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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NJV4030PT1G	0.5100	RFQ	526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NJV4030			2 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															40 V	3 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	160MHz
FDC637ANNB5E023A	-	RFQ	7637	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				FDC637					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC637ANNB5E023ATR	过时的		3,000					-
2SD1828	0.5600	RFQ	883	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SD1828-488			1
NJL0302DG	6.9000	RFQ	50	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-5	NJL0302			180 w	TO-264	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25															260 v	15 a						10µA（ICBO）	PNP	1V @ 500mA，5a	75 @ 3a，5v	30MHz
2N7002_NB9G002	-	RFQ	1780年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
2SA1705S-AN	-	RFQ	6266	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SA1705			900兆	3-nmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500															50 V	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，2V	150MHz
2SC5565-TD-E	-	RFQ	5206	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1,000
NTNS4C69NTCG	-	RFQ	1265	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		SOT-883（XDFN3）（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTNS4C69NTCGTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	1A（1A）	1.8V，4.5V	155mohm @ 300mA，4.5V	1.1V @ 10µA	0.9 NC @ 4.5 V	±12V	75 pf @ 15 V	-	178mw（TA）
KSH3055ITU	-	RFQ	4275	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	KSH30			1.75 w	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040															60 V	10 a						50µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
USB10H	-	RFQ	4012	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	USB10		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	1.9a		170MOHM @ 1.9A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.2nc @ 4.5V		441pf @ 10V	逻辑级别门
15C01SS-TL-E	0.4600	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	15C01			200兆	3-SSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000															15 v	600 MA						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，200mA	300 @ 10mA，2V	330MHz
FQPF13N50	-	RFQ	5177	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	12.5A（TC）	10V	430mohm @ 6.25a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
NSVMUN5216T1G	0.0400	RFQ	102	Onmi	-	大部分	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	NSVMUN5216			202兆	SC-70-3（SOT323）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NSVMUN5216T1G	Ear99	8541.21.0095	1															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		4.7科姆斯
NTD5802NT4G	1.6400	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD5802		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	16.4A（TA），101A （TC）	5V，10V	4.4mohm @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5025 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），93.75W（tc）
2SC2812-6-m-TB-E	0.0200	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SC2812-6-M-TB-E-488			1
KSA1156YSTU	-	RFQ	8393	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSA1156			1 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60															400 v	500 MA						100µA（ICBO）	PNP	1V @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，5V	-
MUN5136DW1T1G	0.0553	RFQ	4878	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5136			250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-MUN5136DW1T1GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000															50V	100mA						500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	100kohms	100kohms
TIP147T	-	RFQ	4616	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP147			80 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200															100 v	10 a						2mA	pnp-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
MJE13005G	-	RFQ	6070	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE13			2 w	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MJE13005GOS	Ear99	8541.29.0095	50															400 v	4 a						-	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	4MHz
NTD4858NAT4G	-	RFQ	6711	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	11.2a（ta），73a（tc）		6.2MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	19.2 NC @ 4.5 V		1563 PF @ 12 V	-	1.3W（TA），54.5W（tc）
NVH4L045N065SC1	13.9077	RFQ	6126	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVH4L045N065SC1	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	55A（TC）	15V，18V	50mohm @ 25a，18v	4.3V @ 8mA	105 NC @ 18 V	+22V，-8V	1870 pf @ 325 V	-	187W（TC）
NTD4815NHT4G	-	RFQ	6019	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 4.5 V	±20V	845 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
MJE344	-	RFQ	5391	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE34			20 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500															200 v	500 MA						1ma	NPN	1V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	15MHz
NVHL110N65S3HF	4.2738	RFQ	1748年	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVHL110N65S3HF	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	30A（TC）	10V	110mohm @ 15a，10v	5V @ 740µA	58 NC @ 10 V	±30V	2753 PF @ 400 V	-	240W（TC）
NSVDTC123JM3T5G	0.3800	RFQ	8	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	NSVDTC123			260兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
MPS751ZL1G	-	RFQ	7359	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS751			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															60 V	2 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
FGA25N120ANTU	-	RFQ	4741	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA25N120	标准		310 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			600V，25a，10ohm，15V											npt	1200 v	40 a	75 a	3.2V @ 15V，25a	4.8mj（在）上，1MJ（1MJ）	200 NC	60NS/170NS
提示107克	1.1300	RFQ	16	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示107			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															100 v	8 a						50µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
NVMFD5C462NT1G	2.6500	RFQ	6920	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（ta），50W（TC）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			40V	17.6a（ta），70a tc）		5.4mohm @ 25a，10v	3.5V @ 250µA	16NC @ 10V		1020pf @ 25V	-
2SJ277-DL-E	1.5900	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²