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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVMFS5C404NWFT1G-K	-	RFQ	6988	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NVMFS5C404NWFT1G-KTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
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FDD8N50NZTM	1.4100	RFQ	2338	Onmi	Unifet-II™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8N50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	6.5A（TC）	10V	850MOHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	735 PF @ 25 V	-	90W（TC）
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FQPF9N50CF	-	RFQ	8248	Onmi	FRFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	9A（TC）	10V	850MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	44W（TC）
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NVMFS5C456NLT1G	-	RFQ	8851	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	87A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），55W（tc）
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MCH6436-TL-W	-	RFQ	4087	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6436	MOSFET （金属 o化物）		SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6a（6a）	1.8V，4.5V	34mohm @ 3A，4.5V	1.3V @ 1mA	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	710 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
FDB390N15A	2.1800	RFQ	4	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB390	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	27a（TC）	10V	39mohm @ 27a，10v	4V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1285 PF @ 75 V	-	75W（TC）
FQP18N20V2	-	RFQ	6732	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	123W（TC）
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FCD380N60E	2.4600	RFQ	5228	Onmi	SuperFet®II	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD380	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	106W（TC）
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IRFN214BTA_FP001	-	RFQ	8399	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	IRFN2	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	600mA（TA）	10V	2ohm @ 300mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
FCA20N60FS	-	RFQ	5792	Onmi	SuperFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FCA20	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	20A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	208W（TC）
NTD4815NT4G	-	RFQ	2034	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±20V	770 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
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NVMFS6B05NT3G	-	RFQ	7497	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²