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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NTTFS012N10MDTAG	1.7000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		100 v	9.2A（ta），45a tc）	6V，10V	14.4mohm @ 15a，10v	4V @ 78µA	13 NC @ 10 V	±20V	965 PF @ 50 V	-	2.7W（TA），62W（tc）
2SC3149M	0.3600	RFQ	3	Onmi	-	大部分	过时的										-				2156-2SC3149M			825
RJK03E2DNS-00＃j5	-	RFQ	5128	Onmi	-	大部分	过时的		150°C		表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	-				2156-RJK03E2DNS-00＃j5			1		n通道		30 V	16A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 1mA	1.8 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	12.5W（TC）
NDT014L	0.9500	RFQ	9036	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		60 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	3V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±20V	214 pf @ 30 V	-	（3W）（TA）
2SK3487-TD-E	0.2100	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
KSC2787RTA	-	RFQ	2447	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2787		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	40 @ 1mA，6v	300MHz
NTMFS4C05NAT1G	0.6331	RFQ	6225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	21.7a（ta），78a tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	2.57W（TA），33W（tc）
FQP17N40	-	RFQ	9388	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	FQP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		400 v	16A（TC）	10V	270MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	170W（TC）
NTP45N06G	-	RFQ	2603	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	NTP45N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTP45N06GOS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	45A（TA）	10V	26mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），125W（（（（（（）
FQA11N90	-	RFQ	5275	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	11.4A（TC）	10V	960MOHM @ 5.7A，10V	5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FDP120N10	2.6100	RFQ	16	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	FDP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	74A（TC）	10V	12MOHM @ 74A，10V	4.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	5605 pf @ 25 V	-	170W（TC）
FDMA410NZ	0.9800	RFQ	47	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA410	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	9.5A（TA）	1.5V，4.5V	23mohm @ 9.5a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1080 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）
EFC8822R-X-TF	-	RFQ	2791	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						EFC8822	-			-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	5,000												-
NUS5531MTR2G	-	RFQ	1940年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20V PNP，12V P通道		通用目的	表面安装	8-WDFN暴露垫	NUS5531			8-wdfn （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			2A PNP，5.47AP通道														PNP，P通道
NTR4170NT3G	-	RFQ	2813	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR417	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		30 V	2.4A（TA）	2.5V，10V	55mohm @ 3.2a，10v	1.4V @ 250µA	4.76 NC @ 4.5 V	±12V	432 PF @ 15 V	-	480MW（TA）
NSS20501UW3TBG	0.2575	RFQ	5423	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	3-WDFN暴露垫	NSS20501		875 MW	3-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														20 v	5 a	100NA（ICBO）	NPN	125MV @ 400mA，4a	200 @ 2a，2v	150MHz
SSH22N50A	-	RFQ	8189	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SSH22	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	22a（TC）	10V	250mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	236 NC @ 10 V	±30V	5120 PF @ 25 V	-	278W（TC）
NTR4501NT1	-	RFQ	7048	Onmi	-	（CT）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR450	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	3.2A（ta）		80MOHM @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V		200 pf @ 10 V	-
FQD7N10LTM	0.6500	RFQ	7725	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7N10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	5.8A（TC）	5V，10V	350MOHM @ 2.9a，10V	2V @ 250µA	6 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FQD2N30TM	-	RFQ	8625	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		300 v	1.7A（TC）	10V	3.7OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FDMD8240L	3.6600	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	12-Powerwdfn	FDMD8240	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	12-Power3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	23a		2.6MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	56nc @ 10V		4230pf @ 20V	-
FDMS9410L-F085	-	RFQ	4655	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	FDMS94	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	50A（TC）	10V	4.1MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 20 V	-	75W（TJ）
FQI3N25TU	-	RFQ	2973	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI3	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		250 v	2.8A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（
FDD1600N10ALZ	1.0400	RFQ	7	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD1600	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	6.8A（TC）	5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	2.8V @ 250µA	3.61 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 50 V	-	14.9W（TC）
2SJ632-TD-E	0.3800	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-2SJ632-TD-E-488			1
FDMB3900AN	-	RFQ	8648	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powerwdfn	FDMB3900	MOSFET （金属 o化物）	800MW	8-MLP，微型FOFET （3x1.9）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		890pf @ 13V	逻辑级别门
NTLJD2104PTBG	-	RFQ	6864	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJD21	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			12V	2.4a		90MOHM @ 3A，4.5V	800MV @ 250µA	8NC @ 4.5V		467pf @ 6V	逻辑级别门
NVH4L050N65S3F	8.1496	RFQ	5244	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-4		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVH4L050N65S3F	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	58A（TC）	10V	50mohm @ 29a，10v	5V @ 1.7mA	123.8 NC @ 10 V	±30V	4855 PF @ 400 V	-	403W（TC）
2SD863E-AE	0.1400	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
FDB024N04AL7	5.0100	RFQ	800	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB024	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	100A（TC）	10V	2.4mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	214W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²