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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
mje703stu	-	RFQ	2430	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE703		40 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920													80 V	4 a	100µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
BUZ11_R4941	-	RFQ	3036	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	50 V	30A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQB34N20TM-AM002	-	RFQ	5307	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB34N20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	31a（TC）	10V	75MOHM @ 15.5A，10V	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），180W（tc）
BC546TFR	-	RFQ	5955	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC546		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
SBC846BWT1G	0.1800	RFQ	5125	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SBC846		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
BC489A	-	RFQ	6088	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC489		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，2V	200MHz
FDMA1027PT	-	RFQ	8133	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA1027	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3a		120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6NC @ 4.5V		435pf @ 10V	逻辑级别门
FDD6676AS	-	RFQ	4698	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD667	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	90A（ta）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 16A，10V	3V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	2500 pf @ 15 V	-	70W（TA）
KSC5305DTU	-	RFQ	9185	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC5305		75 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													400 v	5 a	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 400mA，2a	8 @ 2a，1V	-
FCU5N60TU	-	RFQ	8709	Onmi	SuperFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FCU5N60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道	600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
2N3702_D27Z	-	RFQ	5838	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3702		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													25 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 50mA，5V	100MHz
2N3903_S00Z	-	RFQ	4241	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N3903		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													40 V	200 MA	50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
BFL4037-S	0.5900	RFQ	11	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2N5401TAR	-	RFQ	1262	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5401		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													150 v	600 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	400MHz
HUF75645S3S	-	RFQ	4793	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
15C02CH-TL-E	0.4700	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	15C02		700兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													15 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	280mv @ 20mA，400mA	300 @ 50mA，2V	440MHz
FCP20N60	5.5100	RFQ	1	Onmi	SuperFet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	208W（TC）
BD436TG	-	RFQ	8243	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD436		36 W	TO-126	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													32 v	4 a	100µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	3MHz
BC238TAR	-	RFQ	3632	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC238		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													25 v	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
BC856BDW1T3G	0.2300	RFQ	10	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC856		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													65V	100mA	15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
NSS60200SMTTBG	0.2120	RFQ	4608	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NSS60200		1.8 w	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													60 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	450mv @ 200mA，2a	150 @ 100mA，2V	155MHz
NSBC143EDXV6T1	-	RFQ	5841	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC143		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NSBC143EDXV6T1OS	Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	4.7kohms
NVMFD5C462NT1G	2.6500	RFQ	6920	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5	MOSFET （金属 o化物）	3.2W（ta），50W（TC）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		40V	17.6a（ta），70a tc）		5.4mohm @ 25a，10v	3.5V @ 250µA	16NC @ 10V		1020pf @ 25V	-
mps6717rlra	-	RFQ	6640	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS671		1 w	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
FJNS4210RTA	-	RFQ	3341	Onmi	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
NTMFS4C09NT1G-001	-	RFQ	3311	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500		n通道	30 V	（9A）（ta），52a（tc）	4.5V，10V	5.8mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1252 PF @ 15 V	-	760MW（TA）
STMFS5C628NLT1G	3.5300	RFQ	3158	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				STMFS5				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1,500
FDP060AN08A0	2.9800	RFQ	6002	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	16a（16a），80A（tc）	6V，10V	6mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5150 pf @ 25 V	-	255W（TC）
EMX1DXV6T1	-	RFQ	6766	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX1		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													50V	100mA	500NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
mpsw05g	-	RFQ	3535	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSW05		1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000													60 V	500 MA	500NA	NPN	400mv @ 10mA，250mA	60 @ 250mA，1V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²