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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
fjp3835tu	-	RFQ	3750	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP383		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000												120 v	8 a	100µA（ICBO）	NPN	500mv @ 300mA，3a	120 @ 3A，4V	30MHz
2SA2040-E	-	RFQ	6132	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA2040		1 w	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500												50 V	8 a	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 40mA，2a	200 @ 500mA，2V	330MHz
MJD122T4G	0.7100	RFQ	1809年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD122		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500												100 v	8 a	10µA	npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	4MHz
FCU4300N80Z	1.3000	RFQ	1	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FCU4300	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	800 v	1.6A（TC）	10V	4.3OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 160µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 100 V	-	27.8W（TC）
BC847CWT1G	0.1700	RFQ	108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FQPF28N15	-	RFQ	7162	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	150 v	16.7A（TC）	10V	90MOHM @ 8.35a，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	1600 pf @ 25 V	-	60W（TC）
FDMC7696-L701	0.2507	RFQ	6842	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDMC7696-L701TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	12a（12a），20A （TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.4W（25W）（25W（tc）
FJN4307RTA	-	RFQ	3487	Onmi	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN430		300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
BSR50_D74Z	-	RFQ	9880	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSR50		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000												45 v	1.5 a	50NA（iCBO）	npn-达灵顿	1.6V @ 4mA，1a	2000 @ 500mA，10V	-
uma4nt1	-	RFQ	2390	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	MA4		150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
MJH11022	-	RFQ	9415	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3	MJH11		150 w	SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJH11022OS	Ear99	8541.29.0095	30												250 v	15 a	1ma	npn-达灵顿	4V @ 150mA，15a	400 @ 10a，5v	3MHz
NDT02N40T1G	-	RFQ	5374	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT02	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	400 v	400mA（TC）	10V	5.5OHM @ 220mA，10V	2V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	121 pf @ 25 V	-	2W（TC）
NJL3281D	-	RFQ	7988	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-5	NJL3281		200 w	TO-264	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NJL3281DOS	Ear99	8541.29.0075	2,500												260 v	15 a	50µA（ICBO）	NPN	3V @ 1a，10a	75 @ 5A，5V	30MHz
MUN5212T1	0.0500	RFQ	110	Onmi	-	大部分	过时的				MUN52				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
KSC2881YTF	-	RFQ	2829	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSC2881		1 w	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000												120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	120MHz
MTDF1N03HDR2	0.2200	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000
MCH6336-TL-H	-	RFQ	3711	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH63	MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	-	6.9 NC @ 4.5 V	±10V	660 pf @ 6 V	-	1.5W（TA）
MPS2369	-	RFQ	1263	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS236		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MPS2369OS	Ear99	8541.21.0095	5,000												15 v	200 ma	400NA	NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
BC548CBU	-	RFQ	2875	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
BC859BLT3	0.0200	RFQ	100	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
FCA47N60F_SN00171	-	RFQ	2517	Onmi	SuperFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FCA47	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	47A（TC）	10V	73mohm @ 23.5a，10v	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	417W
ZTX614	-	RFQ	8374	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	ZTX614		1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响	ZTX614FS	Ear99	8541.29.0095	1,500												100 v	800 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.25V @ 8mA，800mA	10000 @ 500mA，5V	-
CPH6315-TL-E	0.1600	RFQ	102	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
FDS7066N7	-	RFQ	8896	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	23a（23A）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	69 NC @ 5 V	±16V	4973 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
FJNS4206RBU	-	RFQ	3693	Onmi	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
2N6520BU	-	RFQ	6780	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N6520		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000												350 v	500 MA	50NA（iCBO）	PNP	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
D44H8G	1.1400	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D44H8		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50												60 V	10 a	10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	50MHz
NJVMJD243T4G	0.8300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD243		1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500												100 v	4 a	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 100mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
PZT2907AT1	-	RFQ	8062	Onmi	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZT290		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	PZT2907AT1OSTR	Ear99	8541.29.0075	1,000												60 V	600 MA	10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
IRF540	0.7500	RFQ	3	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²