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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MJD200G	0.6300	RFQ	2	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD200				1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	75																				25 v	5 a							100NA（ICBO）	NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
BC635	-	RFQ	4643	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC635				1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,000																				45 v	1 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
mpsa63rlra	-	RFQ	7843	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA63				625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																				30 V	500 MA							100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
FJE3303H1TU	0.8100	RFQ	732	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	FJE3303				20 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	60																				400 v	1.5 a							10µA（ICBO）	NPN	3V @ 500mA，1.5a	8 @ 500mA，2V	4MHz
NJVMJD210T4G	0.8400	RFQ	8938	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD210				1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500																				25 v	5 a							100NA（ICBO）	PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
FDS9933Bz	-	RFQ	8038	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS99			MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）							20V	4.9a		46mohm @ 4.9A，4.5V	1.5V @ 250µA	15nc @ 4.5V		985pf @ 10V	逻辑级别门
MJD200RLG	0.6500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD200				1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,800																				25 v	5 a							100NA（ICBO）	NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
CPH3106-TL-E	-	RFQ	9138	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH3106				900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																				12 v	3 a							100NA（ICBO）	PNP	165MV @ 30mA，1.5a	200 @ 500mA，2V	280MHz
BC238TFR	-	RFQ	4653	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC238				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																				25 v	100 ma							15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
2SA2112-AN	-	RFQ	4369	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SA2112				1 w	3-nmp	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,500																				50 V	3 a							1µA（ICBO）	PNP	700mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，10v	390MHz
PCP1103-TD-H	0.4300	RFQ	758	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	PCP1103				3.5 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																				30 V	1.5 a							100NA（ICBO）	PNP	375mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	450MHz
ISL9V2040P3	-	RFQ	7009	Onmi	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ISL9	逻辑			130 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400				300V，1KOHM，5V															-	430 v	10 a		1.9V @ 4V，6A	-	12 nc	- /3.64µs
FDG332PZ	-	RFQ	4914	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG332			MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	2.6a（ta）	1.8V，4.5V	95MOHM @ 2.6a，4.5V	1.5V @ 250µA	10.8 NC @ 4.5 V	±8V	560 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
NTQS6463R2	-	RFQ	9472	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NTQS64			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道						20 v	6.8a（ta）	2.5V，4.5V	20mohm @ 6.8a，4.5V	900mv @ 250µA	50 NC @ 5 V	±12V		-	930MW（TA）
FQI9N50CTU	-	RFQ	1168	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI9			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						500 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	135W（TC）
BCP53	-	RFQ	3269	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53				1.5 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000																				80 V	1.2 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
TIP31CG	0.7000	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50																				100 v	3 a							300µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
MPSA42_D74Z	-	RFQ	7910	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA42				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																				300 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
FGPF4533	-	RFQ	9482	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	FGPF4	标准			28.4 w	TO-220F-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50				-															沟	330 v		200 a	1.8V @ 15V，50a	-	44 NC	-
MPS751ZL1G	-	RFQ	7359	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS751				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																				60 V	2 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
TIP140G	-	RFQ	1545年	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TIP140				125 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30																				60 V	10 a							2mA	npn-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
J309	-	RFQ	9646	Onmi	-	大部分	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	J309		100MHz	JFET		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		30mA		10 MA	-	16dB											-									10 v
2SC3503DSTU	-	RFQ	7280	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2SC3503				7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	60																				300 v	100 ma							100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	60 @ 10mA，10v	150MHz
MMJT9435T1G	-	RFQ	5786	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	mmjt94				3 W	SOT-223（TO-261）	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																				30 V	3 a							-	PNP	550mv @ 300mA，3a	125 @ 800mA，1V	110MHz
NSVMUN5111DW1T3G	0.4100	RFQ	7885	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMUN5111				250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000																				50V	100mA							500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
FQPF17N08L	-	RFQ	3054	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						80 V	11.2A（TC）	5V，10V	100mohm @ 5.6A，10V	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	30W（TC）
MUN2238T1G	-	RFQ	8746	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2238				230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		2.2 kohms
2N4401TA	0.3700	RFQ	40	Onmi	-	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4401				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																				40 V	600 MA							-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
2SC4853A-4-TL-E	-	RFQ	4914	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4853				90MW	3-MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000							7db〜10dB @ 1GHz													6V	15mA								NPN		90 @ 1mA，1V	5GHz			2.6db〜1.9db @ 1GHz
MCH4009-TL-H	0.5800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	MCH4009				120MW	4-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000							13.5dB													3.5V	40mA								NPN		50 @ 5mA，1V	25GHz			1.1db @ 2GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²