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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SMMBTA64LT1G	0.4700	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBTA64				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
PN4416_D27Z	-	RFQ	8843	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN441		400MHz	JFET		TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		-		-	-											4DB
FDD6688	-	RFQ	6491	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD668			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
NTDV18N06LT4G	-	RFQ	3821	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTDV18			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	18A（18A）	5V	65mohm @ 9a，5v	2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±15V	675 PF @ 25 V	-	2.1W（ta），55W（（（（（（）
FCU4300N80Z	1.3000	RFQ	1	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FCU4300			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					800 v	1.6A（TC）	10V	4.3OHM @ 800mA，10V	4.5V @ 160µA	8.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 100 V	-	27.8W（TC）
KSA1201OTF	-	RFQ	1164	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	KSA12				1 w	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																			120 v	800 MA						100NA（ICBO）	PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
NTLJS4159NT1G	-	RFQ	3441	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS41			MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±8V	1045 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
BF199_D74Z	-	RFQ	7662	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF199				350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000						-													25V	50mA							NPN		38 @ 7mA，10v	1.1GHz	-
FQPF5N90	2.8400	RFQ	837	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					900 v	3A（TC）	10V	2.3OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1550 pf @ 25 V	-	51W（TC）
FJPF13007H2	-	RFQ	2170	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF13007				40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																			400 v	8 a						-	NPN	3V @ 2a，8a	26 @ 2a，5v	4MHz
2SK3292-TD-E	0.1800	RFQ	132	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
NTMFS5C682NLT1G	2.7700	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					60 V	25A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10a，10v	2V @ 16µA	5 NC @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	28W（TC）
ISL9V3040D3S	-	RFQ	1877年	Onmi	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ISL9	逻辑			150 w	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800				300V，1KOHM，5V														-	430 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
5LN01C-TB-EX	-	RFQ	5142	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	5LN01			-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		-						100mA（TJ）	-	-	-		-		-	-
NVTFWS004N04CTAG	0.8223	RFQ	4264	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFWS004			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	18A（18A），77A （TC）	10V	4.9MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 50µA	18 nc @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），55W（tc）
NTMFS4C35NT1G	-	RFQ	4495	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	12.4A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	2300 pf @ 15 V	-	（780MW）（TA），33W（tc）
PN2484_D75Z	-	RFQ	7753	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN248				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																			60 V	100 ma						10NA（ICBO）	NPN	350mv @ 100µA，1mA	100 @ 10µA，5V	-
NVBG022N120M3S	36.5354	RFQ	7542	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NVBG022			sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVBG022N120M3STR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					1200 v	58A（TC）	18V	30mohm @ 40a，18v	4.4V @ 20mA	148 NC @ 18 V		3200 PF @ 800 V	-	234W（TC）
EMZ1DXV6T5	-	RFQ	3868	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMZ1				500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																			60V	100mA						500NA（ICBO）	NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz，140MHz
MJD350TF	-	RFQ	1857年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD35				15 W	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																			300 v	500 MA						100µA	PNP	-	30 @ 50mA，10v	-
NCV8440ASTT3G	1.1800	RFQ	21	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NCV8440			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					59 v	2.6a（ta）	3.5V，10V	110MOHM @ 2.6a，10V	1.9V @ 100µA	4.5 NC @ 4.5 V	±15V	155 pf @ 35 V	-	1.69W（TA）
NTQS6463R2	-	RFQ	9472	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NTQS64			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道					20 v	6.8a（ta）	2.5V，4.5V	20mohm @ 6.8a，4.5V	900mv @ 250µA	50 NC @ 5 V	±12V		-	930MW（TA）
FJP3305H1TU	1.2400	RFQ	157	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP3305				75 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			400 v	4 a						1µA（ICBO）	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	4MHz
NVTJD4401NT1G	-	RFQ	7724	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	NVTJD44			-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-						630ma（ta）		-	-				-	-
FQD30N06TM	1.0300	RFQ	1	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD30N06			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	22.7A（TC）	10V	45mohm @ 11.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
BC618RL1G	-	RFQ	8043	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC618				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																			55 v	1 a						50NA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	150MHz
BSS138_L99Z	-	RFQ	5615	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 1mA	2.4 NC @ 10 V	±20V	27 PF @ 25 V	-	360MW（TA）
FJZ945GTF	-	RFQ	2226	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ945				100兆	SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	150 ma						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	300MHz
FDP047N08	3.4300	RFQ	1849年	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP047			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	164a（TC）	10V	4.7mohm @ 80a，10v	4.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	9415 PF @ 25 V	-	268W（TC）
FGA15S125P	-	RFQ	1418	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA15S125	标准			136 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-														沟	1250 v	30 a	45 a	2.72V @ 15V，15a	-	129 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²