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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SC4449E-AA onsemi 2SC4449E-AA -
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C〜150°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） 600兆 3-np - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SC4449E-AA-488 1 300 v 50 mA - NPN - - 70MHz
MJE13005G onsemi MJE13005G -
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MJE13 2 w TO-220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 MJE13005GOS Ear99 8541.29.0095 50 400 v 4 a - NPN 1V @ 1A，4A 8 @ 2a，5v 4MHz
FCA47N60F_SN00171 onsemi FCA47N60F_SN00171 -
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 Onmi SuperFet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FCA47 MOSFET （金属 o化物） to-3pn - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 47A（TC） 10V 73mohm @ 23.5a，10v 5V @ 250µA 270 NC @ 10 V ±30V 8000 PF @ 25 V - 417W
FX513-N-TL-E onsemi FX513-N-TL-E 0.2900
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
CPH6315-TL-E onsemi CPH6315-TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000
NVMJD2D7N04CLTWG onsemi NVMJD2D7N04CLTWG 1.3539
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 NVMJD2D7 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD2D7N04CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 -
FJP3835TU onsemi fjp3835tu -
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 FJP383 50 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 120 v 8 a 100µA（ICBO） NPN 500mv @ 300mA，3a 120 @ 3A，4V 30MHz
2SA2040-E onsemi 2SA2040-E -
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA 2SA2040 1 w TP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 50 V 8 a 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 40mA，2a 200 @ 500mA，2V 330MHz
FQPF22P10 onsemi FQPF22P10 -
RFQ
 ECAD 2281 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF22 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 13.2A（TC） 10V 125mohm @ 6.6a，10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 1500 pf @ 25 V - 45W（TC）
2N6036 onsemi 2N6036 -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 2N6036 40 W TO-126 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 2N6036OS Ear99 8541.29.0095 500 80 V 4 a 100µA pnp-达灵顿 3V @ 40mA，4a 750 @ 2a，3v -
DTA124XET1G onsemi DTA124XET1G 0.0297
RFQ
 ECAD 6039 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTA124 200兆 SC-75，SOT-416 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，10mA 80 @ 5mA，10v 22 KOHMS 47科姆斯
SBC856ALT1G onsemi SBC856ALT1G 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SBC856 300兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA（icbo） PNP 650mv @ 5mA，100mA 125 @ 2mA，5V 100MHz
FDAF59N30 onsemi FDAF59N30 -
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 Onmi Unifet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 FDAF59 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 34A（TC） 10V 56mohm @ 17a，10v 5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±30V 4670 pf @ 25 V - 161W（TC）
BC856BDW1T3G onsemi BC856BDW1T3G 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BC856 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 65V 100mA 15NA（icbo） 2 PNP （双） 650mv @ 5mA，100mA 220 @ 2mA，5V 100MHz
KSD560RTSTU onsemi KSD560RTSTU 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 KSD560 1.5 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 1µA（ICBO） npn-达灵顿 1.5V @ 3mA，3a 2000 @ 3A，2V -
BSS123LT1G onsemi BSS123LT1G 0.3700
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS123 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3（TO-236） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 100 v 170mA（TA） 10V 6ohm @ 100mA，10v 2.6V @ 1mA ±20V 20 pf @ 25 V - 225MW（TA）
FJN4303RTA-ON onsemi fjn4303rta-on 1.0000
RFQ
 ECAD 1621年 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） FJN430 300兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 56 @ 5mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BC848CMTF onsemi BC848CMTF -
RFQ
 ECAD 9749 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BC848 310 MW SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 420 @ 2mA，5V 300MHz
FQD3N60CTM-WS onsemi FQD3N60CTM-WS -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 FQD3N60 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 2.4A（TC） 10V 3.4OHM @ 1.2A，10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 565 pf @ 25 V - 50W（TC）
FJNS3215RTA onsemi FJNS3215RTA -
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 FJNS32 300兆 TO-92S 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 33 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
KSC2334RTU onsemi KSC2334RTU -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 KSC2334 1.5 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 100 v 7 a 10µA（ICBO） NPN 600mv @ 500mA，5a 40 @ 3a，5v -
MJE18008 onsemi MJE18008 -
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MJE18 125 w TO-220 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 MJE18008OS Ear99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 100µA NPN 700mv @ 900mA，4.5V 14 @ 1a，5v 13MHz
NTDV3055L104-1G onsemi NTDV3055L104-1G -
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA NTDV30 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 12a（12a） 5V 104mohm @ 6a，5v 2V @ 250µA 20 nc @ 5 V ±15V 440 pf @ 25 V - 1.5W（ta），48W（tj）
KSB1366YTU onsemi KSB1366YTU -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 KSB13 2 w TO-220F-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 100µA（ICBO） PNP 1V @ 200mA，2a 100 @ 500mA，5V 9MHz
FQA13N80-F109 onsemi FQA13N80-F109 4.3200
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Onmi QFET® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FQA13 MOSFET （金属 o化物） to-3pn 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 12.6a（TC） 10V 750MOHM @ 6.3A，10V 5V @ 250µA 88 NC @ 10 V ±30V 3500 PF @ 25 V - 300W（TC）
FJNS4207RTA onsemi FJNS4207RTA -
RFQ
 ECAD 5955 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 FJNS42 300兆 TO-92S 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 68 @ 5mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
2N4123TA onsemi 2N4123TA -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N4123 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 200 ma 50NA（iCBO） NPN 300mv @ 5mA，50mA 50 @ 2mA，1V 250MHz
2SB698F onsemi 2SB698F -
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 500
FQB17N08TM onsemi FQB17N08TM -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB FQB1 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 80 V 16.5A（TC） 10V 115MOHM @ 8.25a，10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±25V 450 pf @ 25 V - 3.13W（ta），65W（tc）
FDS6675BZ onsemi FDS6675BZ 0.9500
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6675 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 11a（11a） 4.5V，10V 13mohm @ 11a，10v 3V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±25V 2470 pf @ 15 V - 2.5W（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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