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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 电阻-RDS（（在） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 （ID） - 最大
TF262TH-4-TL-H onsemi TF262th-4-TL-H -
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 TF262 100兆 VTFP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 3.5pf @ 2V 140 µA @ 2 V 200 mV @ 1 µA 1 MA
2N5459_D27Z onsemi 2N5459_D27Z -
RFQ
 ECAD 1799年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N5459 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 7pf @ 15V 25 v 4 mA @ 15 V 2 V @ 10 na
FQPF16N25C onsemi FQPF16N25C -
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF16 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 15.6A（TC） 10V 270MOHM @ 7.8A，10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 pf @ 25 V - 43W（TC）
NTMD4840NR2G onsemi NTMD4840NR2G -
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD4840 MOSFET （金属 o化物） 680MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4.5a 24mohm @ 6.9a，10v 3V @ 250µA 9.5NC @ 10V 520pf @ 15V 逻辑级别门
MCH6101-TL-E onsemi MCH6101-TL-E -
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MCH6101 1 w 6-MCPH 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 15 v 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 180mv @ 15mA，750mA 200 @ 100mA，2V 430MHz
FQA10N80 onsemi FQA10N80 -
RFQ
 ECAD 1470 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA1 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 9.8A（TC） 10V 1.05OHM @ 4.9A，10V 5V @ 250µA 71 NC @ 10 V ±30V 2700 PF @ 25 V - 240W（TC）
PCISL9R1560W onsemi PCISL9R1560W 1.3900
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 ECAD 1632年 0.00000000 Onmi - 大部分 上次购买 PCISL9 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-PCISL9R1560W Ear99 8541.29.0095 1
NTD4815N-35G onsemi NTD4815N-35G 0.7800
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 ECAD 153 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK NTD4815 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 6.9a（ta），35a（tc） 4.5V，11.5V 15mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 14.1 NC @ 11.5 V ±20V 770 pf @ 12 V - 1.26W（TA），32.6W（tc）
MMBF4392LT1G onsemi MMBF4392LT1G 0.3900
RFQ
 ECAD 387 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBF4392 225兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 14pf @ 15V 30 V 25 ma @ 15 V 2 V @ 10 na 60欧姆
2N5458G onsemi 2N5458G -
RFQ
 ECAD 8365 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 135°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2N5458 310 MW TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2N5458GOS Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 25 v 7pf @ 15V 25 v 2 ma @ 15 V 1 V @ 10 na
PN5434_D27Z onsemi PN5434_D27Z -
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） PN543 350兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 30pf @ 10V（vgs） 25 v 30 ma @ 15 V 1 V @ 3 na 10欧姆
2N5457_D27Z onsemi 2N5457_D27Z -
RFQ
 ECAD 1572年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N5457 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 7pf @ 15V 25 v 1 mA @ 15 V 500 mv @ 10 na
2SK536-MTK-TB-E onsemi 2SK536-MTK-TB-E -
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK536 - 3-CP - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - 100mA（TJ） 10V - - ±12V - -
MTB10N40E onsemi MTB10N40E 1.6500
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1
FJP1943RTU onsemi FJP1943RTU 2.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FJP1943 80 W TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 2832-fjp1943rtu Ear99 8541.29.0075 50 230 v 15 a 5µA（ICBO） PNP 3V @ 800mA，8a 55 @ 1A，5V 30MHz
FQPF32N12V2 onsemi FQPF32N12V2 -
RFQ
 ECAD 4422 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF3 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 120 v 32A（TC） 10V 50mohm @ 16a，10v 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1860 pf @ 25 V - 50W（TC）
MPS751RLRAG onsemi mps751rlrag -
RFQ
 ECAD 1922年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） MPS751 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 60 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 200mA，2a 75 @ 1A，2V 75MHz
NTTFS4930NTWG onsemi NTTFS4930NTWG -
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTTFS4930 MOSFET （金属 o化物） 8-WDFN（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 4.5A（TA），23a（tc） 4.5V，10V 23mohm @ 6a，10v 2.2V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 V ±20V 476 pf @ 15 V - （790MW）（TA），20.2W（tc）
J113 onsemi J113 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） J113 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 J113FS Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 - 35 v 2 ma @ 15 V 500 mV @ 1 µA 100欧姆
NTMFS4841NHT1G onsemi NTMFS4841NHT1G 0.8300
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 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NTMFS4841 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 8.6a（ta），59a（tc） 4.5V，10V 7mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 33 NC @ 11.5 V ±20V 2113 PF @ 12 V - 870MW（TA），41.7W（tc）
BD442G onsemi BD442G 0.9400
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 ECAD 160 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 BD442 36 W TO-126 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 80 V 4 a 100µA（ICBO） PNP 800mv @ 300mA，3a 40 @ 500mA，1V 3MHz
MMDF1N05ER2 onsemi MMDF1N05ER2 -
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 ECAD 2786 0.00000000 Onmi - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MMDF1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 3V @ 250µA 12.5nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
BC327ZL1G onsemi BC327ZL1G -
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 ECAD 7808 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） BC327 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，1V 260MHz
2SK404E-AC onsemi 2SK404E-AC 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1
BS107AG onsemi BS107AG -
RFQ
 ECAD 3515 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 BS107 MOSFET （金属 o化物） TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 BS107AGOS Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 200 v 250mA（ta） 10V 6.4OHM @ 250mA，10V 3V @ 1mA ±20V 60 pf @ 25 V - 350MW（TA）
PN2222TFR onsemi PN222222TFR -
RFQ
 ECAD 7163 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） PN2222 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 600 MA 10NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V 300MHz
NDS8425 onsemi NDS8425 -
RFQ
 ECAD 9050 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS842 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 7.4a（ta） 2.7V，4.5V 22mohm @ 7.4a，4.5V 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 V ±8V 1098 pf @ 15 V - 2.5W（TA）
BC337-40RL1 onsemi BC337-40RL1 -
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 ECAD 7003 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） BC337 625兆 TO-92（to-226） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50mA，500mA 250 @ 100mA，1V 210MHz
2SC4075E onsemi 2SC4075E 0.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1
BC307BBU onsemi BC307BBU -
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 ECAD 2543 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BC307 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 ma 15NA PNP 500mv @ 5mA，100mA 180 @ 2mA，5v 130MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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