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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BD682STU	-	RFQ	9591	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD682			14 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60															100 v	4 a					500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
DTC144EET1	-	RFQ	5102	Onmi	*	（CT）	过时的				DTC144					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FQD9N25TM	-	RFQ	5112	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD9N25		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		250 v	7.4A（TC）	10V	420MOHM @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
BCW61BMTF	-	RFQ	7638	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW61			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															32 v	100 ma					20NA	PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	140 @ 2mA，5V	-
BC846CLT1G	0.1600	RFQ	14	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846			225兆	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															65 v	100 ma					15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
2SK3824	-	RFQ	8013	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK3824		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		60 V	60a（ta）	4V，10V	15mohm @ 30a，10v	2.6V @ 1mA	67 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 20 V	-	1.75W（TA），60W（TC）
NDS8961	-	RFQ	8612	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS896		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	3.1a		100mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
NTMFS5H400NLT3G	3.9754	RFQ	4998	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	46A（TA），330a （TC）	4.5V，10V		2V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	7700 PF @ 20 V	-	3.3W（TA），160W（tc）
FDC697P	-	RFQ	1885年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP	FDC697		MOSFET （金属 o化物）		supersot™-6 flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	20mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±8V	3524 pf @ 10 V	-	2W（TA）
FQP33N10	1.6000	RFQ	2279	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP33		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FQP33N10-OS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	33A（TC）	10V	52MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	127W（TC）
NJVMJK32CTWG	1.0500	RFQ	1547年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NJVMJK32			2.7W	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000															100V	3a					50µA		1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
NVMFS9D6P04M8LT1G	0.6510	RFQ	3102	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS9		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS9D6P04M8LT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道		40 V	17.1a（ta），77a（tc）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.4V @ 580µA	14.47 NC @ 10 V	±20V	2002 PF @ 20 V	-	3.7W（ta），75W（tc）
NTP52N10	-	RFQ	7815	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP52N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTP52N10OS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	60a（ta）	10V	30mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	214W（TC）
FDZ2554PZ	-	RFQ	6392	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-WFBGA	FDZ25		MOSFET （金属 o化物）	2.1W	18-BGA（2.5x4）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	6.5a		28mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	21nc @ 4.5V		1430pf @ 10V	逻辑级别门
KSC2787YBU	-	RFQ	4599	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2787			250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000															30 V	50 mA					100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
BC557BZL1G	-	RFQ	5071	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC557			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															45 v	100 ma					100NA	PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	320MHz
NVTFS4823NTWG	-	RFQ	3718	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				NVTFS4					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
BC237BTA	-	RFQ	6587	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC237			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															45 v	100 ma					15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
NGTD23T120F2WP	3.1513	RFQ	6288	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD23	标准			死	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-											沟渠场停止	1200 v		120 a	2.2V @ 15V，25a	-	-
NTLJD2105LTBG	-	RFQ	2677	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJD21		MOSFET （金属 o化物）	520MW	6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			8V	2.5a		50mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	-
NTMS4800NR2G	-	RFQ	7684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS48		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道		30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±20V	940 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
2SA1162YT1	-	RFQ	5673	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1162			200兆	SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	150 ma					100NA	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
P2N2907AZL1	-	RFQ	8335	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	P2N290			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															60 V	600 MA					10NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
VEC2616-TL-H	-	RFQ	8751	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	VEC2616		MOSFET （金属 o化物）	1W	SOT-28FL/VEC8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			60V	3a，2.5a		80MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	10NC @ 10V		505pf @ 20V	逻辑级别门
NVTFS6H860NWFTAG	0.3799	RFQ	7822	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	8a（8a ta），30a （TC）	10V	21.1MOHM @ 5A，10V	4V @ 30µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 40 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
PZTA29	0.5100	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZTA29			1 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000															100 v	800 MA					50NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
2SA1338-6-TB-E	0.2400	RFQ	199	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	3,000
FDS7064N	-	RFQ	5845	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70		MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	16A（TA）	4.5V	7.5MOHM @ 16a，4.5V	2V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±12V	3355 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
NTB5412NT4G	-	RFQ	8932	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB54		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	60a（TC）	10V	14mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 0 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	125W（TC）
NSV40501UW3T2G	0.2254	RFQ	8866	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-WDFN暴露垫	NSV405			875 MW	3-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															40 V	5 a					100NA（ICBO）	NPN	150MV @ 400mA，4a	200 @ 2a，2v	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²