RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SC5226-5-TL-E	0.1700	RFQ	21	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BCX17LT1	-	RFQ	2397	Onmi	*	（CT）	过时的				BCX17					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
NJV4030PT1G	0.5100	RFQ	526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NJV4030			2 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															40 V	3 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	160MHz
FDD6685	1.2200	RFQ	12	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD668		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	（11a）（ta），40a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±25V	1715 PF @ 15 V	-	52W（ta）
FDBL0120N40	3.9600	RFQ	4713	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL0120		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	7735 pf @ 25 V	-	300W（TJ）
KSA1015Grta	-	RFQ	2322	Onmi	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA1015			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															50 V	150 ma						100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SC3402	0.1200	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BC489A	-	RFQ	6088	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC489			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000															80 V	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，2V	200MHz
FJNS3209RBU	-	RFQ	7296	Onmi	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32			300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000															40 V	100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
PZT651T1G	0.5400	RFQ	19	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZT651			800兆	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000															60 V	2 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
FDBL0065N40	6.9600	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL0065		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		40 V	300A（TC）	10V	0.65MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	296 NC @ 10 V	±20V	15900 PF @ 25 V	-	429W（TJ）
EFC6611R-TF	-	RFQ	4831	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	EFC6611		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	6-CSP（1.77x3.54）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	-	100NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
MC1413BDR2G	0.7600	RFQ	547	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MC1413			-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500															50V	500mA						-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
MJD243T4G	0.7600	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD243			1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500															100 v	4 a						100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 100mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
2SA2013-TD-E	0.7000	RFQ	683	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA2013			3.5 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															50 V	4 a						1µA（ICBO）	PNP	340mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，2V	400MHz
BC546B	-	RFQ	6021	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC546			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000															65 v	100 ma						15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FQP6N80	-	RFQ	5550	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	5.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 2.9a，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	158W（TC）
BC337BU	-	RFQ	6665	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC337			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000															45 v	800 MA						100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
MUN5214T1G	0.2000	RFQ	9540	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5214			202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
KSC1507R	-	RFQ	3299	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC1507			15 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	200															300 v	200 µA						100µA（ICBO）	NPN	2V @ 5mA，50mA	40 @ 10mA，10v	80MHz
FGP20N6S2	-	RFQ	8370	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FGP2	标准		125 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			390V，7a，25ohm，15V											-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
2N5089BU	-	RFQ	3793	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5089			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2N5089BU-NDR	Ear99	8541.21.0095	1,000															25 v	100 ma						50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
NTD4302G	-	RFQ	7148	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD43		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	8.4a（ta），68a（tc）	4.5V，10V	10mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 24 V	-	1.04W（ta），75W（tc）
PN2907A_J05Z	-	RFQ	3467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN290			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500															60 V	800 MA						20NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2SB764F-AE	0.1600	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
MPS8098_D26Z	-	RFQ	8275	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPS809			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															60 V	500 MA						100NA	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
MPS750G	-	RFQ	3522	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS750			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000															40 V	2 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
BC847BWT1G	0.1500	RFQ	232	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
NTMFS4108NT3G	-	RFQ	6477	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 21a，10v	2.5V @ 250µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	1.1W（TA），96.2W（tc）
提示142	-	RFQ	8781	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示142			125 w	TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	TIP142OS	Ear99	8541.29.0095	30															100 v	10 a						2mA	npn-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²