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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
NZT6728 onsemi NZT6728 -
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-3 NZT67 1 w SOT-223-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 60 V 1.2 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 10mA，250mA 50 @ 250mA，1V -
J211_D27Z onsemi J211_D27Z -
RFQ
 ECAD 6812 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 25 v 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） J211 - JFET TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 20mA - - -
2SJ664-E onsemi 2SJ664-E 0.7200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ664 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 417 -
J309_D26Z onsemi J309_D26Z -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 25 v 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） J309 450MHz JFET TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 30mA 10 MA - 12DB 3DB 10 v
FX513-N-TL-E onsemi FX513-N-TL-E 0.2900
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
NTMFS4C905NAT3G onsemi NTMFS4C905NAT3G 0.5769
RFQ
 ECAD 4006 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 NTMFS4 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NTMFS4C905NAT3GTR Ear99 8541.29.0095 5,000
STD110N02RT4G onsemi STD110N02RT4G -
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 STD11 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 24 V 32a（ta） 4.5V，10V 4.6mohm @ 20a，10v 2V @ 250µA 28 NC @ 4.5 V ±20V 3440 pf @ 20 V - 1.5W（TA），110W（tc）
BSS123LT3G onsemi BSS123LT3G -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS123 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3（TO-236） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 100 v 170mA（TA） 10V 6ohm @ 100mA，10v 2.8V @ 1mA ±20V 20 pf @ 25 V - 225MW（TA）
BD239BTU onsemi BD239BTU -
RFQ
 ECAD 4928 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 BD239 30 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 80 V 2 a 300µA NPN 700mv @ 200mA，1a 15 @ 1A，4V -
FJP3835TU onsemi fjp3835tu -
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FJP383 50 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 120 v 8 a 100µA（ICBO） NPN 500mv @ 300mA，3a 120 @ 3A，4V 30MHz
2SA2040-E onsemi 2SA2040-E -
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA 2SA2040 1 w TP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 50 V 8 a 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 40mA，2a 200 @ 500mA，2V 330MHz
MJD122T4G onsemi MJD122T4G 0.7100
RFQ
 ECAD 1809年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MJD122 1.75 w DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 100 v 8 a 10µA npn-达灵顿 4V @ 80mA，8a 1000 @ 4A，4V 4MHz
FCU4300N80Z onsemi FCU4300N80Z 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi SuperFet®II 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA FCU4300 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 800 v 1.6A（TC） 10V 4.3OHM @ 800mA，10V 4.5V @ 160µA 8.8 NC @ 10 V ±20V 355 pf @ 100 V - 27.8W（TC）
BC847CWT1G onsemi BC847CWT1G 0.1700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BC847 150兆 SC-70-3（SOT323） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 420 @ 2mA，5V 100MHz
FQPF28N15 onsemi FQPF28N15 -
RFQ
 ECAD 7162 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF2 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 150 v 16.7A（TC） 10V 90MOHM @ 8.35a，10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±25V 1600 pf @ 25 V - 60W（TC）
FDMC7696-L701 onsemi FDMC7696-L701 0.2507
RFQ
 ECAD 6842 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-mlp（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-FDMC7696-L701TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 12a（12a），20A （TC） 4.5V，10V 11.5MOHM @ 12A，10V 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1430 pf @ 15 V - 2.4W（25W）（25W（tc）
FJN4307RTA onsemi FJN4307RTA -
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） FJN430 300兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
BSR50_D74Z onsemi BSR50_D74Z -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BSR50 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 45 v 1.5 a 50NA（iCBO） npn-达灵顿 1.6V @ 4mA，1a 2000 @ 500mA，10V -
UMA4NT1 onsemi uma4nt1 -
RFQ
 ECAD 2390 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 MA4 150MW SC-88A（SC-70-5/SOT-353） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 250mv @ 300µA，10mA 160 @ 5mA，10v - 10KOHMS -
MJH11022 onsemi MJH11022 -
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-218-3 MJH11 150 w SOT-93 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 MJH11022OS Ear99 8541.29.0095 30 250 v 15 a 1ma npn-达灵顿 4V @ 150mA，15a 400 @ 10a，5v 3MHz
NDT02N40T1G onsemi NDT02N40T1G -
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 TO-261-4，TO-261AA NDT02 MOSFET （金属 o化物） SOT-223（TO-261） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 400mA（TC） 10V 5.5OHM @ 220mA，10V 2V @ 250µA 5.5 NC @ 10 V ±20V 121 pf @ 25 V - 2W（TC）
NJL3281D onsemi NJL3281D -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-5 NJL3281 200 w TO-264 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NJL3281DOS Ear99 8541.29.0075 2,500 260 v 15 a 50µA（ICBO） NPN 3V @ 1a，10a 75 @ 5A，5V 30MHz
MUN5212T1 onsemi MUN5212T1 0.0500
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 MUN52 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
KSC2881YTF onsemi KSC2881YTF -
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA KSC2881 1 w SOT-89-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4,000 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 120 @ 100mA，5V 120MHz
NSVDTA123EM3T5G onsemi NSVDTA123EM3T5G 0.0575
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 NSVDTA123 260兆 SOT-723 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 5mA，10mA 8 @ 5mA，10v 2.2 kohms 2.2 kohms
MTDF1N03HDR2 onsemi MTDF1N03HDR2 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000
MCH6336-TL-H onsemi MCH6336-TL-H -
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MCH63 MOSFET （金属 o化物） 6-MCPH 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 5A（5A） 1.8V，4.5V 43mohm @ 3A，4.5V - 6.9 NC @ 4.5 V ±10V 660 pf @ 6 V - 1.5W（TA）
MPS2369 onsemi MPS2369 -
RFQ
 ECAD 1263 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 MPS236 625兆 TO-92（to-226） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 MPS2369OS Ear99 8541.21.0095 5,000 15 v 200 ma 400NA NPN 250mv @ 1mA，10mA 40 @ 10mA，1V -
FQPF22P10 onsemi FQPF22P10 -
RFQ
 ECAD 2281 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF22 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 13.2A（TC） 10V 125mohm @ 6.6a，10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 1500 pf @ 25 V - 45W（TC）
BC548CBU onsemi BC548CBU -
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BC548 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 420 @ 2mA，5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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