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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2SB1216S-E	-	RFQ	7340	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SB1216			1 w	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																	100 v	4 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	140 @ 500mA，5V	130MHz
KSC388CTA	-	RFQ	1596年	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC388			300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	25 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	200mv @ 1.5mA，15mA	20 @ 12.5mA，12.5V	300MHz
MMDF2P01HDR2	0.1400	RFQ	17	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
NTB004N10G	6.9600	RFQ	1634年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB004		MOSFET （金属 o化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTB004N10GTR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道				100 v	201a（ta）	10V	4.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 500µA	175 NC @ 10 V	±20V	11900 PF @ 50 V	-	340W（TC）
MMPQ3904	2.1000	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ39			1W	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																	40V	200mA	-	4 npn（Quad）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
2N5247_J35Z	-	RFQ	9575	Onmi	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5247	400MHz	JFET		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		-	-	-											4DB
2SD1622T-TD-E	0.1000	RFQ	75	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
15C01M-TL-E	0.4200	RFQ	400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	15C01			300兆	SC-70 / MCP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	15 v	700 MA	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，200mA	300 @ 10mA，2V	330MHz
FQI3N90TU	-	RFQ	9599	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI3		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				900 v	3.6A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
FQD12N20TM_F080	-	RFQ	4760	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				200 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
MJD45H11RLG	0.9600	RFQ	25	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD45			1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,800																	80 V	8 a	1µA	PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	90MHz
FDY300NZ	0.6800	RFQ	5126	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	FDY300		MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				20 v	600mA（TA）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 600mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
FDT434P	-	RFQ	4813	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT43		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道				20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	50mohm @ 6A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1187 PF @ 10 V	-	（3W）（TA）
MCH6423-TL-E	0.0800	RFQ	576	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
FDMS2572	2.5500	RFQ	4321	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS25		MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				150 v	4.5a（ta），27a tc）（TC）	6V，10V	47MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 75 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
BC237BZL1	-	RFQ	8263	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC237			350兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	45 v	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
FDD1600N10ALZD	-	RFQ	6090	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	FDD160		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				100 v	6.8A（TC）	5V，10V	160MOHM @ 3.4a，10V	2.8V @ 250µA	3.61 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 50 V	-	14.9W（TC）
CPH3457-TL-W	-	RFQ	5363	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3457		MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	95MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 1mA	3.5 NC @ 4.5 V	±12V	265 pf @ 10 V	-	1W（ta）
NSVT3946DXV6T1G	0.4100	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVT3946			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																	40V	200mA	-	NPN，PNP	300mv @ 5mA，50mA / 400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz，250MHz
2SK3292-TD-E	0.1800	RFQ	132	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
提示32	-	RFQ	9018	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示32			2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																	40 V	3 a	300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
MJK31CTWG	1.0500	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	MJK31			2.7 w	LFPAK4（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																	100 v	3 a	50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
FDMC013P030Z	-	RFQ	2769	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC013		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				30 V	54A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±25V	5785 pf @ 15 V	-	30W（TC）
NVMTS0D6N04CTXG	8.5800	RFQ	7415	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMTS0		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				40 V	533a（TC）	10V	0.48MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	11800 PF @ 20 V	-	5W（ta）
NVTFS5C478NLTAG	1.0500	RFQ	1811	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				40 V	26a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 5a，10v	2.2V @ 20µA	8 nc @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	20W（TC）
MJD31CTF	-	RFQ	9198	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31			1.56 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																	100 v	3 a	50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
NSVBCP68T1G	0.6000	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																	20 v	1 a	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	60MHz
RFP30P06	-	RFQ	5898	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	RFP30		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道				60 V	30A（TC）		65mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 20 V		3200 PF @ 25 V	-
5HP02M-TL-E	0.0500	RFQ	108	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SA1772E-E	0.4300	RFQ	49	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²