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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TIP31CG	0.7000	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	100 v	3 a		300µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
MMBF5484	-	RFQ	1942年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF54	400MHz	JFET		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		5mA	-	-											4DB			15 v
NTD110N02R-001G	-	RFQ	8108	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD110		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				24 V	12.5A（ta），110a （TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	1.5W（TA），110W（tc）
KSD1021GTA	-	RFQ	7475	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1021			350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	30 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
BXL4004-1E	-	RFQ	1028	Onmi	-	管子	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3	BXL40		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				40 V	100A（TA）	4.5V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	-	140 NC @ 10 V	±20V	8200 PF @ 20 V	-	75W（TC）
FJX945OTF	-	RFQ	3272	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	FJX945			200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	150 ma		100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	300MHz
J210	-	RFQ	4173	Onmi	-	大部分	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J210	-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	J210FS	Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		15mA	-	-											-
NTMFS4C35NT1G	-	RFQ	4495	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				30 V	12.4A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	2300 pf @ 15 V	-	（780MW）（TA），33W（tc）
MMUN22330LT1	-	RFQ	8128	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2230			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
KSC3503DSTSSTU	-	RFQ	4484	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3503			7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,880																	300 v	100 ma		100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	60 @ 10mA，10v	150MHz
NTP082N65S3F	7.8300	RFQ	4070	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP082		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				650 v	40a（TC）	10V	82MOHM @ 20A，10V	5V @ 4mA	81 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 400 V	-	313W（TC）
2N4403G	-	RFQ	8022	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N4403			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																	40 V	600 MA		-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
BC212L_J35Z	-	RFQ	2703	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC212			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	50 V	300 MA		15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	200MHz
NTK3134NT5H	-	RFQ	6056	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	NTK3134		-		SOT-723	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000		-					890ma（ta）	1.5V，4.5V	-	-		±6V		-	-
MMBTA92_D87Z	-	RFQ	9622	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA92			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																	300 v	500 MA		250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
FJZ945YTF	-	RFQ	2706	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ945			100兆	SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	150 ma		100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
MPS6521G	-	RFQ	2146	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS652			625兆	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																	25 v	100 ma		50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	300 @ 2mA，10v	-
BC856BM3T5G	0.2200	RFQ	19	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	BC856			265兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																	65 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
SBCP53-16T1G	0.4200	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SBCP53			1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	80 V	1.5 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz
2SD1722S	-	RFQ	8135	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	200
FQAF15N70	-	RFQ	8725	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF1		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道				700 v	9.5A（TC）	10V	560MOHM @ 4.8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	120W（TC）
TIP32A	-	RFQ	3161	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示32			2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																	60 V	3 a		200µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
BC559B	-	RFQ	3513	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	30 V	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
FJN3303FBU	-	RFQ	4473	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN330			650兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																	400 v	1.5 a		10µA（ICBO）	NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
FJNS4207RTA	-	RFQ	5955	Onmi	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42			300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma		100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
NVD5C486NT4G	1.6600	RFQ	9745	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C486		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				40 V	9.2A（TA），23A （TC）	10V	17.9mohm @ 10a，10v	4V @ 20µA	14 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 25 V	-	2.9W（ta），18.3w（tc）
KSE45H11TU	-	RFQ	1513年	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSE45			1.67 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	80 V	10 a		10µA	PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	40MHz
2SC2812N6-CPA-TB-E	-	RFQ	7594	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2812			200兆	3-CP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	150 ma		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	200 @ 1mA，6v	100MHz
2SK2260-O-TD-E	0.5500	RFQ	26	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
NTMFS4744NT1G	-	RFQ	9893	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				30 V	7a（ta）	4.5V，11.5V	7.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 12 V	-	880MW（TA），47.2W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²