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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQPF50N06L	-	RFQ	9449	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	32.6a（TC）	5V，10V	21mohm @ 16.3a，10v	5V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	47W（TC）
mpsa64rlrm	-	RFQ	8043	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA64				625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
FDW254P	-	RFQ	9666	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					20 v	9.2a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 9.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	96 NC @ 4.5 V	±8V	5878 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
P2N2222ARL1	-	RFQ	8551	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	P2N222				625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				40 V	600 MA						10NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MCH3478-S-TL-H	-	RFQ	1233	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SC-70，SOT-323	MCH34			-		3-MCPH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-						2A（TJ）		-	-				-	-
2N5246	-	RFQ	8702	Onmi	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5246		-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		7ma		-	-											-
ATP107-TL-H	-	RFQ	6672	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP107			MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					40 V	50a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 25a，10v	-	47 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	50W（TC）
MJD2955-001	-	RFQ	4467	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	MJD29				1.75 w	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75																				60 V	10 a						50µA	PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
BC238ABU	-	RFQ	3358	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC238				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				25 v	100 ma						15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
NTTFS4945NTWG	-	RFQ	5123	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	7.1a（ta），34a（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	17.3 NC @ 10 V	±20V	1194 pf @ 15 V	-	890MW（TA），20W（20W）TC）
MUN5338DW1T3G	0.0345	RFQ	4215	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5338				250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-MUN5338DW1T3GTR	Ear99	8541.21.0095	10,000																				50V	100mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	20 @ 5mA，10v	-	4.7KOHM，47KOHM	10KOHMS，47KOHMS
KSC2500DTA	-	RFQ	5545	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2500				900兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				10 v	2 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，2a	420 @ 500mA，1V	150MHz
KSB1098RTU	-	RFQ	4310	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSB10				2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				100 v	5 a						1µA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 3A，2V	-
BC214L_L34Z	-	RFQ	8626	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC214				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				30 V	500 MA						15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	140 @ 2mA，5V	200MHz
BC548CBU	-	RFQ	2875	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
6HP04MH-TL-W	-	RFQ	2773	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	6HP04			MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					60 V	370mA（ta）	4V，10V	4.2OHM @ 190mA，10v	-	0.84 NC @ 10 V	±20V	24.1 PF @ 20 V	-	600MW（TA）
FGA40N65SMD	4.8500	RFQ	17	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA40N65	标准			349 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，6ohm，15V														42 ns	现场停止	650 v	80 a	120 a	2.5V @ 15V，40a	820µJ（在）（260µJ）上，OFF）	119 NC	12NS/92NS
MUN5133DW1T1	0.1000	RFQ	15	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN51				385MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA						500NA	2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
BC557BZL1G	-	RFQ	5071	Onmi	-	（CT）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC557				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	100 ma						100NA	PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	320MHz
FDMD8440L	6.9300	RFQ	4421	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMD8440			MOSFET （金属 o化物）	2.1W（TA），33W（tc）	电源3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						40V	21a（21A），87a tc（87a）		2.6mohm @ 21a，10v	3V @ 250µA	62NC @ 10V		4150pf @ 20V	-
NVMFS5C682NLWFT1G	-	RFQ	2316	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					60 V	25A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10a，10v	2V @ 16µA	5 NC @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
NTB18N06L	-	RFQ	8338	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB18			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	15A（TC）	5V	100mohm @ 7.5a，5V	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±10V	440 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
MCH3406-TL-E	0.1100	RFQ	59	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,664
2N3904RL1G	-	RFQ	4467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N3904				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				40 V	200 ma						-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
FDS7079ZN3	-	RFQ	1845年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70			MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	16A（TA）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	55 NC @ 5 V	±25V	3630 PF @ 15 V	-	3.13W（TA）
EFC4601R-M-Tr	0.2100	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000
FDP5800	2.6700	RFQ	242	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP58			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	（14A）（ta），80a（tc）	4.5V，10V	6mohm @ 80a，10v	2.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	9160 pf @ 15 V	-	242W（TC）
NTD78N03G	-	RFQ	6632	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD78			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					25 v	11.4A（ta），78a tc）	4.5V，10V	6mohm @ 78a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2250 pf @ 12 V	-	1.4W（TA），64W（tc）
NTMFS006N08MC	2.2300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS006			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					80 V	9.3a（ta），82a（tc）	6V，10V	6mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 40 V	-	1W（ta），78W（tc）
KSD1616AGBU	0.4000	RFQ	38	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSD1616				750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																				60 V	1 a						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	160MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²