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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2N4401TA	0.3700	RFQ	40	Onmi	-	（CT）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4401		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														40 V	600 MA	-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
2SC4853A-4-TL-E	-	RFQ	4914	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4853		90MW	3-MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			7db〜10dB @ 1GHz											6V	15mA		NPN		90 @ 1mA，1V	5GHz			2.6db〜1.9db @ 1GHz
MCH4009-TL-H	0.5800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	MCH4009		120MW	4-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			13.5dB											3.5V	40mA		NPN		50 @ 5mA，1V	25GHz			1.1db @ 2GHz
FCP11N60F	3.3100	RFQ	8361	Onmi	SuperFet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1490 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BC556CTA	-	RFQ	2676	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC556		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														65 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
2N5772_D75Z	-	RFQ	6717	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5772		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														15 v	300 MA	500NA	NPN	500mv @ 3mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	-
FDB8443	-	RFQ	2256	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB844	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	25A（25A），120A （TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）
FDS8449-F085	1.2300	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS8449	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
NSV60101DMTWTBG	0.6400	RFQ	3094	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NSV60101		2.27W	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000														60V	1a	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	180mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，2V	180MHz
MMBTA42_D87Z	-	RFQ	4138	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA42		240兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000														300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
KSC945CYBU	-	RFQ	4695	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC945		250兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
2SC3645S-TD-E	0.1600	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SC3645S-TD-E-488			1
BC183LC_J35Z	-	RFQ	8966	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC183		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
MJE344G	-	RFQ	7222	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE344		20 w	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500														200 v	500 MA	1ma	NPN	1V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	15MHz
KSA709YTA	-	RFQ	5469	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA709		800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														150 v	700 MA	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 20mA，200mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
NVMFS6H858NT1G	1.1013	RFQ	2586	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NVMFS6H858NT1G-488	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	8.4a（ta），29a（tc）	10V	20.7MOHM @ 5A，10V	4V @ 30µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 40 V	-	3.5W（ta），42W（tc）
KSA733CGBU	-	RFQ	5140	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA733		250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	180MHz
NTMFS5830NLT1G	-	RFQ	6940	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	28a（28a），172a （TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	5880 pf @ 25 V	-	3.2W（ta），125W（tc）
FJNS4209RBU	-	RFQ	2580	Onmi	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000														40 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
BC848AMTF	-	RFQ	5391	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
PN100A_D75Z	-	RFQ	7288	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN100		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														45 v	500 MA	50NA	NPN	400mv @ 20mA，200mA	300 @ 10mA，1V	250MHz
BDX53CTU	-	RFQ	7952	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX53		60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000														100 v	8 a	500µA	npn-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
BC618RL1G	-	RFQ	8043	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC618		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														55 v	1 a	50NA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	150MHz
FSBCW30	-	RFQ	4531	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FSBCW3		500兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														32 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 500µA，10mA	215 @ 2mA，5V	-
SSD2025TF	-	RFQ	3164	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SSD2025	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	3.3a		100mohm @ 3.3a，10v	1V @ 250µA	30nc @ 10V		-	逻辑级别门
NSBC113EF3T5G	0.0598	RFQ	9199	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBC113		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000														50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
2SA1552S-TL-E	0.9300	RFQ	20	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA1552		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700														160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	140 @ 100mA，5V	120MHz
2SD1388TP-4	-	RFQ	2774	Onmi	-	（TB）	过时的				2SD1388				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
MJD3055T4G	0.8200	RFQ	47	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD3055		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500														60 V	10 a	50µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
KSP56TA	-	RFQ	1760年	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP56		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														80 V	500 MA	100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²