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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FMB555551	0.5100	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMB55			700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	160V	600mA	50NA（iCBO）	2 NPN （双）	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
FDV304P_NB8U003	-	RFQ	5860	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV30		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				25 v	460mA ta）	2.7V，4.5V	1.1OHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	-8V	63 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
BDW46G	-	RFQ	6831	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW46			85 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	80 V	15 a	2mA	pnp-达灵顿	3V @ 50mA，10a	1000 @ 5A，4V	4MHz
NTD4815NHT4G	-	RFQ	6019	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 4.5 V	±20V	845 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
NSBC143EDP6T5G	0.1054	RFQ	7963	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-963	NSBC143			339MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																	50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	4.7kohms
SCH1333-TL-H	-	RFQ	8425	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SCH133		MOSFET （金属 o化物）		6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		P通道				20 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	130MOHM @ 1A，4.5V	-	3.3 NC @ 4.5 V	±10V	250 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
BC557TA	-	RFQ	5988	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC557			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
NVTFS4824NWFTAG	-	RFQ	3912	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				30 V	18.2a（ta）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1740 pf @ 12 V	-	3.2W（21W），21W（（（（（（（
FDMD8260L	-	RFQ	8228	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn	FDMD8260		MOSFET （金属 o化物）	1W	12-Power3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					60V	15a		5.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	68nc @ 10V		5245pf @ 30V	-
NZT6728	-	RFQ	8566	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	NZT67			1 w	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																	60 V	1.2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
FCU4300N80Z	1.3000	RFQ	1	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FCU4300		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道				800 v	1.6A（TC）	10V	4.3OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 160µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 100 V	-	27.8W（TC）
BC847CWT1G	0.1700	RFQ	108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
MJE371	-	RFQ	9726	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE37			40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																	40 V	4 a	100µA（ICBO）	PNP	-	40 @ 1a，1V	-
FDA69N25	4.0900	RFQ	5644	Onmi	Unifet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FDA69		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDA69N25-OS	Ear99	8541.29.0095	30		n通道				250 v	69A（TC）	10V	41MOHM @ 34.5a，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	4640 pf @ 25 V	-	480W（TC）
FDZ493P	-	RFQ	8609	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WFBGA	FDZ49		MOSFET （金属 o化物）		9-BGA（1.55x1.55）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	46MOHM @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	754 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
BD3796STU	-	RFQ	5165	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD379			25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																	80 V	2 a	2µA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	40 @ 150mA，2V	-
BC80825MTF	-	RFQ	7069	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC808			310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	25 v	800 MA	100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
BC635_D75Z	-	RFQ	4845	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC635			1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																	45 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
2SJ664-E	0.7200	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的					2SJ664		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	417														-
FDMC7696-L701	0.2507	RFQ	6842	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDMC7696-L701TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	12a（12a），20A （TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.4W（25W）（25W（tc）
TN4033A	-	RFQ	7331	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN4033			1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																	80 V	1 a	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	-
NSVMMUN2132LT1G	0.3300	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMUN2132			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
FQD3P50TM-F085	-	RFQ	1886年	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3P50		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				500 v	2.1A（TC）	10V	4.9Ohm @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
2N6341	-	RFQ	2063	Onmi	-	托盘	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6341			200 w	TO-204（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100																	150 v	25 a	50µA	NPN	1.8V @ 2.5a，25a	30 @ 10a，2v	40MHz
NTLJS4114NT1G	0.9800	RFQ	5	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS4114		MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				30 V	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
J211_D27Z	-	RFQ	6812	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J211	-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		20mA	-	-											-
SI3442DV	-	RFQ	2200	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI344		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				20 v	4.1a（ta）	2.7V，4.5V	60mohm @ 4.1a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	8V	365 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
NVTFS5824NLWFTWG	-	RFQ	8964	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				60 V	37A（TC）	4.5V，10V	20.5Mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），57W（tc）
NJVMJD45H11G	0.9800	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD45			1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	75																	80 V	8 a	1µA	PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	90MHz
BC847CTT1	-	RFQ	4994	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC847			225兆	SC-75，SOT-416	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²