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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NGTD30T120F2SWK	-	RFQ	9465	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD30	标准			死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-												沟渠场停止	1200 v		200 a	2.4V @ 15V，40a	-		-
FJP5027O	-	RFQ	8801	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5027			50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																800 v	3 a						10µA（ICBO）	NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz
MCH3312-EBM-TL-E	0.1100	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
MCH5804-TL-E	0.1400	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FQU2N50BTU	-	RFQ	2171	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道		500 v	1.6A（TC）	10V	5.3OHM @ 800mA，10v	3.7V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FQAF19N60	-	RFQ	5675	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF1		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		600 v	11.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	120W（TC）
NGTB40N60L2WG	6.0800	RFQ	25	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准		417 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V											73 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.61V @ 15V，40a	1.17MJ（在）上，280µJ off）	228 NC	98NS/213NS
FQI16N25CTU	-	RFQ	1232	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
NTD95N02RG	-	RFQ	7181	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD95		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		24 V	12a（12a），32a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	1.25W（ta），86W（tc）
FQU1N60TU	-	RFQ	3915	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道		600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FQB22P10TM-F085	-	RFQ	3563	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	22a（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），125W（（tc）
2SJ652-1E	-	RFQ	1252	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SJ652		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3SG	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		60 V	28a（28a）	4V，10V	38mohm @ 14a，10v	-	80 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 20 V	-	2W（TA），30W（TC）
FDC6561AN	0.6600	RFQ	3114	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6561		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	2.5a		95MOHM @ 2.5a，10V	3V @ 250µA	3.2nc @ 5V		220pf @ 15V	逻辑级别门
FQPF19N10	1.3400	RFQ	797	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	13.6A（TC）	10V	100mohm @ 6.8a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	780 pf @ 25 V	-	38W（TC）
DTA143TET1	1.0000	RFQ	4812	Onmi	*	大部分	积极的				DTA143					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTB6411ANG	-	RFQ	5041	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB64		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	77A（TC）	10V	14mohm @ 72a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	217W（TC）
FQA7N80_F109	-	RFQ	2253	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA7		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	7.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	198W（TC）
FQA13N80	-	RFQ	2810	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	12.6a（TC）	10V	750MOHM @ 6.3A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
2SC4984T-TD-E	0.1700	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
NDD02N40-1G	-	RFQ	8130	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD02		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		400 v	1.7A（TC）	10V	5.5OHM @ 220mA，10V	2V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	121 pf @ 25 V	-	39W（TC）
NGTB35N65FL2WG	4.9900	RFQ	90	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB35	标准		300 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，35a，10ohm，15V											68 ns	沟渠场停止	650 v	70 a	120 a	2V @ 15V，35a	（840µJ）（在），280µJ（OFF）上）	125 NC	72NS/132NS
FGPF45N45TTU	-	RFQ	7733	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF4	标准		51.6 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-												沟	450 v		180 a	1.5V @ 15V，20A	-	100 NC	-
NSS35200CF8TIG	1.0000	RFQ	6223	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅				635 MW	chipfet™	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																35 v	2 a						100NA	PNP	300mv @ 20mA，2a	100 @ 1.5A，2V	100MHz
MSC3130T1	0.0200	RFQ	7210	Onmi	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	2156-MSC3130T1	Ear99	8541.21.0075	3,000
2SK4088L	-	RFQ	5408	Onmi	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4088		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		650 v	7.5A（TC）	10V	850MOHM @ 5.5A，10V	-	37.6 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 30 V	-	2W（TA），37W（tc）
BCP53-10T1	0.2600	RFQ	46	Onmi	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53			1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																80 V	1.5 a						-	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	50MHz
NTMFS4926NT3G	-	RFQ	4773	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4926		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	17.3 NC @ 10 V	±20V	1004 pf @ 15 V	-	920MW（TA），21.6W （TC）
NTD5865NL-1G	-	RFQ	8318	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD58		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		60 V	46A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	71W（TC）
NGTB20N120IHTG	4.2251	RFQ	2767	Onmi	-	管子	不适合新设计				NGTB20					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
MUN2231T1G	0.0257	RFQ	1676年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2231			338 MW	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	8 @ 5mA，10v		2.2 kohms	2.2 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²