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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N6036	-	RFQ	6133	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N6036		40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6036OS	Ear99	8541.29.0095	500												80 V	4 a	100µA	pnp-达灵顿	3V @ 40mA，4a	750 @ 2a，3v	-
DTA124XET1G	0.0297	RFQ	6039	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA124		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
SBC856ALT1G	0.3600	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBC856		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												65 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
FDAF59N30	-	RFQ	9567	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FDAF59	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	300 v	34A（TC）	10V	56mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	4670 pf @ 25 V	-	161W（TC）
BC856BDW1T3G	0.2300	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC856		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000												65V	100mA	15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
KSD560RTSTU	1.0600	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD560		1.5 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50												100 v	5 a	1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 3A，2V	-
BSS123LT1G	0.3700	RFQ	9201	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	170mA（TA）	10V	6ohm @ 100mA，10v	2.6V @ 1mA		±20V	20 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
fjn4303rta-on	1.0000	RFQ	1621年	Onmi	-	大部分	积极的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN430		300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
BC848CMTF	-	RFQ	9749	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
FQD3N60CTM-WS	-	RFQ	6645	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	2.4A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	565 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FJNS3215RTA	-	RFQ	8443	Onmi	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
KSC2334RTU	-	RFQ	2926	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2334		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000												100 v	7 a	10µA（ICBO）	NPN	600mv @ 500mA，5a	40 @ 3a，5v	-
MJE18008	-	RFQ	6492	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE18		125 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE18008OS	Ear99	8541.29.0095	50												450 v	8 a	100µA	NPN	700mv @ 900mA，4.5V	14 @ 1a，5v	13MHz
NTDV3055L104-1G	-	RFQ	2603	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTDV30	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	12a（12a）	5V	104mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	440 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
KSB1366YTU	-	RFQ	2733	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSB13		2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50												60 V	3 a	100µA（ICBO）	PNP	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，5V	9MHz
FQA13N80-F109	4.3200	RFQ	182	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA13	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	800 v	12.6a（TC）	10V	750MOHM @ 6.3A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FJNS4207RTA	-	RFQ	5955	Onmi	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
2N4123TA	-	RFQ	4043	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4123		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	200 ma	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	250MHz
2SB698F	-	RFQ	8243	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	500
FQB17N08TM	-	RFQ	3175	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	16.5A（TC）	10V	115MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），65W（tc）
FDS6675BZ	0.9500	RFQ	8427	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6675	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	2470 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
MJD128T4	-	RFQ	4520	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD12		1.75 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500												120 v	8 a	5mA	pnp-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	4MHz
NSVBC857BLT3G	0.4000	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVBC857		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000												45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PN2484_D74Z	-	RFQ	2298	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN248		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000												60 V	100 ma	10NA（ICBO）	NPN	350mv @ 100µA，1mA	100 @ 10µA，5V	-
NVR1P02T1G	0.4200	RFQ	5	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NVR1P02	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1A（1A）	4.5V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	2.3V @ 250µA	2.5 NC @ 5 V	±20V	165 pf @ 5 V	-	400MW（TA）
PN3569_J05Z	-	RFQ	5722	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN356		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500												40 V	500 MA	50NA（iCBO）	NPN	250mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，1V	-
NTD24N06-001	-	RFQ	3530	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD24	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	24A（24A）	10V	42mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	1.36W（TA），62.5W（tj）
ksp64ta	-	RFQ	6889	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP64		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	500 MA	100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
NSV60100DUW6T1G	-	RFQ	5368	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	NSV601		-	-	-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000												-	-	-	-	-	-	-
FDP150N10	2.7300	RFQ	2665	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	57A（TC）	10V	15mohm @ 49a，10v	4.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	4760 pf @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²