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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTHD5904NT3G	-	RFQ	1670年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
MUN5231T1	-	RFQ	8139	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5231		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	8 @ 5mA，10v		2.2 kohms	2.2 kohms
BC546B	-	RFQ	6021	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC546		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													65 v	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
BC847CDXV6T1G	0.3800	RFQ	980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BC847		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													45V	100mA	15NA（icbo）	2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
2SC4634L	1.3100	RFQ	945	Onmi	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SC4634LS-488			1
BC817-16LT3	-	RFQ	2239	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
HUFA753333	-	RFQ	3727	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	66A（TC）	10V	16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
NVMFS5C450NAFT1G	1.5700	RFQ	3498	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	24A（24A），102A（tc）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 65µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），68W（tc）
NSBA114EF3T5G	0.1078	RFQ	5215	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBA114		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
NTMSD2P102LR2	-	RFQ	7044	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMSD2	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	20 v	2.3a（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±10V	750 pf @ 16 V	Schottky 二极管（孤立）	710MW（TA）
2SK436-19-TB-E	-	RFQ	8880	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2N7002V	0.4600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	280mA		7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
NVMFS5C604NLWFAFT1G	5.7400	RFQ	1369	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	287a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	52 NC @ 4.5 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
2N6517TA	0.4500	RFQ	17	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N6517		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													350 v	500 MA	50NA（iCBO）	NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
BUB323ZT4	-	RFQ	8218	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUB323		150 w	D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	BUB323ZT4OS	Ear99	8541.29.0095	800													350 v	10 a	100µA	npn-达灵顿	1.7V @ 250mA，10a	500 @ 5A，4.6V	2MHz
5HP02M-TL-E	0.0500	RFQ	108	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MPS750G	-	RFQ	3522	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS750		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													40 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
KSC1187YBU	-	RFQ	6840	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC1187		250兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													20 v	30 ma	100NA（ICBO）	NPN	-	120 @ 2mA，10v	700MHz
SFU9220TU_AM002	-	RFQ	7598	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFU922	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		P通道	200 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
PN2907A_D81Z	-	RFQ	5525	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN290		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													60 V	800 MA	20NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
STD5407NT4G	-	RFQ	4408	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD54	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2832-STD5407NT4GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	7.6A（ta），38a tc）	5V，10V	26mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1000 pf @ 32 V	-	2.9W（ta），75W（tc）
MSA1162YT1	-	RFQ	5319	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MSA11		200兆	SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	100NA	PNP	500mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
BC239BTA	-	RFQ	6932	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC239		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													25 v	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
2SB1122T-TD-E	0.4700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1122		500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													50 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，2V	150MHz
FDC8884	0.6100	RFQ	91	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC8884	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6.5a（6），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	465 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
BF422G	-	RFQ	1319	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF422		830兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													250 v	50 mA	-	NPN	500mv @ 2mA，20mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
NVMYS005N10MCLTWG	1.0861	RFQ	3445	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS005	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMYS005N10MCLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18.4a（ta），108a （TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 34A，10V	3V @ 192µA	55 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），131W（TC）
JDX5008	2.2400	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
NTMFS6H836NT1G	1.9600	RFQ	4371	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	80 V	（15a）（ta），74a tc（TC）	6V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	4V @ 95µA	25 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 40 V	-	3.7W（TA），89W（tc）
BC368ZL1G	-	RFQ	8465	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC368		625兆	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													20 v	1 a	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	65MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²