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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
KSC2258AS	-	RFQ	1833年	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC2258		4 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	250														300 v	100 ma	-	NPN	1.2V @ 5mA，50mA	40 @ 40mA，20v	100MHz
KSB1366YTU	-	RFQ	2733	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSB13		2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50														60 V	3 a	100µA（ICBO）	PNP	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，5V	9MHz
FDD8444-F085	-	RFQ	8317	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD844	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	145a（TC）	10V	5.2MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±20V	6195 PF @ 25 V	-	153W（TC）
KSC2330RTA	-	RFQ	6353	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2330		1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,000														300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	40 @ 20mA，10v	50MHz
SS9015BTA	-	RFQ	4777	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	SS9015		450兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000														45 v	100 ma	50NA（iCBO）	PNP	700mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	190MHz
FDS6912A	0.8000	RFQ	9134	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	6a		28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	8.1nc @ 5V		575pf @ 15V	逻辑级别门
VEC2820-TL-E	0.1400	RFQ	108	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
FDPF770N15A	1.5600	RFQ	376	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF770	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	10A（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	11.2 NC @ 10 V	±20V	765 PF @ 75 V	-	21W（TC）
DTA123JET1G	0.2100	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA123		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
PZT2222AT3G	0.4500	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZT2222		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	4,000														40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
FDMS86103L	2.8400	RFQ	2295	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86103	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	（12A）（ta），49a （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3710 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
NVD6824NLT4G-VF01	1.6700	RFQ	3218	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD6824	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	8.5a（ta），41a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3468 PF @ 25 V	-	3.9W（ta），90W（90W）TC）
NSVF5488SKT3G	0.5300	RFQ	7	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	NSVF5488		100MW	SOT-623/SSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	8,000			12DB											10V	70mA		NPN		90 @ 20mA，5V	7GHz			1dB @ 1GHz
MCH3479-TL-H	-	RFQ	8166	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH3479	MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	-	2.8 NC @ 4.5 V	±12V	260 pf @ 10 V	-	900MW（TA）
SFT1423-TL-E	-	RFQ	1735年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT142	MOSFET （金属 o化物）		TP-FA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	700		n通道		500 v	2A（TA）	4V，10V	4.9ohm @ 1A，10V	-	8.7 NC @ 10 V	±20V	175 pf @ 30 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
FDPF14N30	-	RFQ	1516年	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	14A（TC）	10V	290MOHM @ 7A，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1060 pf @ 25 V	-	35W（TC）
MPSA77_D74Z	-	RFQ	4637	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA77		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000														60 V	1.2 a	100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	100MHz
BD678G	-	RFQ	6268	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD678		40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500														60 V	4 a	500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
FQB45N15V2TM	-	RFQ	4021	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB4	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	45A（TC）	10V	40mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3030 PF @ 25 V	-	-
FQD3P50TM-F085	-	RFQ	1886年	Onmi	汽车，AEC-Q101，QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3P50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		500 v	2.1A（TC）	10V	4.9Ohm @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
BC182	-	RFQ	6167	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC182		350兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	5,000														50 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	200MHz
HUFA76423D3ST	-	RFQ	6054	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
NTD3813N-35G	-	RFQ	4552	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD38	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		16 V	9.6a（ta），51a（tc）	4.5V，10V	8.75MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	12.8 NC @ 4.5 V	±16V	963 PF @ 12 V	-	1.2W（TA），34.9W（tc）
NJW44H11G	2.7400	RFQ	70	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	NJW44		120 w	TO-3P-3L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	30														80 V	10 a	10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	80 @ 4A，2V	85MHz
MMBT4355	-	RFQ	3061	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT4355		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000														60 V	800 MA	50NA（iCBO）	PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 10mA，10v	-
KSA1015Grta	-	RFQ	2322	Onmi	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA1015		400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
BC373RL1	-	RFQ	9724	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC373		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000														80 V	1 a	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.1V @ 250µA，250mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
FQB25N33TM-F085	-	RFQ	9355	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		330 v	25A（TC）	10V	230MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 15 V	±30V	2010 PF @ 25 V	-	3.1W（TA），250W（tc）
KSC2335Y	-	RFQ	1763年	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2335		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1200														400 v	7 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	40 @ 1A，5V	-
MCH6437-TL-E	-	RFQ	4800	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6437	MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	7a（ta）	1.8V，4.5V	24mohm @ 4A，4.5V	-	8.4 NC @ 4.5 V	±12V	660 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²