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晶体管（（17799）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 电阻-RDS（（在） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 （ID） - 最大
NVD6824NLT4G onsemi NVD6824NLT4G -
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 NVD682 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 8.5a（ta），41a（tc） 4.5V，10V 20mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±20V 3468 PF @ 25 V - 3.9W（ta），90W（90W）TC）
NTMFS5H425NLT1G onsemi NTMFS5H425NLT1G 1.2700
RFQ
 ECAD 481 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NTMFS5 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 25A（25A），118a tc（TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 20a，10v 2V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1950 pf @ 20 V - 3W（3W），69w（tc）
2SC5763M onsemi 2SC5763M 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
FJN598JBBU onsemi FJN598JBBU -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） FJN598 150兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 3.5pf @ 5V 20 v 100 µA @ 5 V 600 mV @ 1 µA 1 MA
2N5457_D74Z onsemi 2N5457_D74Z -
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N5457 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 7pf @ 15V 25 v 1 mA @ 15 V 500 mv @ 10 na
MMBF4093 onsemi MMBF4093 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBF40 350兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 16pf @ 20V 40 V 8 ma @ 20 V 1 v @ 1 na 80欧姆
J109 onsemi J109 0.4800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） J109 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 J109FS Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 - 25 v 40 mA @ 15 V 2 V @ 10 na 12欧姆
NVTFS5C454NLWFTAG onsemi NVTFS5C454NLWFTAG 1.6200
RFQ
 ECAD 6907 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NVTFS5 MOSFET （金属 o化物） 8-WDFN（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 85A（TC） 4.5V，10V 4mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 8.2 NC @ 4.5 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 55W（TC）
2SC3789E-CD onsemi 2SC3789E-CD -
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BF247A onsemi BF247A -
RFQ
 ECAD 9223 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BF247 350兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 - 25 v 30 ma @ 15 V 600 mv @ 100 na
MCH6336-TL-W onsemi MCH6336-TL-W -
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MCH6336 MOSFET （金属 o化物） SC-88FL/MCPH6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 5A（5A） 1.8V，4.5V 43mohm @ 3A，4.5V 1.4V @ 1mA 6.9 NC @ 4.5 V ±10V 660 pf @ 6 V - 1.5W（TA）
KSC2518R onsemi KSC2518R -
RFQ
 ECAD 4658 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 KSC2518 40 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1200 400 v 4 a 10µA（ICBO） NPN 1V @ 300mA，1.5a 20 @ 300mA，5V -
NTGS3136PT1G onsemi NTGS3136PT1G 0.9700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NTGS3136 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.7a（ta） 1.8V，4.5V 33MOHM @ 5.1A，4.5V 1V @ 250µA 29 NC @ 4.5 V ±8V 1901 pf @ 10 V - 700MW（TA）
FQU3N40TU onsemi FQU3N40TU -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA FQU3 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 400 v 2A（TC） 10V 3.4OHM @ 1A，10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±30V 230 pf @ 25 V - 2.5W（TA），30W（tc）
NTJD4001NT1 onsemi NTJD4001NT1 -
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4001 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NTJD4001NT1OS Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
2SB808G-SPA onsemi 2SB808G-SPA 1.0000
RFQ
 ECAD 2471 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1
MMBFJ212 onsemi MMBFJ212 -
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 25 v 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBFJ2 - JFET SOT-23-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 n通道 40mA - - -
KSC1009CYBU onsemi KSC1009CYBU -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） KSC1009 800兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 140 v 700 MA 100NA（ICBO） NPN 700mv @ 20mA，200mA 120 @ 50mA，2V 50MHz
2SA2040-E onsemi 2SA2040-E -
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA 2SA2040 1 w TP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 50 V 8 a 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 40mA，2a 200 @ 500mA，2V 330MHz
FQPF22P10 onsemi FQPF22P10 -
RFQ
 ECAD 2281 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF22 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 13.2A（TC） 10V 125mohm @ 6.6a，10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 1500 pf @ 25 V - 45W（TC）
FGH40T120SMDL4 onsemi FGH40T120SMDL4 -
RFQ
 ECAD 1558年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 FGH40 标准 555 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 600V，40a，10ohm，15V 65 ns 沟渠场停止 1200 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V，40a 2.24mj（在）上，1.02MJ（） 370 NC 44NS/464NS
NTMFS4C805NAT1G onsemi NTMFS4C805NAT1G 0.6331
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NTMFS4C805NAT1GTR Ear99 8541.21.0095 1,500 n通道 30 V 11.9a（ta），78a tc） 4.5V，10V 2.8mohm @ 30a，10v 2.2V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1972 pf @ 15 V - （770MW）（TA），33W（tc）
NVD5C464NLT4G onsemi NVD5C464NLT4G 1.6600
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - - NVD5C464 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 - 18A（18A），64a（tc） - - - - - -
EFC6618R-A-TF onsemi EFC6618R-A-TF -
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 EFC6618 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 0000.00.0000 5,000 -
2N5952_D75Z onsemi 2N5952_D75Z -
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N5952 1khz JFET TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 8mA - - 2DB 15 v
SZT1010T1G onsemi SZT1010T1G 0.1221
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - - SZT1010 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
MMFT2406T1G onsemi MMFT2406T1G -
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Onmi * 过时的 mmft24 - （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000
KSB546Y onsemi KSB546Y -
RFQ
 ECAD 1809年 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 KSB54 25 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 150 v 2 a 50µA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 120 @ 400mA，10v 5MHz
FCH099N65S3-F155 onsemi FCH099N65S3-F155 7.4200
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 Onmi SuperFet®III 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 FCH099 MOSFET （金属 o化物） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 650 v 30A（TC） 10V 99mohm @ 15a，10v 4.5V @ 3mA 61 NC @ 10 V ±30V 2480 pf @ 400 V - 227W（TC）
FDH038AN08A1 onsemi FDH038AN08A1 11.1400
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 Onmi PowerTrench® 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 FDH038 MOSFET （金属 o化物） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 75 v 22a（22A），80a tc（TC） 6V，10V 3.8mohm @ 80a，10v 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 8665 PF @ 25 V - 450W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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