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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FCP16N60N-F102	-	RFQ	8856	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCP16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道			600 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	52.3 NC @ 10 V	±30V	2170 pf @ 100 V	-	134.4W（TC）
FQB4P40TM	-	RFQ	1344	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB4		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	P通道			400 v	3.5A（TC）	10V	3.1OHM @ 1.75A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），85W（tc）
BF199_D74Z	-	RFQ	7662	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF199			350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000			-													25V	50mA							NPN		38 @ 7mA，10v	1.1GHz			-
NTHL040N120SC1	24.5000	RFQ	750	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL040		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道			1200 v	60a（TC）	20V	56mohm @ 35a，20v	4.3V @ 10mA	106 NC @ 20 V	+25V，-15V	1781 PF @ 800 V	-	348W（TC）
NVMJS1D3N04CTWG	2.9100	RFQ	6832	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJS1		MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			40 V	41A（ta），235a （TC）	10V	1.3MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 170µA	65 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
NVMJS1D0N04CTWG	3.8400	RFQ	4158	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJS1		MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			40 V	46A（TA），300A （TC）	10V	0.92MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 190µA	86 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），166w（tc）
P2N2907ARL1G	-	RFQ	5321	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	P2N290			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	600 MA						10NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2SC3253R	0.3600	RFQ	2	Onmi	-	大部分	过时的									-				2156-2SC3253R			825
NVMFS5C423NLWFAFT3G	0.8706	RFQ	3671	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道			40 V	（31a）（TA），150A （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
HGTG20N60A4D	3.1592	RFQ	6058	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG20N60	标准		290 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		390V，20a，3ohm，15v												35 ns	-	600 v	70 a	280 a	2.7V @ 15V，20A	（105µJ）（在150µJ）上（OFF）	142 NC	15NS/73NS
MUN5213T1G	0.2000	RFQ	21	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5213			202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
KSA539CYTA	-	RFQ	2837	Onmi	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA539			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																45 v	200 ma						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	-
BC237CG	-	RFQ	7813	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC237			350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																45 v	100 ma						15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	200MHz
NVB095N65S3F	6.8800	RFQ	7209	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道			650 v	36a（TC）	10V	95mohm @ 18a，10v	5V @ 860µA	66 NC @ 10 V	±30V	3020 PF @ 400 V	-	272W（TC）
FDMT800150DC	7.5900	RFQ	10	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMT800150		MOSFET （金属 o化物）		8 Dual Cool™88	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			150 v	（15a）（ta），99a （TC）	6V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	8205 PF @ 75 V	-	3.2W（ta），156W（TC）
2N4403G	-	RFQ	8022	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N4403			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																40 V	600 MA						-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
FGH40N60SFDTU	4.9500	RFQ	31	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40	标准		290 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10ohm，15V												45 ns	现场停止	600 v	80 a	120 a	2.9V @ 15V，40a	1.13mj（在）上，310µJ off）	120 NC	25NS/115NS
FDS86252	1.1000	RFQ	5303	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			150 v	4.5A（ta）	6V，10V	55MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	955 PF @ 75 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
KSA910YBU	-	RFQ	1058	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA910			800兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000																150 v	50 mA						100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	100MHz
NTTFS5C673NLTWG	1.6600	RFQ	4417	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道			60 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 25a，10V	2V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
2SK3821-E	-	RFQ	2693	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	2SK3821		MOSFET （金属 o化物）		SMP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道			100 v	40a（ta）	4V，10V	33mohm @ 20a，10v	2.6V @ 1mA	73 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 20 V	-	1.65W（TA），65W（tc）
MMBTA42LT1	1.0000	RFQ	7211	Onmi	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA42			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																300 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
FQP19N10L	-	RFQ	4641	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			100 v	19a（tc）	5V，10V	100mohm @ 9.5a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2SK1420-SSO-ur10	1.3900	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NVD6495NLT4G	-	RFQ	7265	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD649		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			100 v	25A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1024 PF @ 25 V	-	83W（TC）
2SK2260-O-TD-E	0.5500	RFQ	26	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
FQA44N30	-	RFQ	1946年	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA44		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道			300 v	43.5A（TC）	10V	69mohm @ 21.75a，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
FGB30N6S2	-	RFQ	1257	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FGB3	标准		167 w	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		390V，12a，10ohm，15V													-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	55µJ（在）上，100µJ（100µJ）	23 NC	6NS/40NS
NVHL110N65S3HF	4.2738	RFQ	1748年	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVHL110N65S3HF	Ear99	8541.29.0095	30	n通道			650 v	30A（TC）	10V	110mohm @ 15a，10v	5V @ 740µA	58 NC @ 10 V	±30V	2753 PF @ 400 V	-	240W（TC）
NVMFS5C612NLT1G	4.1100	RFQ	273	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道			60 V	36a（TA），235a （TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±20V	6660 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²