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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
NTRV4101PT1G	0.6300	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTRV4101		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				20 v	1.8A（ta）	1.8V，4.5V	85mohm @ 1.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	675 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
fjn4301rbu	-	RFQ	8585	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN430			300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																	50 V	100 ma		100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
KSD363O	-	RFQ	7488	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD363			40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																	120 v	6 a		1ma（iCBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	70 @ 1A，5V	10MHz
TIP140	-	RFQ	8686	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TIP140			125 w	TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																	60 V	10 a		2mA	npn-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
mpsh17g	-	RFQ	3321	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSH17			350MW	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	mpsh17gos	Ear99	8541.21.0075	5,000					24dB												15V	-			NPN		25 @ 5mA，10v	800MHz			6DB @ 200MHz
KSB596YTU	1.1200	RFQ	338	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSB596			30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-ksb596ytu	Ear99	8541.29.0095	50																	80 V	4 a		70µA（ICBO）	PNP	1.7V @ 300mA，3a	120 @ 500mA，5V	3MHz
BDW93CFTU	-	RFQ	3933	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW93			80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																	100 v	12 a		1ma	npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
DTA123JET1G	0.2100	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA123			200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma		500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
NSBA124EDXV6T5G	-	RFQ	4115	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA124			500MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																	50V	100mA		500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
FQB9N15TM	-	RFQ	8803	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB9		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
NSVUMC3NT1G	0.1151	RFQ	5015	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	NSVUMC3			150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVUMC3NT1GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA		500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
NTD23N03R-001	-	RFQ	7351	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD23		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				25 v	3.8A（TA），17.1A（TC）	4V，5V	45mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	3.76 NC @ 4.5 V	±20V	225 pf @ 20 V	-	1.14W（TA），22.3W（tc）
BDX53CTU	-	RFQ	7952	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX53			60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																	100 v	8 a		500µA	npn-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
EFC4615R-Tr	0.4700	RFQ	3258	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，FCBGA	EFC4615		MOSFET （金属 o化物）		EFCP1515-4CC-037	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				24 V	6a（6a）	2.5V，4.5V	31MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 1mA	8.8 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
BC635_D75Z	-	RFQ	4845	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC635			1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																	45 v	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
NTTFS4932NTWG	-	RFQ	1423	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4932		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				30 V	（11A）（ta），79a （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	46.5 NC @ 10 V	±20V	3111 pf @ 15 V	-	850MW（TA），43W（tc）
MMBT3904TT1H	0.0400	RFQ	329	Onmi	*	大部分	积极的					MMBT3904					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
NTMFS015N10MCLT1G	1.4900	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS015		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				100 v	10.5A（ta），54a（tc）	4.5V，10V	12.2MOHM @ 14A，10V	2.2V @ 282µA	19 nc @ 10 V	±20V	13380 pf @ 50 V	-	（3W）（ta），79w（tc）
FDB8896-F085	-	RFQ	1284	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB8896		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				30 V	19a（19a ta），93a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
NTMFS0D55N03CGT1G	5.5600	RFQ	855	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				30 V	35A（TA）	10V	0.58MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 330µA	224.9 NC @ 10 V	±20V	18500 pf @ 15 V	-	1.1W（TA）
2N6517BU	0.4900	RFQ	53	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N6517			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-2N6517BU	Ear99	8541.21.0075	10,000																	350 v	500 MA		50NA（iCBO）	NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
CPH3331-TL-E	0.1500	RFQ	33	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
MPSA93_D26Z	-	RFQ	6163	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA93			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																	200 v	500 MA		250NA（ICBO）	PNP	400mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	50MHz
MJD2955	-	RFQ	7021	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD29			1.75 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75																	60 V	10 a		50µA	PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
2N5485	-	RFQ	9632	Onmi	-	大部分	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5485	400MHz	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		10mA	-	-											4DB			15 v
NDBA170N06AT4H	-	RFQ	2905	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDBA17		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				60 V	170a（ta）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	2.6V @ 1mA	280 NC @ 10 V	±20V	15800 PF @ 20 V	-	90W（TC）
NTS2101PT1	-	RFQ	3583	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NTS210		MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				8 V	1.4a（ta）	1.8V，4.5V	100mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	6.4 NC @ 5 V	±8V	640 pf @ 8 V	-	290MW（TA）
tip29atu	-	RFQ	8078	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP29			2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	60 V	1 a		300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
FDD5N60NZTM	1.1900	RFQ	9920	Onmi	Unifet-II™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD5N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	600 pf @ 25 V	-	83W（TC）
NSBA114EDXV6T5G	-	RFQ	2333	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA114			500MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																	50V	100mA		500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²