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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQB19N10LTM	-	RFQ	7306	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	19a（tc）	5V，10V	100mohm @ 9.5a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
KSD882YSTU	0.8100	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSD882		1 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60													30 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	90MHz
NSCT3906LT3G	-	RFQ	7480	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSCT39		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													40 V	200 ma	-	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
NTB45N06T4G	-	RFQ	1430	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB45	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	45A（TA）	10V	26mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），125W（（（（（（）
BC549BTAR	-	RFQ	8580	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
FQI11P06TU	-	RFQ	7018	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	11.4A（TC）	10V	175MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），53W（tc）
FDB28N30TM	2.2100	RFQ	5014	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB28N30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	28a（TC）	10V	129MOHM @ 14A，10V	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	250W（TC）
NVMFS5C426NWFT1G	-	RFQ	9872	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	235a（TC）	10V	1.3MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
2SB1216S-TL-E	0.8700	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1216		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700													100 v	4 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	140 @ 500mA，5V	130MHz
BD434S	0.7600	RFQ	1	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD434		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-BD434S	Ear99	8541.29.0095	2,000													22 v	4 a	100µA	PNP	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
CPH5805-TL-E	0.1600	RFQ	138	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FJV1845EMTF	-	RFQ	4852	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV184		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													120 v	50 mA	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	400 @ 1mA，6v	110MHz
HUF75329D3	-	RFQ	2212	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道	55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
NDD60N550U1-35G	-	RFQ	4214	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	8.2A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	94W（TC）
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BC847	-	RFQ	6031	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC847		300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45V	200mA	15NA（icbo）	2 NPN （双）	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	200MHz
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NDFPD1N150CG	-	RFQ	7429	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDFPD1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1500 v	（100mA）（TA）	10V	150ohm @ 50mA，10v	-	4.2 NC @ 10 V	±30V	80 pf @ 30 V	-	2W（TA），20W（20W）TC）
bdw94cftu	1.2600	RFQ	875	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BDW94		80 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													100 v	12 a	1ma	pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
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mps650rlrag	-	RFQ	6049	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS650		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													40 V	2 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
DTC143TET1G	0.2100	RFQ	4080	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		4.7科姆斯
SFW9530TM	-	RFQ	9212	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SFW953	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	10.5A（TC）	10V	300MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1035 PF @ 25 V	-	3.8W（66w（ta）（TC）
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NTD4854N-35G	-	RFQ	8795	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	25 v	15.7A（ta），128a tc）	4.5V，10V	3.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	49.2 NC @ 4.5 V	±20V	4600 PF @ 12 V	-	1.43W（ta），93.75W（tc）
KSD560Y	-	RFQ	4873	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD560		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200													100 v	5 a	1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	5000 @ 3A，2V	-
NTD4302G	-	RFQ	7148	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD43	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	30 V	8.4a（ta），68a（tc）	4.5V，10V	10mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 24 V	-	1.04W（ta），75W（tc）
KSD363RTU	0.9600	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD363		40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													120 v	6 a	1ma（iCBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	40 @ 1A，5V	10MHz
MUN5315DW1T1G	0.3700	RFQ	24	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5315		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
NSS30201MR6T1G	0.6100	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NSS30201		535 MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	2 a	100NA	NPN	75mv @ 1mA，100mA	300 @ 500mA，5V	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²