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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTHD5904NT3	-	RFQ	6827	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
SDTC114YET1G	0.4100	RFQ	70	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	SDTC114		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
MPSA18RLRP	-	RFQ	6224	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA18		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	200 ma	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	500 @ 10mA，5v	160MHz
BDW24ATU	-	RFQ	4618	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW24		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000													60 V	6 a	500µA	PNP	3V @ 60mA，6a	750 @ 2a，3v	-
2SB1205S-TL-E	0.8500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1205		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700													20 v	5 a	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 60mA，3a	140 @ 500mA，2V	320MHz
MUN5331DW1T1G	0.3500	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5331		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 5mA，10mA	8 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	2.2kohms
MJ11021G	10.2800	RFQ	156	Onmi	-	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	MJ11021		175 w	TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100													250 v	15 a	1ma	pnp-达灵顿	3.4V @ 150mA，15a	400 @ 10a，5v	-
Smun2111T3G	0.0308	RFQ	1599年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	Smun2111		230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
FCH25N60N	-	RFQ	3953	Onmi	Supremos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH25N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	25A（TC）	10V	126mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
NDS9925A	-	RFQ	1768年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS992	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	4.5a		60mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	逻辑级别门
2SA1540D	0.2200	RFQ	4840	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	200
FQB2N60TM	-	RFQ	7003	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	2.4A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），64W（tc）
KSC3503DS	0.6000	RFQ	8	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3503		7 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	60 @ 10mA，10v	150MHz
BDX33BG	1.2100	RFQ	492	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX33		70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													80 V	10 a	500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
NTP6448ANG	-	RFQ	9642	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	NTP644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	80A（TC）	10V	13mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	-
FCH072N60F	9.3300	RFQ	1350	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH072	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	52A（TC）	10V	72MOHM @ 26a，10V	5V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	8660 pf @ 100 V	-	481W（TC）
EFC6612R-TF	0.4053	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	EFC6612	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	6-CSP（1.77x3.54）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	-	27nc @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
MJD200G	0.6300	RFQ	2	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD200		1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	75													25 v	5 a	100NA（ICBO）	NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
BD236STU	-	RFQ	8378	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD236		25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920													60 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，2V	3MHz
NTGS3443T2G	-	RFQ	3849	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS34	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	565 pf @ 5 V	-	500MW（TA）
NTD32N06L	-	RFQ	7635	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD32	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	32a（ta）	5V	28mohm @ 16a，5v	2V @ 250µA	50 NC @ 5 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），93.75W（tj）
MJE371	-	RFQ	9726	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE37		40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500													40 V	4 a	100µA（ICBO）	PNP	-	40 @ 1a，1V	-
FDW254PZ	-	RFQ	2710	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	9.2a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 9.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	96 NC @ 4.5 V	±8V	5880 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
NTP18N06	-	RFQ	5810	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP18N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTP18N06OS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	15A（TC）	10V	90MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
mpsa18rlrmg	-	RFQ	2861	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA18		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	200 ma	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	500 @ 10mA，5v	160MHz
CPH6223-TL-E	0.4700	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	CPH6223		1.3 w	6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													50 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	240mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	380MHz
mpsa56g	-	RFQ	7721	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSA56		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													80 V	500 MA	100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
FCI25N60N-F102	-	RFQ	9655	Onmi	Supremos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FCI25N60	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
MMUN2234LT1G	0.1300	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2234		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
TIP33CG	2.5500	RFQ	487	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示33		80 W	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30													100 v	10 a	700µA	NPN	4V @ 2.5a，10a	20 @ 3a，4v	3MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²