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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N4403RRPG	-	RFQ	4117	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N4403		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													40 V	600 MA	-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
BU406	-	RFQ	9534	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BU406		60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200													200 v	7 a	5mA	NPN	1V @ 500mA，5a	-	10MHz
KSC2982ATF	-	RFQ	7659	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSC2982		500兆	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													10 v	2 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，2a	140 @ 500mA，1V	150MHz
NTD2955-1G	-	RFQ	1422	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD2955	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	12a（12a）	10V	180mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	55W（TJ）
2SB880	0.5500	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	544
KSC2331YSHTA	-	RFQ	3703	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2331		1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													60 V	700 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
NST856BF3T5G	0.0658	RFQ	1261	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1123	NST856		290兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	800mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
NSTB60BDW1T1G	0.3100	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSTB60		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	500NA	1 NPN预偏，1 pnp	250mv @ 5mA，10mA / 500mv @ 5mA，50mA	80 @ 5mA，10v / 120 @ 5mA，10V	140MHz	22KOHMS	47kohms
KSD471AYBU	-	RFQ	5472	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSD471		800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-KSD471AYBU	Ear99	8541.21.0075	10,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
FJC2383YTF	-	RFQ	7386	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	FJC23		500兆	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													160 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	160 @ 200ma，5V	100MHz
mje182stu	-	RFQ	1949年	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE182		1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2166-MJE182STU-488	Ear99	8541.29.0075	1,920													80 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
2SB1215S-H	-	RFQ	7862	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SB1215		1 w	TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													100 v	3 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 150mA，1.5a	140 @ 500mA，5V	130MHz
2N4400TA	-	RFQ	3490	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4400		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													40 V	600 MA	-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
BC548BG	-	RFQ	9783	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC548		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													30 V	100 ma	15NA	NPN	250mv @ 500µA，10mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
FQB5N15TM	-	RFQ	6357	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB5	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	5.4A（TC）	10V	800MOHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±25V	230 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），54W（tc）
MJE182	0.2600	RFQ	7	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE182		12.5 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													80 V	3 a	-	NPN	300mv @ 50mA，500mA	50 @ 100mA，1V	50MHz
MMBT22222LT3G	-	RFQ	8276	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													30 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
FDP2570	-	RFQ	2599	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	150 v	22a（22a）	6V，10V	80Mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1911 pf @ 75 V	-	93W（TC）
BC549B	-	RFQ	9226	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC549		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
SMUN5115DW1T1G	0.4100	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	Smun5115		187MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
FQD4N20TF	-	RFQ	1120	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
MJD128T4	-	RFQ	4520	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD12		1.75 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													120 v	8 a	5mA	pnp-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	4MHz
FDC6301N	0.4800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6301	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	220mA		4ohm @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		9.5pf @ 10V	逻辑级别门
NVMJS1D3N04CTWG	2.9100	RFQ	6832	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJS1	MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	41A（ta），235a （TC）	10V	1.3MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 170µA	65 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
KSE800STSSTU	-	RFQ	6343	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSE80		40 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,880													60 V	4 a	100µA	npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
2SK3617-TL-E	0.3700	RFQ	71	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
FCD900N60Z	1.6900	RFQ	2	Onmi	SuperFet®II	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD900	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 25 V	-	52W（TC）
FDG6321C-F169	-	RFQ	9476	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6321	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-70-6	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n和p通道		25V	500mA（ta），410mA（ta）		450MOHM @ 500mA，4.5V，1.1OHM @ 410mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V，1.5nc @ 4.5V		50pf @ 10V，62pf @ 10V	逻辑级别门
NTD3808NT4G	-	RFQ	1720年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD38	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	16 V	（12A）（ta），76a （TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±16V	1660 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
PCP1103-TD-H	0.4300	RFQ	758	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	PCP1103		3.5 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													30 V	1.5 a	100NA（ICBO）	PNP	375mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	450MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²