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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NSBC143EF3T5G	0.0986	RFQ	1276	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBC143		254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000												50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
2N7000BU	0.3700	RFQ	23	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N7000	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60 V	200ma（tc）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
BFL4037-1E	-	RFQ	4791	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BFL40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3F	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	11A（TC）	10V	430MOHM @ 8A，10V	-	48.6 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2W（TA），40W（TC）
KSC2682OS	-	RFQ	7349	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC2682		1.2 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250												180 v	100 ma	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，5v	200MHz
FDWS9509L-F085	-	RFQ	8163	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDWS9509	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5.1x6.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	65A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 65a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	3360 pf @ 20 V	-	107W（TJ）
FDS6576	1.2100	RFQ	3285	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS65	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	14mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±12V	4044 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
KSD1588RTU	-	RFQ	4348	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1588		2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000												60 V	7 a	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 500mA，5a	40 @ 3a，1V	-
PN3643_D74Z	-	RFQ	9929	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN364		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000												30 V	500 MA	50NA	NPN	220mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
FQD5N20LTM	-	RFQ	2013	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	3.8A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
EFC4615R-Tr	0.4700	RFQ	3258	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，FCBGA	EFC4615	MOSFET （金属 o化物）		EFCP1515-4CC-037	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	24 V	6a（6a）	2.5V，4.5V	31MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 1mA	8.8 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.6W（TA）
MGSF1N02LT1	-	RFQ	5198	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MGSF1	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MGSF1N02LT1OSTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	750mA（TA）	4.5V，10V	90MOHM @ 1.2A，10V	2.4V @ 250µA		±20V	125 pf @ 5 V	-	400MW（TA）
NTMS4917NR2G	-	RFQ	4586	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS49	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n通道	30 V	7.1a（ta）	4.5V，10V	11MOHM @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	15.6 NC @ 4.5 V	±20V	1054 pf @ 25 V	-	880MW（TA）
2SK1645V-03-TR-E	1.3900	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BC182Brl1g	-	RFQ	4328	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC182		350兆	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												50 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	200MHz
MMUN2116LT1	0.0200	RFQ	51	Onmi	-	大部分	过时的				MMUN2116				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SK3826	-	RFQ	4965	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK3826	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	100 v	26a（26a）	4V，10V	60mohm @ 13a，10v	2.6V @ 1mA	42 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 20 V	-	1.75W（ta），45W（tc）
SNST3904DXV6T1G	-	RFQ	3388	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	ST3904		357MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SNST3904DXV6T1GTR	Ear99	8541.21.0095	1												40V	200mA	50NA	2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
FDB3632	3.1600	RFQ	5096	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB363	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	（12A）（ta），80a tc）	6V，10V	9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	310W（TC）
KSC2330YTA	-	RFQ	4361	Onmi	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2330		1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000												300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 20mA，10v	50MHz
NVMFS5C430NWFT3G	-	RFQ	8753	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	185a（TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
mpsw42g	-	RFQ	5773	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSW42		1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000												300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
NZT6728	-	RFQ	8566	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	NZT67		1 w	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500												60 V	1.2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
MMFT2N02ELT1	-	RFQ	7546	Onmi	-	Digi-Reel®	过时的		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	mmft2n	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	20 v	1.6a（ta）		150MOHM @ 800mA，5V	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V		580 pf @ 15 V	-
NTD32N06-001	-	RFQ	7013	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD32	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	32a（ta）	10V	26mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），93.75W（tj）
NTD60N02R-035	-	RFQ	7313	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	8.5a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），58W（tc）
FDMA8884	-	RFQ	7780	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA88	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	6.5a（6），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
KSH3055TF	-	RFQ	2181	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH30		1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000												60 V	10 a	50µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
BC548TAR	-	RFQ	9663	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC548		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
KSD1589OTU	-	RFQ	6605	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1589		1.5 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50												100 v	5 a	1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	3000 @ 3A，2V	-
NTD25P03LRLG	-	RFQ	3439	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD25	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	P通道	30 V	25A（TA）	4V，5V	80Mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	1260 pf @ 25 V	-	75W（TJ）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²