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晶体管（17799）

产品编号	定价（美元）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 - 最大	供应商设备包	数据表	ROHS状态	水分灵敏度水平（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	FET类型	测试条件	排出源电压（VDSS）	电流 - 连续排水（ID） @ 25°C	驱动电压（最大RDS，最小RDS打开）	rds on（max） @ id，vgs	VGS（th）（Max） @ ID	门充电（QG）（Max） @ VGS	VGS（最大）	输入电容（CISS）（最大） @ vds	FET功能	功率耗散（最大）	反向恢复T（TRR）	IGBT类型	电压 - 收集器发射器故障（最大）	电流 - 收集器（IC）（最大）	电流 - 收集器脉冲（ICM）	vce（on）（on）（max） @ vge，ic	切换能量	门充电	TD（开/关） @ 25°C	当前 - 收集器截止（最大）	晶体管类型	VCE饱和度（Max） @ IB，IC	直流电流增益（HFE）（min） @ ic，vce	频率 - 过渡	电阻 - 底座（R1）	电阻 - 发射极底座（R2）
NTB75N03L09T4	-	RFQ	9000	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	NTB75N03L09T4OS	Ear99	8541.29.0095	800		N通道		30 V	75a（TC）	5V	8mohm @ 37.5A，5V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），125W（TC）
FDH5500	-	RFQ	5723	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FDH550		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300		N通道		55 v	75a（TC）	10V	7MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	268 NC @ 20 V	±30V	3565 pf @ 25 V	-	375W（TC）
MJD350G	-	RFQ	9369	Onmi	-	管子	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	MJD35			15 W	DPAK	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75																300 v	500 MA						100µA	PNP	-	30 @ 50mA，10v	-
mpsa92rlrag	-	RFQ	1032	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3长体（形成的铅）	MPSA92			625兆W	TO-92（TO-226）	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																300 v	500 MA						250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
FDMC007N08LC	2.2900	RFQ	10	Onmi	Automotive，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	积极的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC007		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN（3.3x3.3），Power33	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		N通道		80 V	66a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 21a，10v	2.5V @ 120µA	41 NC @ 10 V	±20V	2940 pf @ 40 V	-	57W（TC）
2SC3468F-AE	0.1800	RFQ	67	Onmi	*	大部分	积极的									下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
mps6601rlrag	-	RFQ	3551	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3长体（形成的铅）	MPS660			625兆W	TO-92（TO-226）	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																25 v	1 a						100NA	NPN	600mv @ 100mA，1a	50 @ 500mA，1V	100MHz
FDD5N50NZTM	1.0400	RFQ	460	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（TR）	积极的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	FDD5N50		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		N通道		500 v	4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	440 pf @ 25 V	-	62W（TC）
FDMS8820	1.3100	RFQ	4727	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	积极的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS88		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN（5x6）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		N通道		30 V	28a（TA），116a（TC）	4.5V，10V	2MOHM @ 28A，10V	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	5315 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），78W（TC）
FJZ733OTF	-	RFQ	5400	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ733			100兆W	SOT-623F	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	150 ma						100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	180MHz
NSBC124EF3T5G	0.5700	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBC124			254兆W	SOT-1123	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																50 V	100 ma						500NA	NPN-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10V		22 KOHMS	22 KOHMS
HGTG20N60A4D	3.1592	RFQ	6058	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG20N60	标准		290 w	TO-247-3	下载	ROHS3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			390V，20A，3OHM，15V											35 ns	-	600 v	70 a	280 a	2.7V @ 15V，20a	105µJ（ON），150µJ（OFF）	142 NC	15NS/73NS
mpsa64rlrag	-	RFQ	6122	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3长体（形成的铅）	MPSA64			625兆W	TO-92（TO-226）	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	500 MA						100NA（ICBO）	PNP-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BCX17LT1G	0.2200	RFQ	20	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX17			300兆W	SOT-23-3（TO-236）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响	BCX17LT1GOSTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																45 v	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	-
2SD1060R-1EX	1.1130	RFQ	5069	Onmi	-	管子	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SD1060			1.75 w	TO-220-3	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50																50 V	5 a						100µA（ICBO）	NPN	300mv @ 300mA，3a	100 @ 1A，2V	30MHz
2N4401_S00Z	-	RFQ	5431	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4401			625兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																40 V	600 MA						-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
KSB564ACGBU	-	RFQ	3910	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSB56			800兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																25 v	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	110MHz
FDD107AN06LA0	-	RFQ	7248	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	FDD107		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		N通道		60 V	3.4a（ta），10.9a（TC）	5V，10V	91MOHM @ 10.9a，10V	3V @ 250µA	5.5 NC @ 5 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	25W（TC）
NSBC144EDP6T5G	0.4000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		表面安装	SOT-963	NSBC144			339MW	SOT-963	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																50V	100mA						500NA	2 NPN-预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	47kohms
FJNS3208RBU	-	RFQ	3454	Onmi	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3短体	FJNS32			300兆W	TO-92S	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）	NPN-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
NSBA114TDP6T5G	0.4700	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		表面安装	SOT-963	NSBA114			408MW	SOT-963	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																50V	100mA						500NA	2 PNP-预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
FDB8860	3.2900	RFQ	90	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB886		MOSFET（金属O化物）		D²Pak（TO-263）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		N通道		30 V	80a（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	12585 pf @ 15 V	-	254W（TC）
FDS6673AZ	-	RFQ	1021	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-SOIC（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS66		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	4480 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
MCH6663-TL-H	-	RFQ	3918	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6663		MOSFET（金属O化物）	800MW	6-MCPH	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	N和P通道			30V	1.8a，1.5a		188mohm @ 900mA，10v	-	2NC @ 10V		88pf @ 10V	逻辑级别门
FCD1300N80Z	2.0800	RFQ	6046	Onmi	SuperFet®II	胶带和卷轴（TR）	不适合新设计	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	FCD1300		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		N通道		800 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	4.5V @ 400µA	21 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 100 V	-	52W（TC）
FDS4770	-	RFQ	4781	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS47		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		N通道		40 V	13.2a（ta）	10V	7.5mohm @ 13.2a，10v	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
FSB6726	-	RFQ	9072	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FSB672			500兆W	SOT-23-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																30 V	1.5 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1A，1V	-
KSE45H8	-	RFQ	8912	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSE45			1.67 w	TO-220-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1200																60 V	10 a						10µA	PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	40MHz
FDP045N10A	-	RFQ	1965年	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP045		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	-		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		N通道		100 v	120a（TC）	10V	4.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	263W（TC）
TIP36AG	3.6900	RFQ	8020	Onmi	-	管子	积极的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示36			125 w	TO-247-3	下载	ROHS3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																60 V	25 a						1ma	PNP	4V @ 5A，25A	15 @ 15a，4V	3MHz

2000+
Daily average RFQ Volume
30,000,000
Standard Product Unit
2800+
Worldwide Manufacturers
15,000 m²
In-stock Warehouse

晶体管（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²