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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMT800150DC	7.5900	RFQ	10	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMT800150	MOSFET （金属 o化物）		8 Dual Cool™88	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	（15a）（ta），99a （TC）	6V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	8205 PF @ 75 V	-	3.2W（ta），156W（TC）
NVMTS6D0N15MC	2.5766	RFQ	6711	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMTS6D0N15MCTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	18A（18A），128A（tc）	10V	6.4mohm @ 69a，10v	4.5V @ 379µA	58 NC @ 10 V	±20V	4815 PF @ 75 V	-	5W（5W），237W（237W）（TC）
MPSA64_D75Z	-	RFQ	7628	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA64		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	1.2 a	100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
HUFA76629D3ST	-	RFQ	6444	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
FDP10AN06A0	-	RFQ	4009	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	60 V	（12a）（ta），75a tc（TC）	6V，10V	10.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1840 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FDMS8880	-	RFQ	8906	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS88	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	13.5A（TA），21a （TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13.5A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
CPH3424-TL-E	0.1500	RFQ	117	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
TN2907A	-	RFQ	5422	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN2907		625兆	TO-226-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500													60 V	800 MA	10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MPSA18RLRP	-	RFQ	6224	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA18		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	200 ma	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	500 @ 10mA，5V	160MHz
NVBG060N090SC1	19.0600	RFQ	660	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NVBG060	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	5.8A（ta），44a（tc）	15V	84mohm @ 20a，15v	4.3V @ 5mA	88 NC @ 15 V	+19V，-10V	1800 PF @ 450 V	-	3.6W（TA），211W（TC）
SFT1450-H	-	RFQ	5098	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT145	MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	40 V	21a（21a）	10V	28mohm @ 10.5a，10v	-	14.4 NC @ 10 V	±20V	715 PF @ 20 V	-	1W（TA），23W（tc）
NVMJD3D0N04CTWG	1.3539	RFQ	3920	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NVMJD3D0	-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD3D0N04CTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000											-
SCH1333-TL-H	-	RFQ	8425	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SCH133	MOSFET （金属 o化物）		6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		P通道	20 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	130MOHM @ 1A，4.5V	-	3.3 NC @ 4.5 V	±10V	250 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FQD5N60CTM_F080	-	RFQ	2947	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
NVMFS5C430NWFAFT1G	2.8200	RFQ	1752年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	35A（35A），185A （TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
FQAF90N08	-	RFQ	2053	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF9	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道	80 V	56A（TC）	10V	16mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	100W（TC）
FQD12N20LTM_SN00173	-	RFQ	3821	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	9A（TC）	5V，10V	280MOHM @ 4.5A，10V	2V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1080 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
SDTC114YET1G	0.4100	RFQ	70	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	SDTC114		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
2SB1205S-TL-E	0.8500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1205		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700													20 v	5 a	500NA（ICBO）	PNP	500mv @ 60mA，3a	140 @ 500mA，2V	320MHz
NST65010MW6T1G	0.5000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NST65010		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65V	100mA	15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
FCPF190N65S3R0L	2.2900	RFQ	838	Onmi	SuperFet®III	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	17a（TC）	10V	190mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 1.7mA	33 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	144W（TC）
2SK3617-S-TL-E	0.5500	RFQ	60	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	544
BC549ATA	-	RFQ	7692	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
KSC3502ESTU	-	RFQ	5666	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3502		1.2 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60													200 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	150MHz
FDB047N10	4.0200	RFQ	13	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FDB047	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	120A（TC）	10V	4.7MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	15265 PF @ 25 V	-	375W（TC）
BC337-040G	-	RFQ	9355	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC337		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													45 v	800 MA	100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	210MHz
ECH8651R-TL-H	-	RFQ	6001	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8651	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		24V	10a		14mohm @ 5A，4.5V	-	24NC @ 10V		-	逻辑级别门
BDX34B	-	RFQ	4744	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX34		70 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													80 V	10 a	500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
VEC2303-TL-E	0.2500	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
mjd31crlg	0.9400	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31		1.56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800													100 v	3 a	50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²