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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NVTFS5C478NLTAG	1.0500	RFQ	1811	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	26a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 5a，10v	2.2V @ 20µA	8 nc @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	20W（TC）
MJD31CTF	-	RFQ	9198	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31		1.56 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													100 v	3 a	50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
NSVBCP68T1G	0.6000	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													20 v	1 a	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	60MHz
RFP30P06	-	RFQ	5898	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	RFP30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	30A（TC）		65mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 20 V		3200 PF @ 25 V	-
5HP02M-TL-E	0.0500	RFQ	108	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SA1772E-E	0.4300	RFQ	49	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
ZTX749_J61Z	-	RFQ	3504	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	ZTX749		1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													25 v	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	100MHz
FQB1N60TM	-	RFQ	9895	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	1.2A（TC）	10V	11.5ohm @ 600mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），40W（TC）
NTNS3CS94NZT5G	0.1100	RFQ	144	Onmi	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NTNS3CS94NZT5G-488			1
2SC3399	0.0500	RFQ	29	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
NDD60N550U1-1G	-	RFQ	1968年	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	8.2A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	94W（TC）
NTZD3155CT1G	0.4100	RFQ	40	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NTZD3155	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道		20V	540mA，430mA		550MOHM @ 540mA，4.5V	1V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		150pf @ 16V	逻辑级别门
2SK212E-SPA	0.2400	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
KSD568RTU	-	RFQ	6318	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD568		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													60 V	7 a	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 500mA，5a	40 @ 3a，1V	-
ATP213-TL-H	-	RFQ	4018	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP213	MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	50a（ta）	4V，10V	16mohm @ 25a，10v	-	58 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 20 V	-	50W（TC）
IRFP450B	-	RFQ	5077	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IRFP4	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	14A（TC）	10V	390MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±30V	3800 PF @ 25 V	-	205W（TC）
NTHL095N65S3H	7.7900	RFQ	433	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL095N65S3H	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	30A（TC）	10V	95mohm @ 15a，10v	4V @ 2.8mA	58 NC @ 10 V	±30V	2833 PF @ 400 V	-	208W（TC）
NTD80N02-001	-	RFQ	5518	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD80	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	24 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	2600 PF @ 20 V	-	75W（TC）
KSA940TU	0.8700	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSA940		1.5 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-ksa940tu	Ear99	8541.29.0095	50													150 v	1.5 a	10µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
FJPF13007	-	RFQ	9134	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF13007		40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200													400 v	8 a	-	NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
SPS8913QRLPG	0.0400	RFQ	3275	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				6,000
MUN5335DW1T2	0.0600	RFQ	5	Onmi	-	大部分	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN53		-	SC-88/SC70-6/SOT-363	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													50V	100mA	-	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	-	80 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	47kohms
MJW18020G	9.1300	RFQ	6633	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MJW18020		250 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30													450 v	30 a	100µA	NPN	1.5V @ 4A，20A	14 @ 3a，5v	13MHz
BC807-25LT3G	0.1400	RFQ	37	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
NVMFS6H848NT1G	0.6902	RFQ	9162	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	80 V	（13a）（ta），57A（tc）	10V	9.4mohm @ 10a，10v	4V @ 70µA	16 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 40 V	-	3.7W（ta），73W（tc）
2SA1593T-TL-E	0.7400	RFQ	102	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA1593		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700													100 v	2 a	100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，5V	120MHz
2SK3856-5-TB-E	0.0800	RFQ	144	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SC3361-6-TB-E-on	0.1900	RFQ	30	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	3,000
fjv3110rmtf-on	0.0300	RFQ	91	Onmi	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV311		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000													40 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
BD809	-	RFQ	7721	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			90 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,038													80 V	10 a	1ma（iCBO）	NPN	1.1V @ 300mA，3a	15 @ 4A，2V	1.5MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²