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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MPS8098_D81Z	-	RFQ	8413	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPS809			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															60 V	500 MA						100NA	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
FJB102TM	1.2300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FJB102			80 W	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800															100 v	8 a						50µA	npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
FJNS3208RBU	-	RFQ	3454	Onmi	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32			300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000															50 V	100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
FDMC8200	1.2500	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC82		MOSFET （金属 o化物）	700MW，900MW	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	8a，12a		20mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
EFC6617R-A-TF	-	RFQ	8230	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-	EFC6617		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-EFC6617R-A-TF-488	Ear99	8541.29.0095	5,000												-
FQPF9N50YDTU	-	RFQ	1800	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	5.3A（TC）	10V	730MOHM @ 2.65a，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NTP5411NG	-	RFQ	7714	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP541		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	80A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	166W（TC）
NGTB20N120IHSWG	-	RFQ	5581	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB20	标准		156 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V											沟渠场停止	1200 v	40 a	120 a	2.4V @ 15V，20A	650µJ（离）	155 NC	- /160NS
KSC1623LMTF	-	RFQ	3752	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KSC1623			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	300 @ 1mA，6v	250MHz
mpsa63g	-	RFQ	3299	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSA63			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000															30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
KSD1021GTA	-	RFQ	7475	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1021			350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	1 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
NTMFS5C609NLT1G	2.9680	RFQ	2999	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NTMFS5					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1,500
FQP12N60C	3.1900	RFQ	704	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQP12N60C	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	225W（TC）
NTJS3157NT2G	-	RFQ	1339	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJS3157		MOSFET （金属 o化物）		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	60mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	500 pf @ 10 V	-	1W（ta）
KSA539YTA	-	RFQ	4590	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA539			400兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															45 v	200 ma						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	-
ksp64ta	-	RFQ	6889	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP64			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
NVMFS5C410NLWFT1G	-	RFQ	3607	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	48A（TA），315a （TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
NTMFS4C13NT1G	1.0500	RFQ	901	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500		n通道		30 V	7.2A（ta），38a tc）	4.5V，10V	9.1mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
NTF3055L108T1G	0.9000	RFQ	2204	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NTF3055		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	3A（3A）	5V	120MOHM @ 1.5A，5V	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±15V	440 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
NVMFS5C604NLWFAFT1G	5.7400	RFQ	1369	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	287a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	52 NC @ 4.5 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
NJW0302G	3.1200	RFQ	1102	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	NJW0302			150 w	TO-3P-3L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30															250 v	15 a						10µA（ICBO）	PNP	1V @ 500mA，5a	75 @ 3a，5v	30MHz
BF422ZL1G	-	RFQ	3902	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BF422			830兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															250 v	50 mA						-	NPN	500mv @ 2mA，20mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
MPS6515_D26Z	-	RFQ	2836	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPS651			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															25 v	200 ma						50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	250 @ 2mA，10v	-
FQB5N60CTM-WS	1.4900	RFQ	763	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB5N60		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		600 v	4.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	100W（TC）
5HN02C-TB-E	0.1000	RFQ	45	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
HUF753453	2.8900	RFQ	4034	Onmi	Ultrafet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF75345		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
KSA1013RBU	-	RFQ	7392	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1013			900兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	6,000															160 v	1 a						1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	50MHz
MPSW45AZL1	-	RFQ	6313	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSW45			1 w	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000															50 V	1 a						100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	25000 @ 200mA，5V	100MHz
MMJT9435T1G	-	RFQ	5786	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	mmjt94			3 W	SOT-223（TO-261）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															30 V	3 a						-	PNP	550mv @ 300mA，3a	125 @ 800mA，1V	110MHz
NTJD4105CT1G	0.4700	RFQ	4133	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105		MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²