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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BD158STU onsemi BD158STU -
RFQ
ECAD 5205 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 - 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD158 20 w TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 300 v 500 MA 100µA(ICBO) NPN - 30 @ 50mA,10v -
FDB024N08BL7 onsemi FDB024N08BL7 4.8500
RFQ
ECAD 5285 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) FDB024 MOSFET (金属 o化物) TO-263-7 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 80 V 120A(TC) 10V 2.4MOHM @ 100A,10V 4.5V @ 250µA 178 NC @ 10 V ±20V 13530 PF @ 40 V - 246W(TC)
HUF75309D3ST onsemi HUF75309D3ST -
RFQ
ECAD 9421 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HUF75 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 19a(tc) 10V 70mohm @ 19a,10v 4V @ 250µA 24 NC @ 20 V ±20V 350 pf @ 25 V - 55W(TC)
TN6705A onsemi TN6705A -
RFQ
ECAD 6264 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) TN6705 1 w TO-226-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 45 v 1.5 a 100NA(ICBO) NPN 1V @ 100mA,1a 40 @ 250mA,2V -
2SC3039M-RA onsemi 2SC3039M-RA 0.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
FDMS8672S onsemi FDMS8672S -
RFQ
ECAD 7812 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS86 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 17a(17a),35A(tc) 4.5V,10V 5mohm @ 17a,10v 3V @ 1mA 47 NC @ 10 V ±20V 2515 pf @ 15 V - 2.5W(ta),50W(50W)(TC)
BFL4037-S onsemi BFL4037-S 0.5900
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
NVMTS0D6N04CLTXG onsemi NVMTS0D6N04CLTXG 8.4200
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) - - NVMTS0 MOSFET (金属 o化物) - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 78.9a(ta),554.5a(TC) 4.5V,10V 0.42MOHM @ 50a,10V 2V @ 250µA 265 NC @ 10 V ±20V 16013 PF @ 20 V - 5W(5W),245W(TC)
CPH6001-TL-E onsemi CPH6001-TL-E -
RFQ
ECAD 1933年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 CPH6001 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-CPH6001-TL-ETR 1
KSA1175RTA onsemi KSA1175RTA -
RFQ
ECAD 1521年 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 KSA1175 250兆 TO-92S 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 40 @ 1mA,6v 180MHz
2SD2201R-DL-E onsemi 2SD2201R-DL-E 0.8200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1,000
NTLJS1102PTAG onsemi NTLJS1102PTAG -
RFQ
ECAD 1800 0.00000000 Onmi µ -Cool™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJS11 MOSFET (金属 o化物) 6-WDFN(2x2) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 8 V 3.7a(ta) 1.2V,4.5V 36mohm @ 6.2a,4.5V 720mv @ 250µA 25 NC @ 4.5 V ±6V 1585 pf @ 4 V - 700MW(TA)
SMMUN2111LT1G onsemi smmun2111lt1g 0.3300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SMMUN2111 246兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 35 @ 5mA,10v 10 kohms 10 kohms
MPSA05_D27Z onsemi MPSA05_D27Z -
RFQ
ECAD 2911 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA05 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
BC489G onsemi BC489G -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BC489 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 80 V 500 MA 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 100mA,1a 60 @ 100mA,2V 200MHz
IRFS750A onsemi IRFS750A -
RFQ
ECAD 6278 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IRFS7 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 8.4A(TC) 10V 300MOHM @ 4.2A,10V 4V @ 250µA 131 NC @ 10 V ±30V 2780 pf @ 25 V - 49W(TC)
FQI9N08LTU onsemi FQI9N08LTU -
RFQ
ECAD 8884 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA FQI9 MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 9.3A(TC) 5V,10V 210MOHM @ 4.65a,10V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 V ±20V 280 pf @ 25 V - 3.75W(ta),40W(TC)
FJYF2906TF onsemi FJYF2906TF -
RFQ
ECAD 3562 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 FJYF29 150兆 SOT-563F 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 150 ma - PNP 500mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 250MHz
FQB17N08LTM onsemi FQB17N08LTM -
RFQ
ECAD 5874 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FQB1 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 80 V 16.5A(TC) 5V,10V 100mohm @ 8.25a,10V 2V @ 250µA 11.5 NC @ 5 V ±20V 520 pf @ 25 V - 3.75W(TA),65W(tc)
FQPF8N80C onsemi FQPF8N80C -
RFQ
ECAD 9485 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF8 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 8A(TC) 10V 1.55OHM @ 4A,10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 2050 pf @ 25 V - 59W(TC)
BC635_L34Z onsemi BC635_L34Z -
RFQ
ECAD 6301 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC635 1 w TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 45 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 40 @ 150mA,2V 100MHz
BCX799_D27Z onsemi BCX799_D27Z -
RFQ
ECAD 9399 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BCX799 625兆 TO-92-3 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 45 v 500 MA 10NA PNP 600mv @ 2.5mA,100mA 80 @ 10mA,1V -
NTK3142PT1G onsemi NTK3142PT1G -
RFQ
ECAD 8477 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-723 NTK314 MOSFET (金属 o化物) SOT-723 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 215ma(ta) 1.8V,4.5V 4ohm @ 260mA,4.5V 1.3V @ 250µA ±8V 15.3 pf @ 10 V - 280MW(TA)
NTMTS0D4N04CTXG onsemi NTMTS0D4N04CTXG 11.3400
RFQ
ECAD 3214 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN NTMTS0 MOSFET (金属 o化物) 8-DFNW(8.3x8.4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 79.8A(ta),558a (TC) 10V 0.45MOHM @ 50a,10V 4V @ 250µA 251 NC @ 10 V ±20V 16500 PF @ 20 V - (5W)(244W)(TC)
MMBT2222AHLT1H onsemi MMBT2222AHLT1H -
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - - - MMBT2222 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - - - - -
NTP30N06 onsemi NTP30N06 -
RFQ
ECAD 6963 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 NTP30N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 NTP30N06OS Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 27a(27A) 10V 42MOHM @ 15a,10v 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 88.2W(TC)
NSVDTC114YM3T5G onsemi NSVDTC114YM3T5G 0.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 NSVDTC114 260兆 SOT-723 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v 10 kohms 47科姆斯
KSC2335Y onsemi KSC2335Y -
RFQ
ECAD 1763年 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSC2335 1.5 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1200 400 v 7 a 10µA(ICBO) NPN 1V @ 600mA,3a 40 @ 1A,5V -
KSC2073H2TSTU onsemi KSC2073H2TSTU -
RFQ
ECAD 2651 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3裁剪的铅 KSC2073 25 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 150 v 1.5 a 10µA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 40 @ 500mA,10V 4MHz
2N3703 onsemi 2N3703 -
RFQ
ECAD 2771 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 2N3703 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) PNP 250mv @ 5mA,50mA 30 @ 50mA,5v 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库