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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQP9N25CTSTU	-	RFQ	9648	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	74W（TC）
FQI27P06TU	-	RFQ	2059	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI2	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	60 V	27a（TC）	10V	70MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
PN222222TF	0.4900	RFQ	35	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN2222		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10mv	300MHz
FJAF6810AYDTBTU	-	RFQ	6359	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FJAF6810		60 W	to-3pf	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30												750 v	10 a	1ma	NPN	3V @ 1.5a，6a	5 @ 6a，5v	-
BC558	-	RFQ	6824	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
mje210stu	-	RFQ	5250	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE210		15 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,920												25 v	5 a	100NA（ICBO）	PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
FQD2N90TF	-	RFQ	9344	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	7.2OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
FQA6N90	-	RFQ	8467	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA6	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	900 v	6.4A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.2a，10v	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1880 pf @ 25 V	-	198W（TC）
NVMFS6B05NLWFT3G	-	RFQ	9828	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	114a（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）
MMBTA42LT1	1.0000	RFQ	7211	Onmi	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA42		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
MJE18008G	2.4200	RFQ	1	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE18008		125 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50												450 v	8 a	100µA	NPN	700mv @ 900mA，4.5V	14 @ 1a，5v	13MHz
NSL12AWT1G	-	RFQ	7197	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSL12		450兆	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												12 v	2 a	100NA	PNP	290mv @ 20mA，1a	100 @ 800mA，1.5 V	100MHz
BC182LB_D75Z	-	RFQ	5673	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC182		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												50 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
FJX3013RTF	-	RFQ	4654	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX301		200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
NVMFS5C442NT3G	-	RFQ	3965	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	140a（TC）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
NTMFS4939NT1G	-	RFQ	3461	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4939	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	9.3a（TA），53A（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	1954 pf @ 15 V	-	920MW（TA），30W（TC）
2SK315E-SPA-AC	0.1000	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
EMG5DXV5T1G	-	RFQ	8360	Onmi	*		过时的				EMG5DX				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
mje182stu	-	RFQ	1949年	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE182		1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2166-MJE182STU-488	Ear99	8541.29.0075	1,920												80 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
FQPF18N20V2YDTU	-	RFQ	7643	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	40W（TC）
NSBC124EF3T5G	0.5700	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBC124		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000												50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
NTD60N02R-001	0.1400	RFQ	152	Onmi	-	大部分	过时的				NTD60				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75
NDCTR2065A	3.4584	RFQ	9888	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NDCTR2065				-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NDCTR2065ATR			3,000			-
NTMFS4823NT3G	-	RFQ	1289	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	6.9a（ta），30a （TC）	4.5V，11.5V	10.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 11.5 V	±20V	795 pf @ 15 V	-	860MW（TA），32.5W（tc）
MUN5335DW1T2G	0.2500	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5335		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	47kohms
NTD4860N-35G	-	RFQ	9617	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	10.4a（ta），65A（tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	16.5 NC @ 4.5 V	±20V	1308 pf @ 12 V	-	1.28W（TA），50W（TC）
FJB555555TM	-	RFQ	2614	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				FJB55				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
NVD6415ANLT4G-VF01	-	RFQ	6287	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD6415	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVD6415ANLT4G-VF01TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	23A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 10a，10v	2V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1024 PF @ 25 V	-	83W（TC）
NSVMMUN22330LT1G	0.3300	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMUN2230		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
HUF75645S3S	-	RFQ	4793	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²