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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTMFS024N06CT1G	0.7002	RFQ	4475	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS024		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS024N06CT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	8a（8a ta），25a tc）（TC）	10V	22mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 30 V	-	3.4W（ta），28W（tc）
NDCTR15120A	10.5735	RFQ	9458	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NDCTR15120						-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NDCTR15120ATR			1,700					-
TE02549	0.9000	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
SPS9408RLM	-	RFQ	4988	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响				1
Bud43b-001	0.3600	RFQ	57	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
LM9014B	-	RFQ	9146	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））					1
NSBA123JDXV6	-	RFQ	3485	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				4,000
2SK3618-TL-E	0.6600	RFQ	35	Onmi	*	大部分	积极的				2SK3618		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700												-
2SK4098LS-YOC11	0.3900	RFQ	22	Onmi	*	大部分	积极的				2SK4098		-				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												-
SMBF5460LT1	0.2100	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000
FW342-T-TL-H	-	RFQ	1888年	Onmi	*	大部分	积极的				FW342		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1,000												-
TE02208	1.2300	RFQ	600	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
2SA1745-6-TL-E	1.0000	RFQ	5470	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
NVTFS5824NLTAG-ON	1.0000	RFQ	1460	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	37A（TC）	4.5V，10V	20.5Mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），57W（tc）
FDB7030BL-ON	-	RFQ	8334	Onmi	PowerTrench®	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道		30 V	60a（ta）		18mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V	1760 pf @ 15 V	-	60W（TC）
BD681STU	0.2800	RFQ	645	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				40 W		TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,065															100 v	4 a					500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
MCH5815-TL-E-ON	0.1200	RFQ	156	Onmi	*	大部分	积极的				MCH5815		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000												-
fjx4006rtf-on	0.0300	RFQ	12	Onmi	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX400			200兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000															50 V	100 ma					100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
SMSD1001T1	0.0200	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				15,000
JDX5010	0.9300	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
6LP04CH-TL-E	0.1000	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的				6LP04		-				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000												-
MPIC2117p	0.6100	RFQ	750	Onmi	*	大部分	积极的				MPIC2117		-				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
FDS9435ANBAD008	-	RFQ	8660	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDS9435ANBAD008TR	过时的		2,500					5.3A（TJ）
NXH027B120MNF2PTG	328.4805	RFQ	2922	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NXH027						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NXH027B120MNF2PTGTR	Ear99	8541.29.0095	20
TF412T5G	-	RFQ	6109	Onmi	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	1
NGD8205ANT4G	0.8000	RFQ	8	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑		125 w		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			300V，9A，1KOHM，5V											-	390 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-	- /5µs
2SC3651-TD-E	0.1900	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA						pcp	下载					Ear99	8541.21.0075	1																					100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，100mA	500 @ 10mA，5v	150MHz
NXH350N100H4Q2F2S1G	256.7100	RFQ	7930	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH350			276 w	标准	42-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH350N100H4Q2F2S1G	Ear99	8541.29.0095	12	三级逆变器													沟渠场停止	1000 v	303 a		2.3V @ 15V，375a			1 MA	是的	24.146 NF @ 20 V
ksa473ytstua	-	RFQ	8726	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				10 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-ksa473ytstua	Ear99	8541.29.0075	50															30 V	3 a					1µA（ICBO）			PNP	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
2SD2100-TD-E	-	RFQ	8553	Onmi	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²