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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BDW46	-	RFQ	3550	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW46		85 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													80 V	15 a	2mA	pnp-达灵顿	3V @ 50mA，10a	1000 @ 5A，4V	4MHz
BC33740TA	0.6000	RFQ	11	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC33740		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	800 MA	100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
mje200stu	-	RFQ	5950	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE200		15 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,920													25 v	5 a	100NA（ICBO）	NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
FQA140N10	7.1100	RFQ	8	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA140	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	100 v	140a（TC）	10V	10mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±25V	7900 PF @ 25 V	-	375W（TC）
FQD13N06TM	0.6200	RFQ	1	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD13N06	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	10A（TC）	10V	140MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	310 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
CPH6341-TL-E	-	RFQ	5608	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CPH634	MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（5A）	4V，10V	59MOHM @ 3A，10V	-	10 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
NTGS3446T1G	0.6900	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS3446	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	750 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
2n5550rlrpg	-	RFQ	2881	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N5550		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													140 v	600 MA	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BC559BU	-	RFQ	8035	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
FQPF13N50CSDTU	-	RFQ	3674	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道	500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
NTHD3100CT3	-	RFQ	3767	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD3100	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	chipfet™	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000	n和p通道		20V	2.9a，3.2a		80MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V		165pf @ 10V	逻辑级别门
BDX53CTU	-	RFQ	7952	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX53		60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													100 v	8 a	500µA	npn-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
2N3904_J61Z	-	RFQ	2866	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3904		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500													40 V	200 ma	-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BDW93CFTU	-	RFQ	3933	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW93		80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													100 v	12 a	1ma	npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
BFL4001-1EX	-	RFQ	8242	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TA）	通过洞	TO-220-3完整包	BFL40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3 FULLPACK/TO-220F-3SG	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	900 v	6.5A（TA）	10V	2.7OHM @ 3.25A，10V	-	44 NC @ 10 V	±30V	850 pf @ 30 V	-	2W（TA），37W（tc）
FDMC86012	3.9400	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86	MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	23a（23A）	2.5V，4.5V	2.7MOHM @ 23A，4.5V	1.5V @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±12V	5075 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），54W（tc）
2N3416_D27Z	-	RFQ	3083	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N341		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													50 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 3mA，50mA	75 @ 2mA，4.5V	-
BC848BWT1	-	RFQ	1615年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
NVMFD5C674NLWFT1G	2.0600	RFQ	7244	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5	MOSFET （金属 o化物）	3W（3W），37W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		60V	（11a）（ta），42a（tc）		14.4mohm @ 10a，10v	2.2V @ 25µA	4.7nc @ 4.5V		640pf @ 25V	-
FJP5021R	-	RFQ	3357	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200													500 v	5 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	18MHz
SMBT3906DW1T1G	0.3900	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SMBT3906		150MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40V	200mA	-	2 PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TIP29AG	1.0300	RFQ	346	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP29		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													60 V	1 a	300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
MJD44H11T4	-	RFQ	7770	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD44		20 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													80 V	8 a	1µA	NPN	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	85MHz
FHR1200	-	RFQ	3545	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FHR12		227兆	SC-88 （SC-70-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													100 v	50 mA	-	NPN + Zener 二极管（隔离）	-	-	-
KSB1116GTA	-	RFQ	1604	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSB11		750兆w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													50 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	120MHz
FX205-TL-E	-	RFQ	7121	Onmi	-	大部分	过时的								-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FX205-TL-E-488			1
NVTFS5124PLWFTWG	-	RFQ	9591	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5124	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	60 V	2.4A（TA）	4.5V，10V	260MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	（3w（ta），18W（tc）
MPSW92	-	RFQ	2564	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSW92		1 w	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mpsw92os	Ear99	8541.29.0075	5,000													300 v	500 MA	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
BC238BRL1	1.0000	RFQ	5253	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000
FDH038AN08A1	11.1400	RFQ	7363	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FDH038	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道	75 v	22a（22A），80a tc（TC）	6V，10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8665 PF @ 25 V	-	450W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²