SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 电阻-RDS((在) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
NTMFD4951NFT3G onsemi NTMFD4951NFT3G -
RFQ
ECAD 8606 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD4951 - 8-dfn(5x6)(SO8FL二偶有型号) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 - - - - - -
KSC2334RTU onsemi KSC2334RTU -
RFQ
ECAD 2926 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSC2334 1.5 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 100 v 7 a 10µA(ICBO) NPN 600mv @ 500mA,5a 40 @ 3a,5v -
BC847CDW1T1H onsemi BC847CDW1T1H -
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BC850BMTF onsemi BC850BMTF -
RFQ
ECAD 7971 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC850 310 MW SOT-23-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 300MHz
NVTJD4001NT1G onsemi NVTJD4001NT1G 0.5000
RFQ
ECAD 520 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 NVTJD4001 MOSFET (金属 o化物) 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA,4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
NJV4030PT3G onsemi NJV4030PT3G 0.5000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA NJV4030 2 w SOT-223(TO-261) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4,000 40 V 3 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 300mA,3a 200 @ 1A,1V 160MHz
FJV4113RMTF onsemi FJV4113RMTF -
RFQ
ECAD 1517年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FJV411 200兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 68 @ 5mA,5V 200 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
MJE803STU onsemi mje803stu -
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 MJE803 40 W TO-126-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 80 V 4 a 100µA npn-达灵顿 2.8V @ 40mA,2a 750 @ 2a,3v -
NTTFS5C478NLTAG onsemi NTTFS5C478NLTAG 1.5600
RFQ
ECAD 7904 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - - - NTTFS5 - - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 - - - - - - - -
2SA1574-AC onsemi 2SA1574-AC 0.0400
RFQ
ECAD 1605 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 5,000
MPSA64RLRAG onsemi mpsa64rlrag -
RFQ
ECAD 6122 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) MPSA64 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) pnp-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 125MHz
NVMFS5C410NLWFET1G onsemi NVMFS5C410NLWFET1G 2.2759
RFQ
ECAD 1946年 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NVMFS5C410NLWFET1GTR Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 50a(50A),330a tc(TC) 4.5V,10V 0.82MOHM @ 50a,10V 2V @ 250µA 143 NC @ 10 V ±20V 8862 PF @ 25 V - 3.8W(TA),167W(TC)
MJD2955 onsemi MJD2955 -
RFQ
ECAD 7021 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MJD29 1.75 w DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 60 V 10 a 50µA PNP 8V @ 3.3a,10a 20 @ 4A,4V 2MHz
2SA2015-TD-E onsemi 2SA2015-TD-E 0.3400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1,000
FCP21N60N onsemi FCP21N60N -
RFQ
ECAD 9054 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 FCP21 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v - - - - -
KSC2330RTA onsemi KSC2330RTA -
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) KSC2330 1 w TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 300 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 1mA,10mA 40 @ 20mA,10v 50MHz
KSC2690AYS onsemi KSC2690日 0.7400
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 KSC2690 1.2 w TO-126-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 160 v 1.2 a 1µA(ICBO) NPN 700mv @ 200mA,1a 35 @ 5mA,5v 155MHz
KSA614YTSTU onsemi ksa614ytstu -
RFQ
ECAD 8065 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSA614 25 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 55 v 3 a 50µA(ICBO) PNP 500mv @ 100mA,1a 120 @ 500mA,5V -
U1898 onsemi U1898 -
RFQ
ECAD 4315 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) U1898 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 16pf @ 20V 40 V 15 ma @ 20 V 2 V @ 1 na 50欧姆
BC547_J22Z onsemi BC547_J22Z -
RFQ
ECAD 5118 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC547 500兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,500 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 300MHz
SMMBT2907ALT1G onsemi SMMBT2907ALT1G 0.2800
RFQ
ECAD 485 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SMMBT2907 300兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 600 MA 10NA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 200MHz
2SK4126 onsemi 2SK4126 -
RFQ
ECAD 8441 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 2SK4126 MOSFET (金属 o化物) to-3pb 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 650 v 15A(TA) 10V 720MOHM @ 6A,10V - 45.4 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 30 V - 2.5W(TA),170W(tc)
NTNS4C69NTCG onsemi NTNS4C69NTCG -
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN MOSFET (金属 o化物) SOT-883(XDFN3)(1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NTNS4C69NTCGTR Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 1A(1A) 1.8V,4.5V 155mohm @ 300mA,4.5V 1.1V @ 10µA 0.9 NC @ 4.5 V ±12V 75 pf @ 15 V - 178mw(TA)
BC848BLT3 onsemi BC848BLT3 0.0200
RFQ
ECAD 310 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 BC848 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000
MJB44H11T4G onsemi MJB44H11T4G 1.5700
RFQ
ECAD 677 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB MJB44 2 w D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 800 80 V 10 a 10µA NPN 1V @ 400mA,8a 40 @ 4A,1V 50MHz
NTMKE4891NT1G onsemi NTMKE4891NT1G -
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 5个图子 NTMKE4 MOSFET (金属 o化物) 4 -ecepak -e1 pad(6.3x4.9) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 25 v 26.7a(TA),151A (TC) 4.5V,10V 2.6mohm @ 29a,10v 2.4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±20V 4360 pf @ 15 V - 2.8W(ta),89W(89W)TC)
NGTB03N60R2DT4G onsemi NGTB03N60R2DT4G -
RFQ
ECAD 4751 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NGTB03 标准 49 W DPAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 300V,3a,30ohm,15V 65 ns - 600 v 9 a 12 a 2.1V @ 15V,3A 50µJ(在)上,27µj(27µJ) 17 NC 27NS/59NS
2SC3135T-SPA onsemi 2SC3135T-SPA 0.1600
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 - 通过洞 SC-72 250兆 3-SPA 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 200 ma - PNP 500mv @ 5mA,50mA 100 @ 1mA,6v -
MPSA65_D26Z onsemi MPSA65_D26Z -
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA65 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 1.2 a 100NA(ICBO) pnp-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 100MHz
MGP19N35CL onsemi MGP19N35CL 0.5100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库