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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CPH6443-TL-H	0.2267	RFQ	1421	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CPH6443	MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2166-CPH6443-TL-H-488	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	35 v	6a（6a）	4V，10V	37MOHM @ 3A，10V	-	10 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	1.6W（TA）
2SD1047P-E	1.4700	RFQ	359	Onmi	-	托盘	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			120 w	to-3pb	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	100													140 v	12 a	100µA（ICBO）	NPN	2.5V @ 500mA，5a	100 @ 1A，5V	15MHz
PN100_D74Z	-	RFQ	1257	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN100		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	500 MA	50NA	NPN	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
FQP9N30	1.8300	RFQ	994	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	98W（TC）
KSB772YSTSSTU	-	RFQ	7871	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSB77		1 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,880													30 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	80MHz
FDPF9N50NZ	-	RFQ	8942	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	-		-	-				-	-
2N7000	-	RFQ	8148	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N7000	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
BD435STU	-	RFQ	2882	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD435		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-BD435STU	Ear99	8541.29.0095	1,920													32 v	4 a	100µA	NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
FDP12N50	-	RFQ	7236	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	11.5A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1315 PF @ 25 V	-	165W（TC）
mpsa92rlrag	-	RFQ	1032	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA92		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													300 v	500 MA	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
NTJD4001NT1G	0.3800	RFQ	106	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4001	MOSFET （金属 o化物）	272MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	250mA		1.5OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	1.3nc @ 5V		33pf @ 5V	-
NVMFS5C404NWFAFT3G	2.7473	RFQ	6299	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
FDS4070N7	-	RFQ	6082	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS40	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	15.3a（ta）	10V	7mohm @ 15.3a，10v	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	（3W）（TA）
BC618	-	RFQ	9740	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC618		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	BC618OS	Ear99	8541.21.0075	5,000													55 v	1 a	50NA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	150MHz
KSH3055TM	-	RFQ	8052	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH30		1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													60 V	10 a	50µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
MC1413BD	-	RFQ	1496年	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MC1413B		-	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC1413BDOS	Ear99	8541.29.0095	48													50V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
BC859BLT3	0.0200	RFQ	100	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
STD110N02RT4G	-	RFQ	2664	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD11	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	24 V	32a（ta）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	1.5W（TA），110W（tc）
BSS123LT3G	-	RFQ	8938	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	100 v	170mA（TA）	10V	6ohm @ 100mA，10v	2.8V @ 1mA		±20V	20 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
NDT02N40T1G	-	RFQ	5374	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT02	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	400mA（TC）	10V	5.5OHM @ 220mA，10V	2V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	121 pf @ 25 V	-	2W（TC）
NJL3281D	-	RFQ	7988	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-5	NJL3281		200 w	TO-264	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NJL3281DOS	Ear99	8541.29.0075	2,500													260 v	15 a	50µA（ICBO）	NPN	3V @ 1a，10a	75 @ 5A，5V	30MHz
MJD122T4G	0.7100	RFQ	1809年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD122		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													100 v	8 a	10µA	npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	4MHz
2N6520BU	-	RFQ	6780	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N6520		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													350 v	500 MA	50NA（iCBO）	PNP	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
NJVMJD243T4G	0.8300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD243		1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													100 v	4 a	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 100mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
FDS7066N7	-	RFQ	8896	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	23a（23A）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	69 NC @ 5 V	±16V	4973 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
MTDF1N03HDR2	0.2200	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000
BSR50_D74Z	-	RFQ	9880	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSR50		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													45 v	1.5 a	50NA（iCBO）	npn-达灵顿	1.6V @ 4mA，1a	2000 @ 500mA，10V	-
FQD2N60TF	-	RFQ	2369	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.7ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
MPS2369	-	RFQ	1263	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS236		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MPS2369OS	Ear99	8541.21.0095	5,000													15 v	200 ma	400NA	NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
2N4126TFR	-	RFQ	9109	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4126		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													25 v	200 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²