RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MPSA42_J22Z	-	RFQ	2746	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA42				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,500																				300 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
2N4402_S00Z	-	RFQ	6301	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4402				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				40 V	600 MA							-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，2V	-
FCP165N60E	4.3300	RFQ	8700	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP165			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCP165N60E	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					600 v	23A（TC）	10V	165mohm @ 11.5a，10v	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2434 PF @ 380 V	-	227W（TC）
KSA910YBU	-	RFQ	1058	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA910				800兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000																				150 v	50 mA							100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	100MHz
KSC1675YTA	-	RFQ	1299	Onmi	-	（TB）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1675				250兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				30 V	50 mA							100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
NVMFD5877NLWFT1G-UM	-	RFQ	4586	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）	3.2W（TA）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	-				488-NVMFD5877NLWFT1G-UM			1	2 n通道						60V	6a（6a）		39mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		540pf @ 25V	逻辑级别门
SPA13003-S-AC	0.0600	RFQ	25	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
KSD1588RTU	-	RFQ	4348	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1588				2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																				60 V	7 a							10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 500mA，5a	40 @ 3a，1V	-
NVMFD6H852NLT1G	1.2100	RFQ	7780	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD6			MOSFET （金属 o化物）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	（7A（ta），25a（tc）	4.5V，10V	25.5mohm @ 10a，10v	2V @ 26µA	10 NC @ 10 V	±20V	521 PF @ 40 V		3.2W（TA），38W（tc）
NTD78N03G	-	RFQ	6632	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD78			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					25 v	11.4A（ta），78a tc）	4.5V，10V	6mohm @ 78a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2250 pf @ 12 V	-	1.4W（TA），64W（tc）
3LN01SP-AC	0.0500	RFQ	92	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
2SK1839-TL-E	0.0500	RFQ	45	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BC337-40RL1G	-	RFQ	3033	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC337				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	800 MA							100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	210MHz
BC558CZL1G	-	RFQ	9703	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC558				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				30 V	100 ma							100NA	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	360MHz
BD238	0.1400	RFQ	6466	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					25 w	SOT-32-3	-	Rohs不合规			2156-BD238-ON	Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	2 a							100µA（ICBO）	PNP	600mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，2V	-
FJPF5021R	-	RFQ	6623	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF5021				40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																				500 v	5 a							10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	15MHz
6885-BC556B	-	RFQ	3697	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC556				500兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																				65 v	100 ma							15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
FQPF3N80C	1.7300	RFQ	964	Onmi	QFET®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	705 pf @ 25 V	-	39W（TC）
2N4123TFR	-	RFQ	8811	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4123				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				30 V	200 ma							50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	250MHz
2SC5611	0.3300	RFQ	9672	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	900
IRFS540A	-	RFQ	8999	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFS5			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	17a（TC）	10V	52MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	39W（TC）
MCH3360-TL-E-ON	-	RFQ	7675	Onmi	*	大部分	积极的					MCH3360			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000															-
2SA1419T-TD-H	0.6300	RFQ	624	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1419				500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				160 v	1.5 a							1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
2N5952_J35Z	-	RFQ	2316	Onmi	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5952		1khz	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		8mA		-	-											2DB										15 v
NTLJS4149PTAG	-	RFQ	6030	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS41			MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					30 V	2.7a（ta）	2.5V，4.5V	62MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	960 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
BD1396STU	-	RFQ	7061	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139				1.25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920																				80 V	1.5 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
NTHS5404T1G	1.2300	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHS5404			MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	5.2a（ta）	2.5V，4.5V	30mohm @ 5.2A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	18 nc @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
MCH6121-TL-H	-	RFQ	4668	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH61				1 w	6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																				12 v	3 a							100NA（ICBO）	PNP	165MV @ 30mA，1.5a	200 @ 500mA，2V	380MHz
FGA120N30DTU	-	RFQ	3180	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA120N30	标准			290 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-														21 ns	-	300 v	120 a	300 a	1.4V @ 15V，25a	-	120 NC	-
FDS6930B	0.6700	RFQ	5023	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6930			MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	5.5a		38mohm @ 5.5A，10V	3V @ 250µA	3.8NC @ 5V		412pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²