晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
FJP5021RTU	-	询价	2844	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FJP5021		50W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50													500V	5A	10μA（ICBO）	NPN	1V@600mA，3A	15@600mA，5V	18兆赫
2SD1725T	0.4000	询价	26	onsemi	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
FQD7N20LTF	-	询价	5928	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD7	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	200V	5.5A（温度）	5V、10V	750毫欧@2.75A，10V	2V@250μA	9nC@5V	±20V	500pF@25V	-	2.5W（Ta）、45W（Tc）
EMF23XV6T5G	0.0600	询价	88	onsemi	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-EMF23XV6T5G-488			1
HUFA75339P3	-	询价	8384	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	胡法75	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道	55V	75A（温度）	10V	12毫欧@75A，10V	4V@250μA	130nC@20V	±20V	2000pF@25V	-	200W（温度）
12A01C-TB-E	-	询价	8793	onsemi	*	大部分	过时的								-				2156-12A01C-TB-E-488			1
SCH1332-TL-H	-	询价	7866	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SCH133	MOSFET（金属O化物）		6-SCH	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道	20V	2.5A（塔）	1.8V、4.5V	95毫欧@1.5A，4.5V	1.3V@1mA	4.5V时为4.6nC	±10V	10V时为375pF	-	1W（塔）
FQU20N06TU	-	询价	8559	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU2	MOSFET（金属O化物）		I-PAK	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,040		N沟道	60V	16.8A（温度）	10V	63毫欧@8.4A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±25V	590pF@25V	-	2.5W（Ta）、38W（Tc）
PN4275_D26Z	-	询价	1626	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN427		350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000													15V	200毫安	400nA（ICBO）	NPN	500毫伏@10毫安，100毫安	35@10mA，1V	-
CPH3123-TL-E	-	询价	8757	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	CPH3123		900毫W	3-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2832-CPH3123-TL-ETR	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	3A	1μA（ICBO）	国民党	650mV@100mA，2A	200@100mA，2V	390兆赫
NTMD3P03R2	0.2400	询价	185	onsemi	-	大部分	过时的				NTMD3	-			下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人											-
MMUN2215LT1	-	询价	4810	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMUN2215		246毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	160@5mA，10V		10欧姆
HUF75652G3	10.2100	询价	3176	onsemi	超场效应晶体管™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	湖南福林75652	MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	100伏	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	475nC@20V	±20V	7585pF@25V	-	515W（温度）
FDMA3027PZ	-	询价	5047	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	频分多址3027	MOSFET（金属O化物）	700毫W	6-MicroFET (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	3.3A		87毫欧@3.3A，10V	3V@250μA	10nC@10V		435pF@15V	逻辑电平门
NVD5867NLT4G	-	询价	7335	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD586	MOSFET（金属O化物）		DPAK-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	6A（Ta）、22A（Tc）	4.5V、10V	39毫欧@11A，10V	2.5V@250μA	15nC@10V	±20V	675pF@25V	-	3.3W（Ta）、43W（Tc）
NTTFS4C55NTAG	-	询价	7229	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-PowerWDFN	NTFS4	-		8-WDFN (3.3x3.3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		-		-		-	-				-	-
FDS6673BZ-G	0.6600	询价	126	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	2832-FDS6673BZ-GTR	EAR99	8541.29.0095	第758章		P沟道	30V	14.5A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@14.5A，10V	3V@250μA	65nC@5V	±25V	4700pF@15V	-	1W（塔）
NDB6020P	-	询价	8297	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-65°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NDB602	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道	20V	24A（温度）	4.5V	50毫欧@12A，4.5V	1V@250μA	35nC@5V	±8V	1590pF@10V	-	60W（温度）
FJN3303RBU	-	询价	4445	onsemi	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	FJN330		300毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
2SC5808-E	0.3100	询价	11	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2SD1684S	0.2900	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
SSVPZT75111G	-	询价	5548	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的								-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-SSVPZT75111GTR	过时的		1,000
NTHL080N120SC1A	13.9700	询价	9050	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	NTHL080	SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NTHL080N120SC1A	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	31A（温度）	20V	110毫欧@20A，20V	4.3V@5mA	56nC@20V	+25V、-15V	800V时为1670pF	-	178W（温度）
NTP45N06G	-	询价	2603	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	NTP45N	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行	NTP45N06GOS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	45A（塔）	10V	26毫欧@22.5A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±20V	1725pF@25V	-	2.4W（Ta）、125W（Tj）
2SK1920-E	0.8300	询价	46	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
MTP20N06V	0.1800	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
FW216A-TL-2WX	-	询价	3177	onsemi	-	大部分	过时的	-	-	-	FW216	-	-	-	-		不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	-		-	-		-	-	-		-	-
MBT2222ADW1T1	-	询价	2406	onsemi	-	大部分	过时的				主战坦克2222				下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
FDS6680	-	询价	1005	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS66	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	11.5A（塔）	4.5V、10V	10毫欧@11.5A，10V	3V@250μA	27nC@5V	±20V	2070pF@15V	-	2.5W（塔）
NVHL065N65S3F	5.6067	询价	3678	onsemi	SuperFET® III、FRFET®	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NVHL065N65S3F	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	46A（温度）	10V	65毫欧@23A，10V	5V@1.3mA	98nC@10V	±30V	4075 pF @ 400 V	-	337W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²