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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTB75N03R	-	RFQ	6624	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	25 v	9.7a（ta），75a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	13.2 NC @ 10 V	±20V	1333 PF @ 20 V	-	1.25W（TA），74.4W（tc）
FHR1200	-	RFQ	3545	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FHR12		227兆	SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													100 v	50 mA	-	NPN + Zener 二极管（隔离）	-	-	-
NTD18N06L-001	-	RFQ	3399	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD18	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	18A（18A）	5V	65mohm @ 9a，5v	2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±15V	675 PF @ 25 V	-	2.1W（ta），55W（（（（（（）
2N6487	-	RFQ	6332	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6487		1.8 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													60 V	15 a	1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
BC558CTA	-	RFQ	2903	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
BC846BLT3G	0.1500	RFQ	193	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
NSVIMD10AMT1G	0.4900	RFQ	88	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	NSVIMD10		285MW	SC-74R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	500mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5v / 68 @ 100mA，5V	-	13KOHMS，130OHMS	10KOHMS
FCA47N60F_SN00171	-	RFQ	2517	Onmi	SuperFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FCA47	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	47A（TC）	10V	73mohm @ 23.5a，10v	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	417W
FCMT199N60	5.1600	RFQ	2	Onmi	SuperFet®II	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	FCMT199	MOSFET （金属 o化物）		Power88	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	20.2A（TC）	10V	199mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 100 V	-	208W（TC）
2SC5414AF	-	RFQ	4702	Onmi	-	包	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2SC5414			3-np	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500															-	-	-	-	-
MPSA29	0.4600	RFQ	30	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA29		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													100 v	800 MA	500NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
FJC2383YTF	-	RFQ	7386	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	FJC23		500兆	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													160 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	160 @ 200ma，5V	100MHz
NTD4804N-1G	-	RFQ	9955	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	30 V	14.5A（TA），124A （TC）	4.5V，11.5V	4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4490 pf @ 12 V	-	1.43W（ta），107W（tc）
FDS8958	-	RFQ	7563	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	7a，5a		28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	26NC @ 10V		789pf @ 10V	逻辑级别门
BC308BBU	-	RFQ	4418	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC308		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													25 v	100 ma	15NA	PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
MMBT3904WT1G	0.1500	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MMBT3904		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma	-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
KSC1845PTA	-	RFQ	8537	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1845		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													120 v	50 mA	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	110MHz
NTMTSC002N10MCTXG	5.9500	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	NTMTSC002	MOSFET （金属 o化物）		8-TDFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	45A（TA），236A （TC）		2mohm @ 90a，10v	4V @ 520µA	89 NC @ 10 V	±20V	6305 PF @ 50 V	-	（9W）（255W）（TC）
SDTC124EET1G	0.3600	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	SDTC124		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
FQD8N25TF	-	RFQ	7225	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD8	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	6.2A（TC）	10V	550MOHM @ 3.1A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	530 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
BD678AG	-	RFQ	4998	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD678		40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500													60 V	4 a	500µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
NJL1302D	-	RFQ	6708	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-5	NJL1302		200 w	TO-264	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NJL1302DOS	Ear99	8541.29.0075	2,500													260 v	15 a	50µA（ICBO）	PNP	3V @ 1a，10a	75 @ 5A，5V	30MHz
2SC3784	0.1600	RFQ	80	Onmi	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
FDZ493P	-	RFQ	8609	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WFBGA	FDZ49	MOSFET （金属 o化物）		9-BGA（1.55x1.55）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	46MOHM @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	754 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
mps6651g	-	RFQ	2945	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS665		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													25 v	1 a	100NA	PNP	600mv @ 100mA，1a	50 @ 500mA，1V	100MHz
MJD112TF	-	RFQ	8056	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD11		1.75 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													100 v	2 a	20µA	npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
MJE172G	0.6200	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE172		1.5 w	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													80 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
SPA13003-S-AC	0.0600	RFQ	25	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
MUN5130T1G	0.0252	RFQ	2862	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5130		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
HUFA75617D3S	-	RFQ	1939年	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道	100 v	16A（TC）	10V	90mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 20 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	64W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²