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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MJW21191	-	RFQ	7013	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MJW21			125 w		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																150 v	8 a						10µA			PNP	2V @ 1.6a，8a	15 @ 4A，2V	4MHz
HUF76429D3ST	-	RFQ	8190	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF76		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
PN2222_J18Z	-	RFQ	4311	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN2222			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	600 MA						10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MPSA77_D74Z	-	RFQ	4637	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA77			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	1.2 a						100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	100MHz
BC327TAR	-	RFQ	7604	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC327			625兆		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
NVB095N65S3F	6.8800	RFQ	7209	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	36a（TC）	10V	95mohm @ 18a，10v	5V @ 860µA	66 NC @ 10 V	±30V	3020 PF @ 400 V	-	272W（TC）
IRLR230ATF	-	RFQ	7940	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR23		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		200 v	7.5A（TC）	5V	400MOHM @ 3.75a，5V	2V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±20V	755 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
FDB8444	2.2100	RFQ	271	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB844		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	70A（TC）	10V	5.5MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8035 PF @ 25 V	-	167W（TC）
FDS6572A	-	RFQ	5330	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS65		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		20 v	16A（TA）	2.5V，4.5V	6mohm @ 16a，4.5V	1.5V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±12V	5914 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
SJD127T4G	0.3469	RFQ	7393	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	SJD127					-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																							-			-	-	-	-
MUN2112T1	0.0600	RFQ	51	Onmi	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2112			230兆		SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
NJVMJK32CTWG	1.0500	RFQ	1547年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NJVMJK32			2.7W		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																100V	3a						50µA				1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
NTB35N15T4	-	RFQ	1215	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB35		MOSFET （金属 o化物）			D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTB35N15T4OS	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	37a（ta）	10V	50mohm @ 18.5a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	2W（ta），178W （TJ）
3LP01M-TL-E	-	RFQ	4507	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	3LP01		MOSFET （金属 o化物）			MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	（100mA）（TA）	1.5V，4V	10.4ohm @ 50mA，4V	-	1.43 NC @ 10 V	±10V	7.5 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
MMUN2133LT1	0.0200	RFQ	36	Onmi	-	大部分	过时的				MMUN2133						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTD65N03R-035	-	RFQ	7135	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD65		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		25 v	9.5A（TA），32a （TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1400 pf @ 20 V	-	1.3W（TA），50W（TC）
BC846AMTF-ON	0.0300	RFQ	27	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				310 MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	8,876																65 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FDD2570	-	RFQ	5238	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD257		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	4.7a（ta）	6V，10V	80MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1907 PF @ 75 V	-	3.2W（ta），70W（70W）TC）
KSC3502ES	-	RFQ	7152	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3502			1.2 w		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250																200 v	100 ma						100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	150MHz
HUF753433	-	RFQ	6302	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF75		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
BC558TA	-	RFQ	7629	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC558			500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
KSD1406OTU	-	RFQ	9310	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1406			25 w		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																60 V	3 a						100µA（ICBO）			NPN	1V @ 300mA，3a	60 @ 500mA，5V	3MHz
2SA2210-EPN-1E	1.6700	RFQ	350	Onmi	*	管子	积极的		-	-	2SA2210					-	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
2SC4412-5-TB-E	0.1100	RFQ	63	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
SST45011MW6T1G	0.1400	RFQ	168	Onmi	*	大部分	积极的				SST45011						下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SST45011MW6T1G-488	Ear99	8541.21.0095	2,251
FDMC013P030Z	-	RFQ	2769	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC013		MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	54A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±25V	5785 pf @ 15 V	-	30W（TC）
FGH40T120SMD	9.5800	RFQ	3902	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40	标准		555 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FGH40T120SMD-488	Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，10ohm，15V											65 ns	沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	2.7MJ（在）上，1.1MJ off）	370 NC	40NS/475NS
FMG1G50US60H	-	RFQ	9963	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga	FMG1			250 w	标准	7 pm-ga	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单身的														-	600 v	50 a		2.8V @ 15V，50a				250 µA	不	3.46 NF @ 30 V
MMSF10N03ZR2	0.2000	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FW340-m-TL-E	0.5900	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的				FW340		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²