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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTD3817N-1G	-	RFQ	9711	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD38	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	16 V	7.6a（ta），34.5a tc）	4.5V，10V	13.9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±16V	702 PF @ 12 V	-	1.2W（TA），25.9W（TC）
FQP32N20C	2.8400	RFQ	3	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP32	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	28a（TC）	10V	82MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	156W（TC）
NTMFS6B03NT1G	-	RFQ	1954年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	100 v	（19a（ta），132a（tc）	6V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 50 V	-	3.4W（ta），165W（tc）
FDS7088N7	-	RFQ	5801	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	23a（23A）	4.5V，10V	3MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
BD13610S	0.6400	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD136		1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-BD13610S-488	Ear99	8541.29.0095	2,000													45 v	1.5 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
MJF15031	-	RFQ	8262	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MJF15		2 w	TO-220FP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJF15031OS	Ear99	8541.29.0075	50													150 v	8 a	10µA	PNP	500mv @ 100mA，1a	20 @ 4A，2V	30MHz
2SA1552T-TL-E	0.8500	RFQ	195	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SA1552		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700													160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
FCHD040N65S3-F155	12.9500	RFQ	30	Onmi	SuperFet®III	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCHD040	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	65A（TC）	10V	40mohm @ 32.5a，10v	4.5V @ 1.7mA	136 NC @ 10 V	±30V	4740 pf @ 400 V	-	417W（TC）
NTD4810NH-35G	-	RFQ	4087	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	30 V	（9A）（ta），54a（tc）	4.5V，11.5V	10mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1225 pf @ 12 V	-	1.28W（TA），50W（TC）
ECH83 15-TL-H	0.7500	RFQ	4213	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH83 15	MOSFET （金属 o化物）		8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7.5A（ta）	4V，10V	25mohm @ 3.5a，10v	-	18 nc @ 10 V	±20V	875 PF @ 10 V	-	1.5W（TA）
FDMS3660AS	-	RFQ	9684	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3660	MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	13a，30a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	30nc @ 10V		2230pf @ 15V	逻辑级别门
BC547A	-	RFQ	2129	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC547		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
2SC5706-TL-H	1.2900	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC5706		800兆	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700													50 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	240mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，2V	400MHz
KSE13003H2AS	-	RFQ	8830	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSE13003		20 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													400 v	1.5 a	-	NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
FQS4903TF	1.6500	RFQ	113	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FQS4903	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		500V	370mA		6.2OHM @ 185mA，10v	4V @ 250µA	8.2nc @ 10V		200pf @ 25V	-
2N5884	-	RFQ	9145	Onmi	-	托盘	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5884		200 w	TO-204（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N5884OS	Ear99	8541.29.0095	100													80 V	25 a	2mA	PNP	4V @ 6.25a，25a	20 @ 10a，4v	4MHz
MJH11022	-	RFQ	9415	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3	MJH11		150 w	SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJH11022OS	Ear99	8541.29.0095	30													250 v	15 a	1ma	npn-达灵顿	4V @ 150mA，15a	400 @ 10a，5v	3MHz
MJB5742T4G	4.4900	RFQ	46	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MJB5742		100 W	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800													400 v	8 a	-	npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 4A，5V	-
MCH3476-TL-HX	0.1100	RFQ	93	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
HUF76429D3ST	-	RFQ	8190	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
2N4403RLG	-	RFQ	7923	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N4403		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													40 V	600 MA	-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
BC489BZL1	-	RFQ	4646	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC489		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 100mA，1a	160 @ 100mA，2V	200MHz
BD244BTU	-	RFQ	2660	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD244		65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													80 V	6 a	700µA	PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
FQI12N60CTU	-	RFQ	6028	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI1	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），225W（tc）
NTMFS4H02NFT3G	-	RFQ	9835	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	25 v	37A（TA），193a （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	40.9 NC @ 10 V	±20V	2652 PF @ 12 V	-	3.13W（TA），83W（tc）
2SJ263	1.0100	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SMMUN2111LT1G-M01	-	RFQ	7789	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMUN2111		246兆	SOT-23-3（TO-236）	-			到达不受影响	488-SMMUN2111LT1G-M01	Ear99	8541.21.0095	1													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
2N5401_J05Z	-	RFQ	5000	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5401		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500													150 v	600 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	400MHz
2N5830	-	RFQ	8898	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5830		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2N5830-NDR	Ear99	8541.21.0095	2,000													100 v	200 ma	50NA（iCBO）	NPN	250mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	-
MTD4N20E1	0.1200	RFQ	7675	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,435

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²