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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NVMFS5C420NLT1G	3.3000	RFQ	6423	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	45A（TA），277A （TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 200µA	100 nc @ 10 V	±20V	7020 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），146W（tc）
FCI25N60N-F102	-	RFQ	9655	Onmi	Supremos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FCI25N60	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
5LN01C-TB-E	-	RFQ	7723	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	5LN01	MOSFET （金属 o化物）		SC-59-3/CP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	（100mA）（TA）	1.5V，4V	7.8OHM @ 50mA，4V	-	1.57 NC @ 10 V	±10V	6.6 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
mje181stu	0.6100	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE181		1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,920													60 V	3 a	100µA（ICBO）	NPN	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
SMMBT3904WT1G	0.4500	RFQ	7	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SMMBT3904		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma	-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
MUN2134T1	-	RFQ	1865年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2134		230兆	SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
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NSTJD1155LT1G	-	RFQ	9868	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	NSTJD1	-	-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	-		-	-		-	-	-		-	-
mps750rlrag	-	RFQ	4245	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS750		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													40 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
FDS7096N3	-	RFQ	8122	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	1587 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
KSE5742	-	RFQ	2279	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSE57		80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200													400 v	8 a	-	npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 4A，5V	-
ATP201-V-TL-H	-	RFQ	9256	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP201	-		Atpak	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-		35A（TJ）		-	-				-	-
NSVMMBT5087LT1G	0.3800	RFQ	2274	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMBT5087		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	50 mA	50NA（iCBO）	PNP	300mv @ 1mA，10mA	250 @ 100µA，5V	40MHz
FDMS3669S-SN00345	-	RFQ	4272	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3669	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC）	Power56	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-FDMS3669S-SN00345TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	（13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC）		10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v	2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA	24nc @ 10v，34nc @ 10V		1605pf @ 15V，2060pf @ 15V	-
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SFT1342-W	-	RFQ	6786	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT1342	MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道	60 V	12a（12a）	4V，10V	62mohm @ 6a，10v	-	26 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 20 V	-	1W（1W），15W（tc）
NVMFD5C680NLWFT1G	1.6900	RFQ	3725	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5	MOSFET （金属 o化物）	3W（TA），19w（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		60V	7.5a（ta），26a（tc）		28mohm @ 5a，10v	2.2V @ 13µA	2NC @ 4.5V		350pf @ 25V	-
2N3702_D75Z	-	RFQ	7236	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3702		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													25 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 50mA，5V	100MHz
FDMS9408-F085	-	RFQ	9814	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMS94	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	214W（TJ）
SPZT2222AT1G	0.7500	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SPZT2222		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FDG6306P	0.6000	RFQ	7643	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6306	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	600mA		420MOHM @ 600mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2NC @ 4.5V		114pf @ 10V	逻辑级别门
BC849BLT1G	0.2200	RFQ	17	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC849		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
FQP47P06	3.4100	RFQ	7962	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP47	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	47A（TC）	10V	26mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3600 PF @ 25 V	-	160W（TC）
FDW2501N	-	RFQ	8292	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25	MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	6a		18mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1290pf @ 10V	逻辑级别门
NTTFS5826NLTWG	-	RFQ	9685	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	8a（8a）	4.5V，10V	24mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），19w（（（（（（（（
2SK4126	-	RFQ	8441	Onmi	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK4126	MOSFET （金属 o化物）		to-3pb	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	650 v	15A（TA）	10V	720MOHM @ 6A，10V	-	45.4 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2.5W（TA），170W（tc）
CPH3445-TL-E	0.1200	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
2SC6044-TD-E	0.1000	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
2SA1552T-TL-E	0.8500	RFQ	195	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA1552		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700													160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
2SC2274E-AA	0.0600	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²