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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	（ID） - 最大
2SB1201S-TL-E	0.8900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1201		800兆	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700													50 V	2 a				100NA（ICBO）		PNP	700mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz
NST3904DXV6T5G	0.4200	RFQ	14	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NST3904		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													40V	200mA				-		2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
2n6042g	-	RFQ	6761	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6042		75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													100 v	8 a				20µA		pnp-达灵顿	2V @ 12mA，3a	1000 @ 3A，4V	-
BC858CMTF	-	RFQ	8088	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma				15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
MMPQ2222A	2.7300	RFQ	8841	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ2222		1W	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													40V	500mA				10NA（ICBO）		4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
NVHL072N65S3	8.2200	RFQ	5979	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®III	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL072	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	44A（TC）	10V	72MOHM @ 22a，10v	4.5V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 400 V	-	312W（TC）
2SC2274KF-AA	0.0900	RFQ	16	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
ECH8311-TL-H	0.3000	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
2N5210TAR	-	RFQ	8845	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5210		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													50 V	100 ma				50NA（iCBO）		NPN	700mv @ 1mA，10mA	200 @ 100µA，5V	30MHz
NSBA115TF3T5G	0.0598	RFQ	7235	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBA115		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma				500NA		pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v		100 kohms
BUX85	-	RFQ	2613	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUX85		50 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													450 v	2 a				200µA		NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 100mA，5v	4MHz
2N4401RLRA	-	RFQ	3021	Onmi	*	（CT）	过时的				2N4401				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
NDD04N50Z-1G	-	RFQ	6758	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD04	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	12 nc @ 10 V	±30V	308 pf @ 25 V	-	61W（TC）
FDB8443-F085	-	RFQ	4831	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB844	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	25A（TA）	10V	5.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IRF540A	-	RFQ	1834年	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF54	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	52mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	107W（TC）
2N4410_D74Z	-	RFQ	4627	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4410		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													80 V	200 ma				10NA（ICBO）		NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
NVMYS003N08LHTWG	1.0309	RFQ	6079	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMYS003N08LHTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	22a（22a），132a（tc）	4.5V，10V	3.3mohm @ 50a，10v	2V @ 183µA	64 NC @ 10 V	±20V	3735 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），137W（TC）
MMBT3906-G	0.0200	RFQ	202	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	SOT23-3（TO-236）	下载	不适用				Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma				100µA		PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
NTHL065N65S3F	12.5200	RFQ	4135	Onmi	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL065	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	46A（TC）	10V	65mohm @ 23A，10V	5V @ 4.6mA	98 NC @ 10 V	±30V	4075 PF @ 400 V	-	337W（TC）
kse170stu	-	RFQ	7652	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSE17		1.5 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60													40 V	3 a				100NA（ICBO）		PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
TF262th-4-TL-H	-	RFQ	4613	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	TF262		100兆	VTFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道								3.5pf @ 2V						140 µA @ 2 V	200 mV @ 1 µA								1 MA
2N5459_D27Z	-	RFQ	1799年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5459		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道								7pf @ 15V					25 v	4 mA @ 15 V	2 V @ 10 na
FQPF16N25C	-	RFQ	3977	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	43W（TC）
NTMD4840NR2G	-	RFQ	3619	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD4840	MOSFET （金属 o化物）	680MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4.5a		24mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	9.5NC @ 10V		520pf @ 15V	逻辑级别门
MCH6101-TL-E	-	RFQ	5524	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6101		1 w	6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													15 v	1.5 a				100NA（ICBO）		PNP	180mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	430MHz
FQA10N80	-	RFQ	1470	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	9.8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4.9A，10V	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	240W（TC）
PCISL9R1560W	1.3900	RFQ	1632年	Onmi	-	大部分	上次购买				PCISL9				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCISL9R1560W	Ear99	8541.29.0095	1
NTD4815N-35G	0.7800	RFQ	153	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD4815	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	14.1 NC @ 11.5 V	±20V	770 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
MMBF4392LT1G	0.3900	RFQ	387	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF4392		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V							14pf @ 15V					30 V	25 ma @ 15 V	2 V @ 10 na		60欧姆
2N5458G	-	RFQ	8365	Onmi	-	大部分	过时的	135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5458		310 MW	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2N5458GOS	Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道	25 v							7pf @ 15V					25 v	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²