RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTMFS008N12MCT1G	2.4600	RFQ	977	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	120 v	12a（12a），79a （TC）	6V，10V	8mohm @ 36a，10v	4V @ 200µA	33 NC @ 10 V	±20V	2705 pf @ 60 V	-	2.7W（ta），102W（tc）
NTMFS4936NCT1G	-	RFQ	2372	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4936	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	11.6a（ta），79a（tc）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	3044 pf @ 15 V	-	920MW（TA），43W（tc）
FQD5P20TM_F080	-	RFQ	4418	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	3.7A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.85a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
NTDV3055L104-1G	-	RFQ	2603	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTDV30	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	12a（12a）	5V	104mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	440 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
FCPF360N65S3R0-F154	-	RFQ	3700	Onmi	-	管子	积极的				FCPF360				-				488-FCPF360N65S3R0-F154			1
RFD3055SM	-	RFQ	2138	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD30	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道	60 V	12A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	53W（TC）
FC18G-TL	0.1600	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
NTMFS4946NT3G	-	RFQ	4894	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	12.7A（TA），100A（tc）	4.5V，11.5V	3.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 11.5 V	±20V	3250 pf @ 12 V	-	890MW（TA），55.5W（tc）
ECH8660-TL-H	0.6600	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8660	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	4.5a		59MOHM @ 2A，10V	-	4.4NC @ 10V		240pf @ 10V	逻辑级别门
FDMA6023PZT	0.8200	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	FDMA6023	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3.6a		60mohm @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		885pf @ 10V	逻辑级别门
KSA539YTA	-	RFQ	4590	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA539		400兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													45 v	200 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	-
KSA1013RBU	-	RFQ	7392	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1013		900兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	6,000													160 v	1 a	1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	50MHz
2SC3256R	1.2000	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
FDS6812A	-	RFQ	1659年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	6.7a		22mohm @ 6.7a，4.5V	1.5V @ 250µA	19nc @ 4.5V		1082pf @ 10V	逻辑级别门
NTD65N03R-035	-	RFQ	7135	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD65	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	25 v	9.5A（TA），32a （TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1400 pf @ 20 V	-	1.3W（TA），50W（TC）
ksp64ta	-	RFQ	6889	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP64		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	500 MA	100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
HUF753453	2.8900	RFQ	4034	Onmi	Ultrafet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF75345	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
NVMFS5C410NLWFT1G	-	RFQ	3607	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	48A（TA），315a （TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
NTJD4105CT1G	0.4700	RFQ	4133	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
MMJT9435T1G	-	RFQ	5786	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	mmjt94		3 W	SOT-223（TO-261）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													30 V	3 a	-	PNP	550mv @ 300mA，3a	125 @ 800mA，1V	110MHz
MPSW45AZL1	-	RFQ	6313	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSW45		1 w	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													50 V	1 a	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	25000 @ 200mA，5V	100MHz
PN3569_D75Z	-	RFQ	8215	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN356		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													40 V	500 MA	50NA（iCBO）	NPN	250mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，1V	-
MUN2130T1G	-	RFQ	3601	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2130		230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
FQD9N25TM	-	RFQ	5112	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD9N25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	7.4A（TC）	10V	420MOHM @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
BC846CLT1G	0.1600	RFQ	14	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846		225兆	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
2SK3824	-	RFQ	8013	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK3824	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	60 V	60a（ta）	4V，10V	15mohm @ 30a，10v	2.6V @ 1mA	67 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 20 V	-	1.75W（TA），60W（TC）
NDS8961	-	RFQ	8612	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS896	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	3.1a		100mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
FDC697P	-	RFQ	1885年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP	FDC697	MOSFET （金属 o化物）		supersot™-6 flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	20mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±8V	3524 pf @ 10 V	-	2W（TA）
NJVMJK32CTWG	1.0500	RFQ	1547年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NJVMJK32		2.7W	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000													100V	3a	50µA		1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
FDZ2554PZ	-	RFQ	6392	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-WFBGA	FDZ25	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	18-BGA（2.5x4）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	6.5a		28mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	21nc @ 4.5V		1430pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²