SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
FCPF400N60 onsemi FCPF400N60 3.1200
RFQ
ECAD 816 0.00000000 Onmi SuperFet®II 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FCPF400 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A(TC) 10V 400MOHM @ 5A,10V 3.5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1580 pf @ 25 V - 31W(TC)
KSC1187OTA onsemi KSC1187OTA -
RFQ
ECAD 3336 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) KSC1187 250兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 20 v 30 ma 100NA(ICBO) NPN - 70 @ 2mA,10v 700MHz
KSP44TF onsemi KSP44TF 0.5000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) KSP44 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 400 v 300 MA 500NA NPN 750mv @ 5mA,50mA 50 @ 10mA,10v -
5HN02C-TB-E onsemi 5HN02C-TB-E 0.1000
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
MPS8099G onsemi MPS8099G -
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 MPS809 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 80 V 500 MA 100NA NPN 400mv @ 5mA,100mA 100 @ 1mA,5V 150MHz
KSB1098RTU onsemi KSB1098RTU -
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 KSB10 2 w TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 1µA(ICBO) pnp-达灵顿 1.5V @ 3mA,3a 2000 @ 3A,2V -
2SC5226A-4-TL-E onsemi 2SC5226A-4-TL-E 0.5400
RFQ
ECAD 8108 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SC5226 150MW SC-70 / MCP3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12DB 10V 70mA NPN 90 @ 20mA,5V 7GHz 1dB @ 1GHz
SVC6H890N onsemi SVC6H890N -
RFQ
ECAD 9087 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 MOSFET (金属 o化物) - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 1 n通道 80 V 620a(ta) 10V 0.53MOHM @ 50a,10v 3.7V @ 1.4mA 485 NC @ 10 V ±20V 31000 PF @ 48 V - -
BSS100 onsemi BSS100 -
RFQ
ECAD 2154 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BSS10 MOSFET (金属 o化物) TO-92-3 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 100 v 220mA(ta) 6ohm @ 220mA,10v 2V @ 1mA 2 NC @ 10 V 60 pf @ 25 V -
D44VH10G onsemi D44VH10G 1.1300
RFQ
ECAD 8929 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 D44VH10 83 W TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 80 V 15 a - NPN 400mv @ 400mA,8a 20 @ 4A,1V 50MHz
FQA7N90_F109 onsemi FQA7N90_F109 -
RFQ
ECAD 5092 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FQA7 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 7.4A(TC) 10V 1.55ohm @ 3.7A,10V 5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 2280 pf @ 25 V - 198W(TC)
NSVMMBTA05LT1G onsemi NSVMMBTA05LT1G 0.4400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 NSVMMBTA05 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
ISL9V5036S3ST onsemi ISL9V5036S3ST 4.1500
RFQ
ECAD 493 0.00000000 Onmi Ecospark® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ISL9V5036 逻辑 250 w d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 300V,1KOHM,5V - 390 v 46 a 1.6V @ 4V,10a - 32 NC - /10.8µs
2N4123TA onsemi 2N4123TA -
RFQ
ECAD 4043 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N4123 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 200 ma 50NA(iCBO) NPN 300mv @ 5mA,50mA 50 @ 2mA,1V 250MHz
PN200A_D74Z onsemi PN200A_D74Z -
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PN200 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 500 MA 50NA PNP 400mv @ 20mA,200mA 300 @ 10mA,1V 250MHz
2SA2126-E onsemi 2SA2126-E -
RFQ
ECAD 5471 0.00000000 Onmi - 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA 2SA2126 800兆 TP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 50 V 3 a 1µA(ICBO) PNP 520mv @ 100mA,2a 200 @ 100mA,2V 390MHz
FCPF380N60E-F152 onsemi FCPF380N60E-F152 -
RFQ
ECAD 1160 0.00000000 Onmi SuperFet®II 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FCPF380 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10.2A(TC) 380MOHM @ 5A,10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V 1770 pf @ 25 V - 31W(TC)
SMUN2232T1G onsemi Smun2232T1G 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Smun2232 230兆 SC-59 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA,10mA 15 @ 5mA,10v 4.7科姆斯 4.7科姆斯
MTB29N15ET4 onsemi MTB29N15ET4 1.7800
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 169
FDP2552 onsemi FDP2552 2.2600
RFQ
ECAD 759 0.00000000 Onmi PowerTrench® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FDP25 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 5A(5A),37A (TC) 6V,10V 36mohm @ 16a,10v 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 150W(TC)
FCH35N60 onsemi FCH35N60 -
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 Onmi SuperMos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 FCH35 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 600 v 35A(TC) 10V 98mohm @ 17.5a,10v 5V @ 250µA 181 NC @ 10 V ±30V 6640 pf @ 25 V - 312.5W(TC)
KSA614YTU onsemi KSA614YTU -
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSA614 25 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 55 v 3 a 50µA(ICBO) PNP 500mv @ 100mA,1a 120 @ 500mA,5V -
NTD3055-094-1G onsemi NTD3055-094-1G -
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA NTD30 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 12a(12a) 10V 94mohm @ 6a,10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 450 pf @ 25 V - 1.5W(ta),48W(tj)
MTW32N20EG onsemi MTW32N20EG -
RFQ
ECAD 2488 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MTW32 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 (1 (无限) 到达不受影响 MTW32N20EGOS Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 32A(TC) 10V 75mohm @ 16a,10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 5000 pf @ 25 V - 180W(TC)
2N6042 onsemi 2N6042 -
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 2N6042 75 w TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 8 a 20µA pnp-达灵顿 2V @ 12mA,3a 1000 @ 3A,4V -
2N7002LT1 onsemi 2N7002LT1 -
RFQ
ECAD 6229 0.00000000 Onmi - (CT) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2N7002 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 115mA(tc) 7.5OHM @ 500mA,10V 2.5V @ 250µA 50 pf @ 25 V -
MMBTA70LT1 onsemi MMBTA70LT1 -
RFQ
ECAD 6118 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBTA70 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 100 ma 100NA(ICBO) PNP 250mv @ 1mA,10mA 40 @ 5mA,10v 125MHz
NVF2955PT1G onsemi NVF2955PT1G -
RFQ
ECAD 7400 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA NVF295 MOSFET (金属 o化物) SOT-223(TO-261) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 60 V 1.7A(TA) 10V 185mohm @ 2.4a,10v 4V @ 1mA 14.3 NC @ 10 V ±20V 492 PF @ 25 V - 1W(ta)
KSA614OTU onsemi KSA614OTU -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSA614 25 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 55 v 3 a 50µA(ICBO) PNP 500mv @ 100mA,1a 70 @ 500mA,5V -
2N6517TA onsemi 2N6517TA 0.4500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Onmi - (CT) 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N6517 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 350 v 500 MA 50NA(iCBO) NPN 1V @ 5mA,50mA 20 @ 50mA,10v 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库