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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
NTD4860N-35G	-	RFQ	9617	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			25 v	10.4a（ta），65A（tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	16.5 NC @ 4.5 V	±20V	1308 pf @ 12 V	-	1.28W（TA），50W（TC）
BC547ARLG	-	RFQ	5222	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC547			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	100 ma						15NA	NPN	250mv @ 500µA，10mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
5885-2N5434	-	RFQ	7029	Onmi	-	托盘	过时的	-	-	-	2N5434				-	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100																							-	-	-	-	-
NVMYS2D4N04CTWG	2.0400	RFQ	3121	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS2		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	（30a）（TA），138a （TC）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 90µA	32 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），83W（tc）
MMBT4126LT1G	0.3000	RFQ	81	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT4126			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	200 ma						-	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
FDD26AN06A0	-	RFQ	9434	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD26		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	（7A）（ta），36a （TC）	10V	26mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
KSH210TF	-	RFQ	7822	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH21			1.4 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																25 v	5 a						100NA（ICBO）	PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
NTJD4105CT4	-	RFQ	6570	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105		MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n和p通道				20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
NVMFS6H848NWFT1G	0.6902	RFQ	3778	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			80 V	（13a）（ta），57A（tc）	10V	9.4mohm @ 10a，10v	4V @ 70µA	16 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 40 V	-	3.7W（ta），73W（tc）
CPH6314-TL-E	0.2500	RFQ	58	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
ATP214-TL-H	-	RFQ	5089	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP214		MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			60 V	75a（ta）	4V，10V	8.1MOHM @ 38A，10V	-	96 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 20 V	-	60W（TC）
FQP6N90C	-	RFQ	3461	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			900 v	6A（TC）	10V	2.3OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1770 pf @ 25 V	-	167W（TC）
NJVBUB323ZT4G	2.9600	RFQ	7153	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NJVBUB323			150 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800																350 v	10 a						100µA	npn-达灵顿	1.7V @ 250mA，10a	500 @ 5A，4.6V	2MHz
FW707-TL-E	-	RFQ	7703	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	FW707		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-sop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	2（p 通道（双）				30V	8a		26mohm @ 8a，10v	-	18NC @ 10V		900pf @ 10V	逻辑级别门
MPSA44	-	RFQ	1022	Onmi	-	大部分	过时的				MPSA44					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
FCH47N60F	-	RFQ	3291	Onmi	SuperFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH47		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			600 v	47A（TC）	10V	73mohm @ 23.5a，10v	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	417W（TC）
2N4234	-	RFQ	4439	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N423			6 W	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																40 V	1 a						-	PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
BC308BBU	-	RFQ	4418	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC308			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																25 v	100 ma						15NA	PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
2SK1420-SSO-ur10	1.3900	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SZT1004T1G	0.1000	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTBG045N065SC1	14.9300	RFQ	798	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			650 v	62A（TC）	15V，18V	50mohm @ 25a，18v	4.3V @ 8mA	105 NC @ 18 V	+22V，-8V	1890 pf @ 325 V	-	242W（TC）
5HN01SS-TL-E	-	RFQ	3635	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	3-SMD，平坦的铅	5HN01				3-SSFP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000
BSS123W	-	RFQ	1382	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS123		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			100 v	170mA（TA）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA		±20V	71 PF @ 25 V	-	200mw（ta）
MJ11032	-	RFQ	8806	Onmi	-	托盘	过时的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	MJ110			300 w	TO-204（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJ11032OS	Ear99	8541.29.0095	100																120 v	50 a						2mA	npn-达灵顿	3.5V @ 500mA，50a	1000 @ 25a，5v	-
BC639_D26Z	-	RFQ	5692	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC639			1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																80 V	1 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
SGF40N60UFTU	-	RFQ	6500	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF40	标准		100 W	to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360			300V，20a，10ohm，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.6V @ 15V，20A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	97 NC	15NS/65NS
BSS84LT7G	0.3900	RFQ	6003	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS84		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,500		P通道			50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5V	2V @ 250µA	2.2 NC @ 10 V	±20V	36 pf @ 5 V	-	225MW（TA）
HUF76439S3S	-	RFQ	1846年	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF76		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道			60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	180W（TC）
smun5214t1g	0.3400	RFQ	8393	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	Smun5214			202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
KSC2786OBU	-	RFQ	5543	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2786			250MW	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000				18db〜22dB												20V	20mA							NPN		70 @ 1mA，6v	600MHz			3DB〜5DB @ 100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²