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW33			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															32V	100毫安					100nA（ICBO）	NPN	250mV@500μA，10mA	420@2mA，5V	-
FQPF6N90C	-	询价	4042	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF6		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		900伏	6A（温度）	10V	2.3欧姆@3A，10V	5V@250μA	40nC@10V	±30V	1770pF@25V	-	56W（温度）
HUF76443P3	-	询价	7675	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	匈牙利福林76		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道		60V	75A（温度）	4.5V、10V	8毫欧@75A，10V	3V@250μA	129nC@10V	±16V	4115pF@25V	-	260W（温度）
MUN5237DW1T1G	0.2300	询价	9836	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				模联52					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
FDG6306P	0.6000	询价	7643	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	FDG6306		MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-88 (SC-70-6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	600毫安		420毫欧@600mA，4.5V	1.5V@250μA	2nC@4.5V		114pF@10V	逻辑电平门
ECH8654-TL-HQ	-	询价	4016	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	8-SMD，写入	ECH8654		-		8-ECH	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000												-
FQB70N10TM_AM002	-	询价	8316	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB7		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	57A（温度）	10V	23毫欧@28.5A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±25V	3300pF@25V	-	3.75W（Ta）、160W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²