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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N6517TA	0.4500	RFQ	17	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N6517		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													350 v	500 MA	50NA（iCBO）	NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
mpsa05rlrmg	-	RFQ	5729	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA05		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													60 V	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BC547CTFR	0.3500	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
2SC4134S-E	-	RFQ	8345	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC4134		800兆	TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500													100 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 40mA，400mA	140 @ 100mA，5V	120MHz
PCP1204-TD-H	0.1000	RFQ	26	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
FQPF12N60	-	RFQ	4675	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	5.8A（TC）	10V	700mohm @ 2.9a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	55W（TC）
KSC1675YTA	-	RFQ	1299	Onmi	-	（TB）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1675		250兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
CPH3107-TL-E	-	RFQ	8862	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3107		900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													15 v	6 a	100NA（ICBO）	PNP	150mv @ 60mA，3a	200 @ 500mA，2V	140MHz
MUN5315DW1T1G	0.3700	RFQ	24	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5315		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
FQI50N06LTU	-	RFQ	1147	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI5	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	52.4a（TC）	5V，10V	21mohm @ 26.2a，10v	2.5V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），121W（tc）
2SK3704-1EX	0.8400	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的				2SK3704	-			下载					Ear99	8541.29.0095	1											-
MJE172	-	RFQ	6444	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE172		1.5 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE172OS	Ear99	8541.29.0075	500													80 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
MMBT3904TT1G	0.1800	RFQ	23	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	MMBT3904		300兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma	-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BCP56-16T1G	0.3800	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP56		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	130MHz
CPH6443-TL-H	0.2267	RFQ	1421	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CPH6443	MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2166-CPH6443-TL-H-488	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	35 v	6a（6a）	4V，10V	37MOHM @ 3A，10V	-	10 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	1.6W（TA）
FFB2907A	0.4500	RFQ	4208	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FFB2907		300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60V	600mA	20NA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
2SD1047P-E	1.4700	RFQ	359	Onmi	-	托盘	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			120 w	to-3pb	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	100													140 v	12 a	100µA（ICBO）	NPN	2.5V @ 500mA，5a	100 @ 1A，5V	15MHz
PN100_D74Z	-	RFQ	1257	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN100		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	500 MA	50NA	NPN	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
FQP9N30	1.8300	RFQ	994	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	98W（TC）
KSB772YSTSSTU	-	RFQ	7871	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSB77		1 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,880													30 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	80MHz
FDPF9N50NZ	-	RFQ	8942	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	-		-	-				-	-
2N7000	-	RFQ	8148	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N7000	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
BD435STU	-	RFQ	2882	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD435		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-BD435STU	Ear99	8541.29.0095	1,920													32 v	4 a	100µA	NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
NDP4050	-	RFQ	6916	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	NDP405	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45		n通道	50 V	15A（TC）		100mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V		450 pf @ 25 V	-
FDP12N50	-	RFQ	7236	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	11.5A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1315 PF @ 25 V	-	165W（TC）
mpsa92rlrag	-	RFQ	1032	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA92		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													300 v	500 MA	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
NTJD4001NT1G	0.3800	RFQ	106	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4001	MOSFET （金属 o化物）	272MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	250mA		1.5OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	1.3nc @ 5V		33pf @ 5V	-
NVMFS5C404NWFAFT3G	2.7473	RFQ	6299	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
FDS4070N7	-	RFQ	6082	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS40	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	15.3a（ta）	10V	7mohm @ 15.3a，10v	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	（3W）（TA）
BC618	-	RFQ	9740	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC618		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	BC618OS	Ear99	8541.21.0075	5,000													55 v	1 a	50NA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²